1.4.1. Соединения группы а2b6.

Это соединения цинка (Zn), кадмия (Cd), ртути (Hg) с серой (S), селеном (S) и теллуром (Te). Соединения называются сульфиды, селениды и теллуриды, есть общее название - халькогениды.

Параметр	CdS	CdSe	CdTe
Tпл, K	1748	1523	1313
З, эВ	2,4	1,8	1,5
n,	200	200	600
p,	20	—	50

В этих соединениях связь ионно-ковалентная с увеличением доли ионной связи по сравнению с предыдущими соединениями А³В⁵.

В пределах каждой группы закономерности изменения параметров такие же как в соединении А³В⁵. Все соединения, разлагающиеся при повышенных температурах. Многие имеют проводимость одного типа, независимо от способов соединения и легирования. Наибольшее применение получили в качестве люминофоров и фоторезисторов. Узкозонные полупроводники этой группы применяются в качестве приёмников ИК излучения. Синтез этих соединений идет по реакции обменного разложения в водной среде. К халькогенидам относят также соединения свинца (Pb) с: Сs, Se, Te. В этих соединениях преобладает ионная связь. Проводимость этих соединений зависит от стехиометрического состава, а также от примесей. Избыток Pb, а также элементы 3-й и 7-й групп создают проводимость n-типа. Избыток халькогена, а также атомов 1-й группы создаёт проводимость р-типа. Особенностью этих полупроводников является увеличение ширины запрещенной зоны с ростом температуры.

Параметр	PbS	PbSe	PbTe
Tпл, K	1383	1338	1177
З, эВ	0,6	0,55	0,6
n,	600	900	300
p,	400	500	300

Применяют как детекторы ИК излучения, производства фоторезисторов, для изготовления термоэлектронных генераторов. При низких температурах возможна излучательная рекомбинация, поэтому применяют для производства инжекционных лазеров

1.4.2. Соединения группы а4в4.

SiC - имеет только ковалентную связь. Отличается высокой твёрдостью (твёрже алмаза). Имеет высокую химическую стойкость. Имеется более 100 политипов соединения карбидов кремния. _З=2,39÷3,34эВ. Приборы на основе SiC работают до t=500С. Поликристаллический SiC получают из чистого кварцевого песка в электрических печах в атмосфере углерода. Монокристаллический SiC получают методом сублимации. Чистые кристаллы SiC бесцветны. Нарушение состава, а также примеси меняют цвет соединения. Применяются в производстве варисторов и прецизионных светодиодов.

1.4.3. Окисные полупроводники.

Окислы ряда металлов Fe, Zn, Cu, Mn способны образовывать твёрдые растворы окислов, которые рассматриваются как нестехиометрические полупроводники. С одной стороны, они являются ионными кристаллами, а с другой – имеют электронную проводимость. Однако, подвижность свободных зарядов в них низкая. Большая часть окислов идет в производство магнитных материалов ферритов, где используется их главное достоинство – высокое удельное сопротивление. Сu₂O – закись меди. Получают окислением медных пластин в электрических печах. _З у Cu₂O 1,5эВ. Имеют только р-проводимость, с очень низкой μ_P=8∙10^-3м²/(В∙с)