Вопрос1

Основные этапы развития полупроводниковой электроники

Развитие серийного производства интегральных микросхем шло ступенями: 1960 – 1969гг. – интегральные схемы малой степени интеграции, 10² транзисторов на кристалле размером 0,25 x 0,5 мм (МИС). 1969 – 1975гг. – интегральные схемы средней степени интеграций, 10³ транзисторов на кристалле (СИС). 1975 – 1980гг. – интегральные схемы с большой степенью интеграции, 10⁴ транзисторов на кристалле (БИС). 1980 – 1985гг. – интегральные микросхемы со сверхбольшой степенью интеграции, 10⁵ транзисторов на кристалле (СБИС). С 1985г. – интегральные микросхемы с ультрабольшой степенью интеграции, 10⁷ и более транзисторов на кристалле (УБИС).

Вопрос 2

Дать определение интегральной схемы

Ис- совокупность макро и микрообъемных твёрдых тел имещих различный состав структуру и св-во и расположенных внутри твердого тела полупроводника на его поверхности, внутри и на поверхности и соединеные между собой таким образом что бы выполнить определенную схемную ф-цию.

Вопрос 3

Дать определение твердотельной интегральной схемы, совмещенной ИС, гибридной схемы, толстопленочной ИС.

Твердотельная ИС – совокупность макро и микрообъемных твёрдых тел имещих различный состав структуру и св-во и расположенных внутри твердого тела полупроводника на его поверхности, внутри и на поверхности и соединеные между собой таким образом что бы выполнить определенную схемную ф-цию.

Совмещённая ИС – часть активных элементов сформировавшихся внутри тела проводника, а другая часть пасивных элементов сформирована на диэлектрике.

Гибритная ИС – выполненая на диэлектрических подложках на которых размещены отдельные полупроводники, транзисторы или диоды.

Толстопленочная ИС - Толстопленочными называются интегральные микросхемы с толщиной пленок 10—70 мкм, изготавливаемые методами трафаретной печати 

Вопрос 4

Разновидность элементарных полупроводниковых материалов и обосновать по каким параметрам их можно применять в тех или иных дискретных полупроводниковых приборах и интегральных схемах.

Вопрос 5.

Индексы Миллера

Индексы Миллера – индексы h,k,l представляют собой величины обратные отрезкам осекаемыми плоскость на осях кристаллической решётки.

Их используют для определения положения атомной плоскости в кристалле. Грани кристалла имеют индексы (100), (010), (001). Выбор осей координат производят по особым правилам в соответствии с симметрией кристаллов – их свойством. Атомную плоскость в системе координат, построенной на осях a, b и с, идентифицируют с помощью индексов Миллера. Если в (h k l) есть 0, то плоскость идет паралельно. {h k l} – совокупность плоскостей индексы которых могут быть составленны из величин hkl

Вопрос 6.

Кристаллы и кристаллическая решетка материалов

Кристаллы – твёрдые тела с 3-хмерной периодической атомной структурой (кристаллической решёткой), имеющие при равновесных условиях образования форму правильных симметричных многогранников.

Кристаллическая решетка – регулярное расположение в кристаллах частиц (атомов, ионов, молекул), характеризующееся периодической повторяемостью в трех измерениях. Строение кристаллов характеризуется элементарной ячейкой – минимальным объёмом кристаллической решётки, путём трансляции которой можно построить всю кристаллическую решётку.

Типы кристаллических решёток:

1) кубическая: a = b = c, α = β = γ = 90˚;

2) тетрагональная: a = b ≠ c, α = β = γ = 90˚;

3) ромбическая: a ≠ b ≠ c, α = β = γ = 90˚;

4) гексагональная: a = b ≠ c, α = β = 90˚, γ = 120˚;

5) ромбоэдрическая: a = b = c, α = β = γ ≠ 90˚;

6) моноклинная: a ≠ b ≠ c, α = β = 90˚, γ ≠ 90˚;

7) триклинная: a ≠ b ≠ c, α ≠ β ≠ γ ≠ 90˚.