Температуры
График представляет собой прямую, по наклону которой можно определить термодинамическую работу выхода Xо. Экстраполируя эту прямую до пересечения с осью ординат, можно найти постоянную Ричардсона А.
Эффект Шоттки. Ускоряющее поле у эмиттирующей поверхности, действуя на электрон, уменьшает потенциальную энергию электрона.
Из рис. 8.8, б видно, что ускоряющее поле понижает потенциальный барьер.
Рис. 8.8. Влияние внешнего поля на высоту и форму
Потенциального барьера при эффекте Шоттки
Понижение потенциального барьера под действием внешнего поля называется эффектом Шоттки.
Внешнее ускоряющее поле вызывает не только понижение потенциального барьера, но и уменьшение его толщины d (рис. 8.8, б), что делает такой барьер прозрачным для туннельного просачивания электронов.
Контактная разность потенциалов
При сближении и контакте двух электронных проводников энергетические схемы которых показаны на рис. 8.9, а. Приведем проводники в контакт, сблизив их до такого расстояния, при котором возможен обмен электронами. Контактной разностью потенциалов определяется разностью работ выхода электронов из контактирующих проводников.
Контактная разность потенциалов может играть большую роль в работе полупроводниковых приборов. Контактные явления лежат также в основе работы многих полупроводниковых и других твердотельных приборов и устройств.
Электронно-дырочный переход. Методы получения р-п-перехода
Прогресс в развитии полупроводниковой электроники связан с использованием контакта двух примесных полупроводников с различным типом проводимости. Такой контакт получил название электронно-дырочного перехода или р—п-перехода.
Рассмотрим кратко основные методы получения р—n-переходов.
Метод вытягивания. Сущность метода состоит в том, что при вытягивании монокристалла из расплава (при изготовлении полупроводникового монокристалла) в него вводят сначала примесь, сообщающую ему n-, а затем р-проводимость. Между двумя такими частями монокристалла образуется р—n-переход.
Диффузионный метод. Электронно-дырочный переход может быть получен также диффузией акцепторной примеси в донорный полупроводник. Глубина залегания р—n-перехода определяется температурой и временем проведения диффузии. Переходом служит граница, отделяющая области с различным типом проводимости.
Эпитаксиальный метод. Он состоит в осаждении на пластину, например кремния n-типа, монокристаллической пленки кремния р-типа. На границе этой пленки и пластины образуется р—л-переход.
Метод ионного легирования. Сущность метода состоит в том, что поверхностный слой полупроводника данного типа проводимости с помощью ионного пучка легируется примесью, сообщающей этому слою проводимость противоположного знака.