Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
конечные шпоры.doc
Скачиваний:
8
Добавлен:
19.09.2019
Размер:
674.3 Кб
Скачать

23. Влияние зоны проникновения фильтрата п.Ж. На показания осн. Методов гис

Обычный каротаж

При проникновении фильтрата п.ж. в пласт возможны 2 случая: снижение уд. сопротивления (понижающее проникновение) и увеличение его сопротивления (повышающее сопротивление). Принадлежность кривой БКЗ к повышающему или понижающему проникновению п.ж опр-ся величиной ρп/ρзп. Если ρп/ρзп<1, то наблюдается повышающее проникновение, при ρп/ρзп>1 – понижающее.

при повышающем проникновении фильтрата п.ж. в пласт удовлетворяется условие

ρс<ρзп>ρп

при понижающем

ρс<ρзп<ρп

Боковой каротаж

G – радиальный геом. фактор

ρк = Gc ρс + Gзп ρзп +Gп ρп

Gc=f(dc)

если ρр-ра – мало – соленый раствор

При бурении на соленых р-рах влияние скв-ны минимально.

Gзп = f(D)

а) ρзп<ρп отсюда – понижающее проникновение

D/dc <4

осн. влияние будет оказывать на ρк неименен. часть пласта. В эт. сл. ρк стремится к ρп

б) ρзп>ρп отсюда – повышающ. проникновение

D/dc >4

ρк примерно= ρзп

т.о. располагая измерениями одним зондом БК нельзя быть уверенным в том, сопротивления какой части пласта опр-ем. Для этого необходимы измерения несколькими зондами разной глубинности.

Влияние ЗП уменьшается с увеличением Lобщ и увеличивается с ростом отношения D/dc и уменьшением h.

Индукционный метод

Влияние ЗП на рез-ты ИК невелико при повышающем проникновении. Понижающее проникновение оказывает значит. влияние, начиная уже с проникновения п.ж. на глубину, превышающую три диаметра скв-ны (D > 3dc). С увеличением отношения части пласта (ρп /ρзп) зависимость от понижающего проникновения возрастает. Влияние скв-ны и ЗП увеличивается во всех случаях с повышением сопротивления г.п. за счет хар-ра распределения силовых линий тока при ИК.

24. Способы опр-я границ пластов по диаграммам электрометрии.

Г-З

а) пласт большой толщины h>Lг

На диаграммах посл. Г-З кровля и подошва пласта расположены на расстоянии MN/2 (AB/2) ниже точек максимума и минимума. Если MN и AB в масштабе глубин мало, то кровля и подошва могут отличаться ρкmin, ρkmax – соответственно.

Для обращенного Г-З – наоборот.

б) h<Lг

Опр-е границ пласта устанавливается приближенно, поэтому границы пластов опр-ют по диаграммам малых зондов (микрозонд) экранированных зондов, кавернометрии.

Если пласты неоднородные, имеет место постепенное изменение литологии и физ. св-в г.п. при переходе от одного пласта другому, необходимо выделять в этом случае переходные зоны.

П-З

Т.к. кривые для П-З симметричны отн-но границ правила определения границ кровли и подошвы пласта одинаковы.

а) если ρвм = ρр-ра , то ρк на границе пласта примерно = 4 ρр-ра.

Б) ρвмр-ра; ρк.гр.=(2ρвм* ρкмах)/( ρвм+ ρкмах).

В) Точки, соответствующие границам пласта смещены на Lп/2 (АМ/2) от начала крутого подъема кривой надо отложить Lп/2 в сторону меньшего сопротивления.

25. Влияние неидеальных зондов на кривые кс.

Точки мах и мин будут смещены на расстояние MN/2 (вверх для последовательных зондов, вниз – для обращенных). На форму и характер кривой неидеальность зондов не влияет.

Г-З

Т.к. у идеального Г-З электрод А (М) одиночный и пересекает границы пласта мгновенно, то изменение в перераспределении тока у них полностью совпадает; положение экранных минимумов и максимумов остается неизменным. Отличие в кривой КС для неидеального зонда будет отличаться в тех участках разреза, где границы пласта пересекаются парными электродами. У идеального зонда расстояние м/у MN(АВ) = 0. Изменение КС отличается резким скачком. Неидеальный Г-З КС на границах изменяется постепенно отсюда для последоват. Г-З экстремумы смещены вверх относительно границ пласта на расстоянии MN/2 (АВ/2). Для обращенного Г-З – наоборот, т.е. вниз. Границы пласта сначала пересекают М, а затем N; отсюда положение максимума смещено на расстояние MN/2.

П-З

Для П-З неидеальность его, т.е. MN не = бесконечности, приводит к асимметрии кривой КС и смещению мах против середины пласта в сторону парных электродов (MN и AB).