2 Степень сложности.

Для последовательного резонансного контура получить зависимость I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 0,51 нФ.

Для последовательного резонансного контура получить зависимость I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 1 нФ.

Для последовательного резонансного контура получить зависимость I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 2 нФ.

Для последовательного резонансного контура получить зависимость I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 3 нФ.

Для последовательного резонансного контура получить зависимость I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 5 нФ.

Для последовательного резонансного контура получить зависимость I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1. Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 10 нФ.

Для последовательного резонансного контура определить добротность, при которой напряжения на конденсаторе и катушке не имеет максимумов. Получить зависимости I=f(f), Uc=f(f), UL=f(f). Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С = 10 нФ.

Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1.Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С1 = 0,51 нФ.

Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1.Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С1 = 1 нФ.

Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1.Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С1 = 2 нФ.

Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1.Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С1 = 3 нФ.

Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1.Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С1 = 5 нФ.

Для параллельного резонансного контура получить зависимости I=f(f) при уменьшении добротности контура. Для изменения добротности использовать резистор R1.Использовать катушку, параметры которой были определены ранее, емкость конденсатора С1 = 10 нФ.