- •7. Стабилизация, хранение, и транспортировка проб для анализа.
- •8. Особенности хранения биологических проб.
- •9. Отбор проб объектов загрязн.Среды. Отбор проб воды.
- •10. Пробы из рек и водных потоков.
- •11. Пробы из природных и искусственных озер.
- •12. Пробы влажных осадков (снега, дождя)
- •13. Пробы грунтовых вод.
- •14. Пробы воды из водопроводных сетей.
- •15. Методические приемы комплексной оценки состояния воды. Расчет индекса загряз.Воды.
- •16. Аппаратура для отбора проб воздуха. Технические и технологические проблемы экологического мониторинга
- •18. Подготовка проб к анализу в лаборатории
- •19. Концентрирование микропримесей. Выпаривание. Отгонка микрокомпонента. Соосаждение. Экстракция.
- •Отбор проб в жидкие среды.
- •21. Отбор проб на твердые сорбенты.
- •Описание методики Отбор проб
- •23. Хемосорбция.
- •24. Отбор проб в контейнеры.
- •25. Концентрирование на фильтрах.
- •Метод пробоподготовки (минерализация) сухое и мокрое озоление. Преимущества и недостатки.
- •Физико-химические методы в контроле загрязнения окружающей среды. Основные приборы и устройства для проведения анализов.
- •Экологическое нормирование. Критерии оценки качества окружающей природной среды. Нормы оценки загрязнения атмосферного воздуха, поверхностных вод и почв.
- •Способы измерения pH. Стеклянный электрод.
- •Электрохимические методы анализа.
- •32.Вольтамперометрия.
- •33.Потенциометрический метод анализа
- •34.Потенциометрическое титрование
- •35.Кислотно-основное титрование
- •36.Комплексонометрическое титрование
- •37.Титрование по методу осаждения
- •38.Окислительно-восстановительное титрование
- •39.Газовый анализ. Виды газового анализа: механические, акустические, тепловые, магнитные, оптические, ионизационные, масс-спектрометрические,электрохимические, полупроводниковые.
- •40. Микроскопия. Методы микроскопии
- •41.Оптическая микроскопия.
- •Металлографические микроскопы
- •Поляризационные микроскопы
- •Люминесцентные микроскопы
- •Измерительные микроскопы
- •42.Электронная микроскопия
- •43.Рентгеновская микроскопия
- •44.Трансмиссионная микроскопия.
- •45. Растровая (сканирующая) микроскопия.
- •46.Сканирующая микроскопия.
- •47. Физические методы в мониторинге (масспектрометрия, рентгеноспектральный анализ).
- •48. Использование методов хроматографии в экологическом мониторинге. Способы расчета концентрации загрязняющих веществ.
- •49. Фотоколориметрические методы анализа в экол. Мониторинге.
- •50. Атомно-абсорбционная спектроскопия в экологическом мониторинге.
- •51. Химические методы мониторинга.
- •Глобальные и региональные прогнозы состояния природной среды. Прогноз загрязнения природных вод, почв. Прогноз качества водных ресурсов.
- •Мониторинг за состоянием окружающей среды в местах хранения (накопления) отходов.
- •Критерии отнесения опасных отходов к классу опасности для окружающей природной среды.
- •55.Составление мероприятий по снижению влияния образующихся отходов на состояние окружающей среды.
- •56.Глобальные и региональные прогнозы состояния природной среды. Прогноз загрязнения атмосферы.
45. Растровая (сканирующая) микроскопия.
В растровых электронных микроскопах электронный луч, сжатый магнитными линзами в тонкий (1-10 нм) зонд, сканирует поверхность образца, формируя на ней растр из нескольких тысяч параллельных линий. Возникающее при электронной бомбардировке поверхности вторичные излучения регистрируются различными детекторами и преобразуются в видеосигналы, модулирующие электронный луч в ЭЛТ. Развертки лучей в колонне РЭМ и в ЭЛТ синхронны, поэтому на экране ЭЛТ появляется изображение, представляющее собой картину распределения интенсивности одного из вторичных излучений по сканируемой площади объекта.
Выбор регистрируемого вторичного излучения обусловлен задачей исследования. Основной режим работы РЭМ – регистрация вторичных электронов (ВЭ). Поскольку интенсивность эмиссии ВЭ сильно зависит от угла падения электронного луча на поверхность, получаемое изображение весьма близко к обычному макроскопическому изображению рельефа объекта, освещаемого со всех сторон рассеянным светом; иначе говоря, формируется топографический контраст. Эмиссия ВЭ отличается наибольшей интенсивностью по сравнению с другими вторичными излучениями. Кроме того, в этом режиме достигается макс. разрешение.
При исследовании неоднородных по составу поверхностей на топографическое изображение ВЭ накладывается дополнительное распределение яркостей, зависящее от среднего атомного номера Z вещества образца на каждом микроучастке (так называемый композиционный, или Z-контраст), который проявляется сильнее, если регистрировать не вторичные, а упругорассеянные электроны. Этот режим применяют при исследовании шлифов металлических сплавов минералов, композиционных материалов и других объектов, когда топографический контраст отсутствует и нужно установить композиционную неоднородность поверхности.
Тонкопленочные образцы (до 1 мкм) просвечиваются электронным лучом насквозь и прошедшие электроны регистрируются детектором, расположенным под объектом. Изображения, получаемые в этом режиме, иногда более информативны, чем обычные ТЭМ-изображения, т.к. свободны от хроматической аберрации.
В технических исследованиях используется также регистрация поглощенных электронов в сочетании с приложением рабочих напряжений к изучаемому транзистору или интегральной схеме. Это позволяет получать изображение, отвечающее распределению электрических потенциалов, и таким образом выявлять микродефекты в элементах схемы. При этом можно прерывать первичный электронный луч с высокой частотой и визуализировать прохождение по схеме высокочастотных сигналов.
С помощью соответствующих детекторных систем и спектрометров в РЭМ можно регистрировать электромагнитные излучения: катодолюминесценцию, тормозное и характеристические рентгеновские излучения, а также оже-электроны. Получаемые при этом изображения и спектры дают количеств, информацию о локальном элементном составе поверхностных слоев образца и широко применяются в материаловедении.
Для изучения структуры поверхности посредством РЭМ к образцу предъявляется ряд требований. Прежде всего, его поверхность должна быть электропроводящей, чтобы исключить помехи за счет накопления поверхностного заряда при сканировании. Кроме того, нужно всемерно повышать отношение сигнал/шум, которое наряду с параметрами оптической системы определяет разрешение. Поэтому перед исследованием на диэлектрические поверхности путем вакуумного испарения или ионного распыления наносят тонкую (15-20 нм) однородную пленку металла с высоким коэффициентом вторичной электронной эмиссии (Au, Au-Pd, Pt-Pd). Биологические объекты, содержащие, как правило, большое количество воды, перед нанесением покрытия необходимо зафиксировать специальной химической обработкой и высушить, сохранив естественный микрорельеф поверхности (сушка в критической точке с использованием сжиженных СО2 и N2O, хладонов или вакуумнокриогенными методами).
Разрешающая способность РЭМ определяется многими факторами, зависящими как от конструкции прибора, так и от природы исследуемого объекта. Если образец электро- и теплопроводен, однороден по составу и не обладает приповерхностной пористостью, в РЭМ с вольфрамовыми электродами достигается разрешение 5-7 нм, в РЭМ с электронными пушками на полевой эмиссии - 1,0-1,5 нм.