- •Г Этот вариант пособия не редактируется, не архивируется, и сделано это специально… лава 1. Термопреобразователи
- •1.1. Термопреобразователи
- •1.2. Температурная зависимость удельного сопротивления
- •1.3. Контактные явления в температурных преобразователях
- •Эффект пельтье
- •1.5. Полупроводниковы терморезистор
- •1.6. Материалы для термоэлементов. Основные свойства и применение элементов зеебека и пельтье в технике
- •Глава 2. Гальваномагнитные эффекты
- •2.1. Эффект холла
- •2.2. Использование эффекта холла для
- •2.3. Магниторезитивный эффект
- •2.4. Магниторезитивный датчики
- •Глава 3. Фотоэффекты в твердых телах
- •3.1. Поглощение света полупроводниками
- •3.2. Внутренний фотоэффект
- •3.3. Фотоэффект в p-n переходе
- •Глава 4. Эффекты в слабосвязанных сверхпроводниках
- •4.1. Сверхроводимость
- •4.2. Куперовские пары
- •4.2. Слабосвязанные сверхпроводники
- •4.3. Туннелирование сп электронов в магнитном поле. Макроскопическая квантовая интерференция
- •Глава 5. Физические основы процессов и явлений, лежащие в основе методов получения информации о структурных характеристиках материалов
- •5.1. Классификация твердых тел
- •5.2. Структурная характеризация твердых тел
- •5.3. Оптические методы получения информации
- •5.4. Электронномикроскопические методы
- •5.5. Дифракционные методы исследования
- •5.6. Методы получения информации, в основе которых лежит явление фотоэлектрического поглощения
5.2. Структурная характеризация твердых тел
Под характеризацией в целом понимают получение информации о тех особенностях состава и структурного состояния материала, которые являются важными для каждого отдельного приготовления, изучения свойств или использования и достаточны для воспроизводства материала [4].
Методы получения информации о структурном состоянии твердых тел можно разбить на следующие основные группы:
Оптические.
Электронно-микроскопические.
Дифракционные.
Спектроскопические, в том числе резонансные.
Таблица 5. 1.
Структурная характеризация твердых тел [4]
Детали структуры |
Методы получения информации |
1. Морфология, иден-тификация фаз, природа аморфного и кристаллического состояния, сингония, пространственная группа симметрии, координаты атомов. |
Рентгеновская, электронная, нейтронная дифракция; электронная микроскопия, протяженная (EXAFS, или ТСРП) и ближняя (XANES) тонкая структура рентгеновского поглощения. |
2. Симметрия положения |
Спектроскопия |
3.Степень совершенства кристаллов |
Микроскопия, рентгеновская дифракция и рентгеновская топография. |
4. Амплитуды тепловых колебаний, частоты тепловых колебаний, частотные спектры, характеристическая температура. |
Рентгеновская и нейтронная дифракция, мессбауэровская спектроскопия. |
5. Фазовые переходы |
Дифференциальный термический анализ (ДТА), рассеяние света и различные методы спектроскопии, дифракционные методы, измерения физических свойств, изменяющихся при переходе: электропроводность, тепловое расширение и т.д. |
6. Зонная и электронная структура |
Фотоэлектронная спектроскопия, Оже-элек-тронная спектроскопия и спектроскопия потерь электронной энергии. Построение распределения электронной плотности методом рентгеновской дифракции и спиновой плотности методом дифракции нейтронов. |
7. Дефекты и упорядочение. |
Термогравиметрия, трансмиссионная электронная микроскопия, рентгеновская и нейтронная дифракция, электронный парамагнитный резонанс (ЭПР), рентгеновская и оптическая микроскопия. |
8. Магнитное упорядочение и спиновая конфигурация |
Магнитная восприимчивость, дифракция нейтронов, мессбауэровская спектроскопия. |
9. Химическое окружение ядра. |
Различные методы спектроскопии, особенно ядерный магнитный резонанс (ЯМР) высокого разрешения, мессбауэровская спектроскопия, электронная спектроскопия, EXAFS, XANES. |
10. Степень окисления металлов |
Редокс-титрование, фотоэлектронная и Оже спектроскопия. |
5.3. Оптические методы получения информации
Оптические методы - это методы исследования вещества под оптическим микроскопом.
Оптическими методами определяют показатели преломления, твердость и степень дефектности материалов (в частности плотность дислокаций), изучают фазовый состав и морфологические особенности структуры, например, определяют размеры и форму зерен и включений.
Твердые тела непрозрачны для световых лучей, и поэтому их исследования проводятся в отраженном свете. Оптические методы основаны на явлении отражения света зеркально отполированной и химически протравленной поверхностью образца.
На рис. 5.2 представлена упрощенная схема получения изображения в металлографическом микроскопе [5].
Отшлифованный до зеркальной поверхности и протравленный специальными реактивами образец (шлиф) помещается перпендикулярно оптической оси микроскопа. Он освещается почти параллельным пучком света, создаваемым конденсорной линзой, полупрозрачным зеркалом и линзой объектива. Отраженный поверхностью образца свет попадает в объектив и фокусируется линзой объектива в фокальной плоскости линзы окуляра (плоскость первого изображения). Конечное изображение образца создается окуляром. В объектив попадает свет, отраженный элементами образца, приблизительно перпендикулярными оптической оси микроскопа. Лучи, отраженные элементами, расположенными наклонно к оптической оси микроскопа, не попадут в объектив. В результате на конечном изображении образца, создаваемом окуляром, все элементы, нормальные оптической оси микроскопа, будут светлыми, а все наклоненные – темными.
Рис. 5. 2. Схема получения изображения объекта в металлографическом микроскопе
Для выявления таких областей поверхность шлифа обрабатывается специальными химическими реактивами (травителями), которые по-разному реагируют с различными структурными составляющими образцов.
Так, фазовый анализ, разработанный для изучения состава сталей и чугунов, основан на том, что различные по химическому составу компоненты (фазы) по-разному протравливаются [6].
Изучение морфологических особенностей – размеров и формы зерен в поликристаллах – возможно потому, что границы зерен вытравливаются в канавки, стенки которых расположены наклонно к оптической оси микроскопа.
Степень дефектности материалов оценивается по величине плотности дислокаций, представляющих собой линейные дефекты структуры кристалла [2]. Плотность дислокаций рассчитывается как число ямок, образующихся при обработке поверхности шлифа специальными химическими реактивами, на см2. Контроль за величиной плотности дислокаций очень важен в современной технологии изготовления приборов твердотельной микроэлектроники: в ряде случаев необходимо выращивать практически бездислокационные кристаллы. Кроме того, симметрия ямок травления дает информацию о симметрии кристалла и ориентации зерен поликристалла.
В сегнетоэлектрических материалах оптические методы позволяют выявить сегнетоэлектрические домены, поскольку скорость их травления зависит от ориентации вектора поляризации относительно поверхности кристалла.
В ферромагнетиках домены выявляются путем нанесения на поверхность магнитного вещества.
Разрешающая способность микроскопа связана с длиной волны используемого излучения. Эффективная длина волны обычного белого света, используемого в оптической микроскопии, порядка 550 нм, что обеспечивает разрешение 220 нм.
Увеличить разрешение можно, уменьшив длину волны, однако использование электромагнитного излучения рентгеновского диапазона с длинами волн 0.5 – 5 нм в схеме обычной оптической микроскопии невозможно вследствие невозможности изготовления фокусирующих линз. Тем не менее, уже в 1947 г. впервые были получены изображения на плоских и вогнутых зеркалах, и зеркальная рентгеновская оптика скользящего падения начала интенсивно развиваться [7].