- •1. Полупроводниковые материалы
- •1.1. Характеристика основных свойств
- •1.2 Классификация.
- •3. Подвижность свободных носителей заряда ( n и p)
- •5. Относительная диэлектрическая проницаемость.
- •6. Плотность материала.
- •7. Удельное сопротивление собственных полупроводников.
- •1.3.1. Кремний Si.
- •1.3.2. Германий Ge.
- •1.4. Сложные полупроводники.
- •1.4.1. Соединения группы а2b6.
- •1.4.2. Соединения группы а4в4.
- •1.4.3. Окисные полупроводники.
- •1.4.4. Поликристаллические полупроводники.
- •1.4.5. Аморфные полупроводники.
- •1.5. Параметры полупроводниковых материалов
- •1.6. Классификация полупроводниковых материалов
- •1.7. Полупроводниковый кремний как конструкционный материал
- •1.8. Вопросы и задачи
- •2. Проводниковые материалы
- •2.1. Определение и свойства проводников
- •2.2. Зависимость электрических свойств проводниковых материалов от внешних факторов
- •2.2.1. Температурная зависимость удельного сопротивления металлических проводников
- •2.2.2. Зависимость удельного сопротивления проводниковых материалов от давления
- •2.2.3. Сопротивление проводников на высоких частотах
- •2.2.4 Свойства материалов в виде тонких плёнок.
- •2.3 Материалы высокой проводимости.
- •2.4 Металлы высокого сопротивления.
- •2.5 Монометаллические резистивные материалы.
- •2.6 Металлические сплавы
- •2.7. Металло-окисные резистивные материалы.
- •2.8. Интерметаллические сплавы.
- •2.9. Механические композиции.
- •2.10. Материалы для толстоплёночных гис.
- •2.11. Сплавы специального назначения.
- •2.12 Биметаллы.
- •2.13. Вопросы и задачи
- •3. Диэлектрические материалы
- •3.1. Определение, основные свойства
- •3.1. Графики зависимости диэлектрической проницаемости
- •3.2. Параметры диэлектриков
- •3.2.1. Электрические параметры
- •3.2.2. Тепловые параметры
- •3.2.3. Физические параметры
- •3.3. Обзор диэлектрических материалов.
- •3.4. Функции пассивных диэлектриков в рэа.
- •3.5. Классификация пассивных диэлектриков.
- •3.6. Газообразные диэлектрики.
- •3.7. Жидкие диэлектрики.
- •3.8. Твердеющие диэлектрики.
- •3.9.1. Лаки.
- •3.9.2. Эмали.
- •3.9.3. Компаунды.
- •3.10. Полимеры.
- •3.11.1. Природные полимеры.
- •3.11.2. Линейные полимеры.
- •3.11.3. Полимеры, получаемые поликонденсацией.
- •3.12. Композиционные пластмассы и слоистые пластики.
- •3.13. Полимерные клеи и адгезивы.
- •3.14. Стекла.
- •3.14.1 Способы аморфизации материалов.
- •3.14.2. Общая характеристика стекол.
- •3.14.3. Химический состав и свойства оксидных стекол.
- •3.14.4. Техническое назначение стекол.
- •3.14.5. Кварцевое стекло высокой чистоты.
- •1.10. Стеклокристаллические материалы – ситаллы.
- •3.16. Техническая керамика.
- •3.16.1. Общая характеристика.
- •3.16.2. Виды керамики, применяемые в рэа.
- •3.17. Кварцевое стекло
- •3.18. Вопросы и задачи
- •4.2. Прецизионные сплавы
- •4.3. Вопросы
- •5. Магнитные материалы
- •5.1. Классификация веществ по магнитным свойствам
- •5.2. Основные свойства и параметры магнитных материалов
- •5.3. Виды магнитных материалов
- •5.4. Влияние состава, механической и термической обработки на магнитные свойства ферромагнетиков.
- •5.5. Магнитомягкие материалы.
- •5.5.1. Требования к магнитомягким материалам.
- •5.5.2. Классификация магнитомягких материалов.
- •5.5.3. Магнитомягкие материалы для постоянных и низкочастотных магнитных полей.
- •5.5.4. Высококачественные магнитомягкие материалы.
- •5.6. Магнитотвердые материалы.
- •5.6.1. Мтм для постоянных магнитов.
- •5.6.2. Мтм для магнитных лент.
