1. Цель работы

Изучить принцип действия биполярного транзистора (БТ) его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Исследовать БТ в режиме усиления.

2 Подготовка к работе

2.1 Изучить следующие вопросы курса:

2.1.1 Устройство БТ, принцип действия, основные физические процессы.

2.1.2 Схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов).

2.1.3 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.

2.1.4 Уравнения коллекторного тока и коэффициенты передачи тока для всех схем включения.

2.1.5 Статические характеристики транзистора в схемах включения с ОБ и ОЭ.

2.1.6 Предельные параметры режима работы БТ. Рабочая область характеристик.

2.1.7 Влияние температуры на работу БТ, на его характеристики в схеме ОБ и ОЭ и на предельные параметры.

2.1.8 Дифференциальные параметры БТ и их определение по статическим характеристикам транзистора.

2.1.9 Работа БТ в усилительном режиме.

2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы:

2.2.1 Каково устройство плоскостного транзистора?

2.2.2 Каков принцип действия биполярного бездрейфового транзистора?

2.2.3 Какой вид имеют схемы включения транзистора с ОБ, ОЭ и ОК для структур p-n-p и n-p-n?

2.2.4 Каковы потенциальные диаграммы p-n-p и n-p-n транзисторов для различных режимов работы?

2.2.5 Из каких компонентов состоят токи через эмиттерный и коллекторный переходы транзистора?

2.2.6 Из каких компонентов состоит ток базы?

2.2.7 Что такое коэффициенты инжекции и переноса?

2.2.8. Как влияет на работу транзистора неуправляемый ток коллекторного перехода? Какие причины его возникновения?

2.2.9 Каково уравнения коллекторного тока для схем ОБ и ОЭ?

2.2.10 Какой вид имеют входные и выходные характеристики транзистора для схем ОБ и ОЭ?

2.2.11 Где на входных и выходных характеристиках транзистора находятся области, соответствующие активному режиму работы, режимам отсечка и насыщение?

2.2.12 Какие факторы ограничивают рабочую область выходных характеристик транзистора?

2.2.13 Чем объясняется влияние температуры на статические характеристики БТ в схемах включения с ОБ и ОЭ?

2.2.14 Как зависят значения предельных параметров БТ от температуры?

2.2.15 В чем состоит и чем объясняется влияние температуры на рабочую область БТ?

2.2.16 Какой вид имеют системы уравнений с h-параметрами в дифференциальной и комплексной формах?

2.2.17 Как определяются h-параметры по статическим характеристикам транзистора?

2.2.18 В чем состоит работа БТ в усилительном режиме.?

3 Литература

1 Игнатов А.Н. и др. Классическая электроника и наноэлектроника: Учебное пособие / М.: Флинта : Наука. 2009. Стр. 87-113.

2. Игнатов А.Н. и др. Основы электроники: Учебное пособие /СибГУТИ.-Новосибирск, 2005. Стр.59-69.

3. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н.Д -М: Радио и связь, 1998. Стр. 70-81, 86-92.

4. Электронные приборы. Под редакцией Шишкина Г.Г. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр.140-170 (выборочно).

5. Транзисторы для широкого применения: Справочник. Под редакцией Перельмана Б. П. -М.: Радио и связь, 1981.

6. Савиных В.Л. Конспект лекций по ФОЭ. 2008. Электронная версия.