- •Оглавление.
- •Лабораторная работа №1 Исследование выпрямительного диода и стабилитрона
- •Приборы, макеты, программы
- •Теоретические сведения.
- •Вольтамперная характеристика р–п перехода.
- •4.Порядок выполнения работы
- •4.1.Исследование выпрямительного диода
- •4.1.2. Моделирование
- •4.1.3.Проверка правильности расчетов и установления различий в свойствах пд по постоянному и переменному токам
- •5.Провести расчёты ошибок измерений исследованных параметров и занести их в пронумерованную таблицу
- •6. Выводы.
- •7.Контрольные тесты.
- •Цель работы.
- •3.Теоретические основы.
- •А) с общей базой;б) с общим эмиттером;в) с общим коллектором.
- •Усиление электрических сигналов с помощью биполярного транзистора..
- •Параметры транзистора.
- •Общая характеристика схем включения транзисторов p-n-p типа.
- •4.Порядок выполнения работы
- •4.2. Выводы. Исследование полевых транзисторов.
- •3.Теоретические сведения.
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •Полевой транзистор со встроенным каналом (мдп- транзистор).
- •Транзистор с индуцированный каналом (моп- транзистор).
- •Транзистор с затвором Шотки.
- •3 .Моделирование
- •4.Выводы.
- •5.Контрольные тесты.
- •Лабораторная работа № 3 исследование усилителя напряжения
- •Приборы, макеты, программы
- •Коэффициент усиления.
- •8.Построить амплитудно-частотную характеристику(ахч).
- •4.Краткие выводы
- •5.Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 4. Исследование операционных усилителей.
- •1.Цель работы
- •2.Приборы, макеты, программы
- •3.Теоретические сведения
- •И его амплитудная характеристики (б).
- •Порядок выполнения работы
- •С пятью выводами и отрицательной обратной связью.
- •Р ис.7. Электрическая схема усиления напряжения
- •С отрицательной обратной связью.
- •Выводы.
- •Контрольные тесты.
- •Лабораторная работа №5. Исследование выпрямительных схем
- •Цель работы
- •Теоретические основы
- •Порядок выполнения работы.
- •6.Контрольные тесты.
- •Лабораторная работа № 6. Исследование мультивибратора
- •Цель работы
- •Приборы, макеты, программы
- •Теоретические основы
- •4.Порядок выполнения работы
- •5.Моделирование .
- •6. Выводы
- •7.Контрольные тесты.
- •Лабораторная работа № 7. Исследование триггера
- •1.Цель работы
- •2.Приборы, макеты, программы:
- •3.Теоретические сведения
- •Основные параметры триггера
- •Триггеры на дискретных элементах
- •Схемы запуска триггера
- •4. Порядок выполнения работы
- •5.Моделирование.
- •6. Выводы.
- •7.Контрольные тесты.
- •Лабораторная работа № 8.
- •1.Цель работы.
- •2.Приборы, макеты, программы
- •3.Теоретические основы. Основные логические элементы.
- •Логические элементы в дискретном исполнении
- •4 .Порядок выполнение работы
- •4.2. Моделирование
- •5.Выводы.
- •6.Контрольные тесты.
- •Дополнительная лабораторная работа № 9 «исследование дифференцирующих и интегрирующих цепей»
- •Москва 2012
- •Цель работы
- •Приборы, макеты, программы
- •3.Теоретические основы
- •3.1Прохождение прямоугольного импульса через rc- цепь.
- •3.2Прохождение прямоугольного импульса через rl-цепь
- •3.4.Дифференцирующая rl-цепь
- •3.5.Интегрирующи цепи(фнч) (фильтр высоких частот)
- •4.Варианты
- •5.Выводы
- •6.Контрольные вопросы:
Полевые транзисторы с изолированным затвором.
Полевые транзисторы с изолированным затвором имеют исток и сток в виде сильно легированных областей полупроводника. Оба вида полевых транзисторов (МДП и МОП) могут быть сконструированы с каналами p-типа и n-типа. Встроенный канал создается при изготовлении полевого транзистора, а индуцированный канал при работе полевого транзистора наводится под влиянием поля, которое приложено к затвору.
Полевой транзистор со встроенным каналом (мдп- транзистор).
Такие МДП-транзисторы имеют канал, обогащенный носителями зарядов. Основу МДП транзистора со встроенным каналом составляет мало насыщенная примесью пластина полупроводника с электропроводимостью p-типа или n-типа (рис. 6)
Рис.6. Структурная схема полевого транзистора со встроенным каналом n-типа.(тонкий слой полупроводника n-типа)
Если на затвор полевого транзистора со встроенным каналом n-типа подавать отрицательное напряжение (Uзи), то электроны выталкиваются из области канала в подложку, а канал обедняется носителями и ток Iс уменьшается. Когда подается на затвор полевого транзистора положительное напряжение, электроны втягиваются из подложки в канал и ток Ic через канал увеличивается. Следовательно МДП-транзистор может управляться положительным и отрицательным напряжением. Условное графическое изображение полевых транзисторов со встроенным каналом показана на рис. 7 (О-основание или подложка)
Рис. 7. Условное графическое изображение МДП транзисторов со встроенным каналом n-типа (а), p-типа (б)
Схема выключения МДП-транзисторов показана на рисунке 8 (а,б,в):
Рис. 8. Схемы включения МДП-транзисторов с ОИ (а), с ОС(б), с ОЗ(в).
Статические характеристики МДП-транзисторов показаны на рисунке 9 (а, б).
Рис. 9. Статические характеристики МДП-транзисторов со встроенным p-каналом. Выходные или стоковые (а), стокозатворная (б).
Транзистор с индуцированный каналом (моп- транзистор).
МОП-транзисторы могут быть выполнены с индуцированным каналом n-типа и p-типа. Транзистор (например n-типа) устроен так, что при отсутствии напряжения на затворе канал закрывается (рис. 10), в связи с тем, что n-области истока и стока образуют с О-основанием два p-n перехода, которые включены навстречу друг другу и при любой полярности напряжения СИ один из переходов заперт.
Рис. 10. Структурная схема полевого транзистора с индуцированным n-каналом.
В том случае, если на затвор подать положительное напряжение больше порогового Uзи >Uзи (пороговые), то создается канал n-типа, соединяющий исток и сток. МОП-транзисторы с индуцированным каналом p-типа имеют принцип работы такой же как n-типа, но полярность напряжений у них противоположна МОП транзисторам n-типа. Условное графическое изображение полевых транзисторов с индуцированным каналом показано на рис. 11.
Рис. 11. Условное графическое изображение МОП-транзисторов с индуцированным каналом n-типа (а), p-типа (б).
Следует заметить, что МОП-транзисторы можно включать по схеме с ОЗ, ОИ, ОС. На практике чаще используются схемы полевых транзисторов с ОИ, что дает возможность получить большие коэффициенты по напряжению, току и мощности.
Входные и выходные характеристики МОП-транзисторов показаны на рис. 12 (а, б)
Рис. 12. Статические характеристики МОП-транзистора: стокозатворные (а) и выходные (б).