- •5.7. Магнитные материалы специального назначения.
- •5.7.1. Материалы с прямоугольной петлей гистерезиса (ппг)
- •5.7.2. Магнитострикционные материалы.
- •5.7.3. Магнитные пленки.
- •5.7.4. Свч ферриты.
- •5.8. Вопросы
1. Полупроводниковые материалы
1.1. Характеристика основных свойств
Важнейшая роль полупроводников в радиоэлектронике обусловлена тем, что они служат основой активных приборов, способных усиливать мощность или преобразовывать одни виды энергии в другие (но не в тепло) в малом объеме твердого тела без существенных потерь [8].
Приведем признаки полупроводниковых материалов.
1. Основным признаком полупроводника является большая, чем у металлов, но меньшая, чем у диэлектриков, электропроводность.
2. Полупроводники при комнатной температуре могут иметь удельное сопротивление 10-4109Омсм, удобное для технических применений.
3. Удельное сопротивление любого полупроводника можно изменять в широких пределах (на несколько порядков значений ), варьируя концентрацией электрически активных примесей - донорных и акцепторных. По этому признаку полупроводники отличаются от диэлектриков, удельное сопротивление которых слабо зависит от состава, поскольку электрически активных примесей для диэлектриков не существует.
4. При неизменном составе и структуре удельное сопротивление полупроводников может изменяться за счет подвода внешней энергии: тепловой, электромагнитной, радиационной, ядерной, механической.
5. Удельное сопротивление полупроводников падает при нагревании, так как растет число свободных электронов за счет увеличения числа перебросов электронов (3) из валентной зоны (2) в зону проводимости (1) (рис. 1.1).
6. Ширина запрещенной зоны полупроводников лежит в пределах 0<φЗ<3 эВ.
7. В широком диапазоне значений электрические параметры полупроводников строго однозначны и предсказуемы благодаря высокой чистоте и совершенной, как правило, монокристаллической структуре.
1.2 Классификация.
По агрегатному состоянию полупроводниковые материалы используются в твердом виде. По структуре бывают монокристаллические, поликристаллические и аморфные. По химическому составу полупроводниковые материалы делятся на простые и сложные, а также органические и неорганические. Большее применение получили неорганические. Простые полупроводники состоят из одного химического элемента: кремний (Si), германий (Ge). Сложные - из нескольких химических элементов, это могут быть двойные и тройные соединения, например, арсенид галлия (GaAs), арсенид галлия – алюминия (GaAlxAs(1-x)), x – % содержание компонента.
В зависимости от типа проводимости полупроводники делятся на собственные, электронные и дырочные.
1.3. Параметры полупроводниковых материалов:
1. Ширина запрещенной зоны. (з, эВ) – энергия, которая необходима, чтобы вырвать электрон из связи. з – не является константой материала, т. к. меняется с ростом температуры. Поэтому в справочниках указывают температуру, при которой измерено з. Она является структурно не чувствительным параметром до тех пор, пока полупроводник не становится вырожденным. Она определяет и многие другие свойства полупроводниковых материалов, например верхнюю рабочую температуру полупроводниковых приборов. Чем больше з, тем больше эта верхняя рабочая температура полупроводникового материала. Значение верхних рабочих температур приведено в таблице 1.1
Таблица 1.1
-
з, эВ
T, C
ni, см-3
Ge
0,71
80
1013
Si
1,12
125
1010
GaAs
1,43
250
106
Ширина запрещенной зоны (з) определяет концентрацию собственных зарядов полупроводника (ni) и чем больше з, тем больше концентрация собственных зарядов. Соотношение з и ni приведено в таблице 1.1. Она так же определяет длину волны света, испускаемого полупроводником при излучательной рекомбинации, так называемую красную границу (кр) испускания. Значение кр определяется выражением:
Чем больше з, тем меньше кр. Значение кр определяет оптическую прозрачность полупроводника. Для кремния с з = 1,12 эВ красная граница лежит за пределами видимого спектра, фосфид индия имеет з = 0,6 эВ, поэтому кр находится в пределах видимого света, и он прозрачный материал жёлтого цвета.
2. ni-концентрация собственных носителей заряда (cм-3, м-3).
Значение ni указывается при строго определенной температуре, т. к. сильно зависит от нее. Эта зависимость носит экспоненциальный характер и определяется выражением:
Графическая зависимость изображается, как функция lnni от 1/Т и представлена на рис.1.2