- •Физические основы микроэлектроники
- •Глава 1. Структура и физико-механические свойства твердых тел
- •1.1. Кристаллизация
- •Структура идеальных кристаллов
- •Обозначение узлов, направлений и плоскостей в кристалле.
- •Жидкие кристаллы
- •Молекул в кристаллической (а), жидкокристаллической (нематической) (б) и жидкой (в) фазах
- •И смектической (б) фазах
- •Типы межатомной связи и классификация твердых тел
- •Кристаллов с ковалентной связью: а — элементы группы ivb;
- •Дефекты реальных кристаллов
- •Внедрения (а) и замещения (б)
- •Диффузия в твердых телах
- •Два соседних узла решетки, один из которых занят атомом а, другой вакансией в
- •Распределение примеси в частных случаях диффузионного процесса
- •1. Диффузия из источника с постоянной поверхностной концентрацией.
- •2. Диффузия из тонкого слоя с фиксированным количеством примеси.
- •Температурная зависимость коэффициента диффузии.
- •Поверхностная диффузия.
- •Деформационные свойства кристаллических тел
- •Рекристаллизация
- •Дислокации
- •Перпендикулярной линии дислокации
- •Явления упрочнения
- •Физические свойства пленок и покрытий
- •Адгезия пленок и покрытий
- •Формирование адгезионной связи.
- •1. Пластичные металлы в месте соприкосновения подвергаются сильной пластической деформации (рис. 2.12), при которой полностью сминаются все неровности. Так осуществляется холодная сварка.
- •Тела жидкостью
- •Функции распределения невырожденного и вырожденного газов
- •Ферми — Дирака для вырожденного газа при абсолютном нуле.
- •Влияние температуры на распределение ферми — дирака.
- •Тепловые свойства твердых тел. Понятие о нормальных колебаниях решетки
- •Элементы зонной теории твердых тел зонный характер энергетического спектра кристаллов
- •Образование энергетических зон.
- •Эффективная масса электрона
- •Заполнение зон электронами; деление на проводники, диэлектрики и полупроводники
- •Собственные полупроводники
- •Примесные уровни в полупроводниках
- •Статистика носителей заряда в полупроводниках.
- •Положение уровня ферми и концентрация свободных носителей заряда в собственных и примесных полупроводниках
- •Основные и неосновные носители.
- •Неравновесные носители
- •Электропроводность твердых тел
- •Электропроводность металлов и сплавов
- •Электропроводность металлических сплавов.
- •Эффекты сильного поля
- •Явление сверхпроводимости
- •Температуры
- •Потенциального барьера при эффекте Шоттки
- •Контактная разность потенциалов
- •Электронно-дырочный переход. Методы получения р-п-перехода
Ферми — Дирака для вырожденного газа при абсолютном нуле.
График функции распределения Ферми — Дирака для вырожденного газа при абсолютном нуле имеет вид ступеньки, обрывающейся при Е = μ.
При абсолютном нуле все состояния с энергией Е < μ заняты электронами, состояния с энергией Е > μ свободны.
При Т = 0 К вероятность заполнения электронами состояний с энергией Е < μ равна единице, вероятность заполнения состояний с энергией Е> μ равна нулю.
Влияние температуры на распределение ферми — дирака.
Рис. 3.16. Тепловое возбуждение электронов (а); график функции распределения Ферма—Дирака при Т>0 К (б) для вырожденного газа (для металла)
С повышением температуры электроны узкой полосы, непосредственно примыкающей к уровню Ферми (рис. 3.16, а), переходят на более высокие энергетические уровни.
На рис.3.16,б показана кривая распределения электронов по состояниям при Т > 0 К. Повышение температуры вызывает появление линии распределения АВ.
Функция распределения Ферми-Дирака для вырожденного газа имеет вид:
.
Функция распределения для невырожденного газа. Функция распределения f(E) для невырожденного газа имеет следующий вид:
(3.88)
где k — постоянная Больцмана;
μ — химический потенциал.
На рис. 3.13, а показан график этой функции. Она имеет максимальное значение при E = 0 и асимптотически снижается с увеличением Е. Это означает, что наибольшую вероятность заполнения имеют состояния с низкими энергиями; по мере повышения энергии состояний вероятность их заполнения резко падает.
Рис. 3.13. Функции распределения для невырожденного газа: а — средняя степень заполнения состояний частицами;
Функции распределения для невырожденного газа называют функциями Максвелла — Больцмана.
Функция распределения применяется также для вырожденного газа бозонов (фотонов, фононов). Функция была впервые получена Бозе и Эйнштейном и имеет следующий вид:
(3.105)
Тепловые свойства твердых тел. Понятие о нормальных колебаниях решетки
Атомы твердых тел совершают сложные тепловые колебания около положений равновесия.
Квант энергии тепловых колебании решетки называется фононом.
С точки зрения квантовой теории равновесное тепловое излучение рассматривается как газ, образованный квантами света — фотонами, обладающими энергией Е = hv = ħω.
Кристаллическая решетка может колебаться с различными частотами ω, энергии фононов в кристалле ħω различны.
Элементы зонной теории твердых тел зонный характер энергетического спектра кристаллов
В свободных атомах электроны располагаются на энергетических уровнях, образующих дискретный спектр (рис. 5.1).
На рис. 5.1,а схематически по казан энергетический спектр атомов, отстоящих на расстоянии r >> а, где а — параметр решетки кристалла.
Рис.5.1. Изменение состояния электронов при сближении атомов: а — энергетическая схема атомов удаленных на расстояние, значительно превышающее параметр решетки, б — энергетическая схема атомов натрия сближенных до расстояния равного параметру решетки
В кристалле расстояния между атомами оказываются настолько малыми, что каждый из атомов взаимодействует с соседним. По мере сближения атомов взаимодействие между ними растет. На рис. 5.1, б показана картина, отвечающая такому сближению. Потенциальные кривые (на рис. 5.1, б), частично налагаются друг на друга и дают результирующую кривую ABCDE. Волновые функции электронов соседних атомов перекрываются, образуя электронное облако. Электроны принадлежат кристаллу в целом, т. е. они коллективизированы в кристалле.