Приложение а

Таблица А.1 – Варианты заданий

№ вар	1	2	3	4	5
Тип БТ	КТ3102A	КТ3102B	КТ3102D	КТ3102E	КТ3102G
№ вар	6	7	8	9	10
Тип БТ	КТ3102V	KT315B	KT315D	KT315E	KT315G
№ вар	11	12	13	14	15
Тип БТ	KT315 I	KT315V	KT315Z	KT316A	KT316B
№ вар	16	17	18	19	20
Тип БТ	KT316D	KT316G	KT316V	KT355A	KT368A
№ вар	21	22	23	24	25
Тип БТ	KT368B	KT371A	KT371B	KT373A	KT373B
№ вар	26	27	28	29	30
Тип БТ	KT373G	KT373V	KT375A	KT375B	KT630A

Все транзисторы имеют мощность рассеивания на коллекторе 150 мВт Лабораторная работа № 3.

ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК

И ПАРАМЕТРОВ МДП -ТРАНЗИСТОРОВ

1 Цель работы

Изучить принцип действия, характеристики и зависимость параметров от режима работы МДП ПТ.

2 Подготовка к работе

2.1 Изучить следующие вопросы курса:

Устройство, назначение, принцип действия ПТ разных структур.

Статические характеристики и параметры режима МДП ПТ.

Дифференциальные параметры ПТ их измерение и определение по характеристикам.

Зависимость дифференциальных параметров от режима работы

2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы:

2.2.1 Как устроены ПТ с индуцированным каналом и ПТ со встроенным каналам?

2.2.2 Какой вид имеют условные графические обозначения ПТ разных типов и структур?

2.2.3 Каковы принципы действия ПТ с индуцированным каналом и ПТ со встроенным каналом?

2.2.4 Какой вид имеют передаточные и выходные характеристики ПТ с индуцированным каналом и ПТ со встроенным каналом?

2.2.5 Какой вид имеют схемы для исследования статических характеристик МДП ПТ с каналами различных типов?

2.2.6 Как определить дифференциальные параметры МДП ПТ по статическим характеристикам?

2.2.7 Какой вид имеют схемы для исследования параметров МДП ПТ различных типов с каналами p-типа и n-типа?

2.2.8 Какой вид имеют и чем объясняются графики зависимостей дифференциальных параметров ПТ от режима его работы?

2.2.9 Какие параметры ПТ называются предельным эксплуатационным?

2.2.10 Чем объясняется влияние температуры на работу ПТ, на его статические характеристики и параметры?

3 Литература

1 Игнатов А.Н. и др. Классическая электроника и наноэлектроника: Учебное пособие / М.: Флинта : Наука. 2009. Стр. 73-86.

2 Игнатов А.Н. и др. Основы электроники: Учебное пособие /СибГУТИ.-Новосибирск, 2005. Стр.48-59.

3 Бобровский Ю. Л. И др. Под редакцией Федорова Н.Д. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. -М: Радио и связь, 1998. Стр.146-156, 166-176, 184-185.

4 Дулин В.Н. и др. Под редакцией Шишкина Г.Г. Электронные приборы. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр. 205-224, 235-245 (выборочно).

5 Савиных В.Л. Конспект лекций по ФОЭ. 2010. Электронная версия.