- •Исследование характеристик и параметров полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
- •1. Цель работы
- •2. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
- •2.1. Устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n переходом
- •2.2 Выходные характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом
- •2.3. Сток-затворные характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом
- •2.4. Влияние температуры на сток-затворную характеристику полевого транзистора с управляющим p-n переходом
- •2.5. Параметры полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
- •2.6. Эквивалентные схемы полевого транзистора с управляющим p-n переходом
- •3. Схема для экспериментальных исследований полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
- •4. Лабораторное задание
- •5. Обработка результатов измерения
- •6. Содержание отчета
- •7. Вопросы для подготовки
- •8. Список использованных источников
- •Кафедра «Радиоэлектроника информационных систем»
- •Отчет по лабораторной работе № 7
- •Полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа (маломощные)
- •Полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа (маломощные)
Полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа (маломощные)
Параметры |
КП 329А |
2П 333А |
2П 335А-2 |
2П 336Б-1 |
2П 340Б-1 |
2П 341А |
2П 364A |
Крутизна х-ки, mA/B (Uси, В; Uзи, В) |
3 (10; 0) |
4 (10; 0) |
4÷5,8 (15; 0) |
4 (10; 0) |
4 (10; 0) |
15 (5; 0) |
1÷4 (10; 0) |
Напряжение отсечки, В (Uси, В; Iс, мкА) |
1,5 (10;10) |
(1÷8) (10;10) |
(2÷8) (15;10) |
(1,56) (10; 0,01) |
(1,56) (10;10) |
3 (5;100) |
(0,5÷3) (10;10) |
Нач-ный ток стока, mА (Uси,В; Uзи,В) |
1 (10;0) |
|
8÷25 (15;0) |
5 |
|
20 (5;0) |
0,5÷2:5 (10;0) |
Ток утечки затвора, нА (Uси, В; Uзи, В) |
1 (0;-10) |
0,2 (0;-10) |
10 (0;-10) |
1 (0;-10) |
1
|
1 (0;-10) |
1 (0;-10) |
Коэффициент шума, 1 –дБ, 2 – нВ/Гц (Uси,В; Ic,mA;f, кГц) |
20 2 (10;-;1) |
20 2 (10;10; 0,75) |
1÷4 дБ (10;5; 400) |
20 2 (7;5;1)
|
20 2 (7;5;1)
|
2,8 дБ (5;45; 400) |
30 2 (0;-;-) |
Входная емкость, пФ (Uси, В; Ic, mA; f, МГц) |
6 (10;-;10) |
6 (10;-;-) |
2÷4 (15;-;-) |
6 (10;-; 10) |
6 (10;-; 10) |
5 (5;5;15) |
|
Проходная ем-ть, пФ (Uси, В; Ic, mA; f, МГц) |
- |
- |
0,5÷1 (15;-;-) |
|
|
1,0 (5;-;15) |
|
Сопрот. сток-исток, Ом (Uси, В; Uзи, В) |
1500 (0,5;0) |
- |
- |
150 (-; 0) |
- |
- |
|
Предельные эксплуатационные данные
|
|||||||
Постоянное напря-жение сток-исток, В |
50 |
50 |
20 |
25 |
25 |
15 |
25 |
Постоянное напря-жение затвор-сток, В |
50 |
50 |
25 |
30 |
30 |
15 |
30 |
Постоянное напря-жение затвор-исток, В |
45 |
45 |
25 |
30 |
30 |
10 |
30 |
Постоянный ток стока, mА |
- |
- |
25 |
- |
- |
- |
20 |
Постоянный ток затвора, mА |
- |
- |
- |
5 |
5 |
5 |
5 |
Постоянная рас-сеиваемая мощность, mВт (Т) |
250 |
250 |
100 |
60 |
60 |
150 |
200 |
Приложение3
Полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа (средней и большой мощности)
Параметры |
2П 601А9 |
2П 701А |
2П 702А |
КП 801А |
2П 802А |
2П 903А |
2П 914А |
|||||||
Крутизна характе-ристики, mA/B (Uси; Uзи, Ic, A) |
50 (10; 0;-) |
800÷2100 (30;-; 5) |
800÷ 2100
|
600 (15;-;3) |
800 (20;-;3,5) |
85÷140 (8;0;-) |
30 (10;0;-) |
|||||||
Напряжение отсечки, В (Uси, В; Iс, мА) |
4÷12 (10;0,01) |
-
|
- |
25 (50;30) |
25 (500;30) |
(5÷12) (5;0,01) |
(830) (10;0,01) |
|||||||
Начальный ток стока, А (Uси, В; Uзи, B) |
0,4 (10;0) |
5÷17 (30;-25) |
8÷16 (20;-; 20) |
- |
- |
0,7 (10;0) |
0,25 (50;0) |
|||||||
Ток утечки затвора, mkA (Uси, В; Uзи, В) |
10 (-;-;15) |
- |
- |
1000 (0;-35) |
30 (0;-35) |
0,1 (0;-15) |
0,1 (0;-8) |
|||||||
Коэффициент шума, 1 –дБ, 2 – нВ/Гц (Uси,В; Ic,mkA; f,кГц) |
2,6÷6 дБ (10;20; 400) |
- |
- |
- |
- |
5 2 (10;10; 0,1) |
6 дБ (40;20; 200) |
|||||||
Входная емкость, пФ (Uси, В;Ic, mA; f, МГц) |
- |
- |
150 (50;-;-) |
- |
- |
18 (20;20;-) |
10 (20;20;-) |
|||||||
Проходная емкость, пФ(Uси, В;Ic, mA; f, МГц) |
6 (10;-;-) |
17÷30 (30;-;10) |
7 (50;-;-) |
- |
- |
15 (20;20;-) |
2,2 (20;20;-) |
|||||||
Сопротивление сток-исток, Ом (Uси, В; Uзи, В) |
- |
1÷3,5 (-;20) |
0,52÷1 (-;20) |
22 (-;0) |
3 |
2÷10 (0,2;0) |
23÷50 (0,1;0) |
|||||||
Предельные эксплуатационные данные |
||||||||||||||
Постоянное напряжение сток-исток, В |
20 |
500 |
300 |
65 |
500 |
20 |
50 |
|||||||
Постоянное напряжение затвор-сток, В |
20 |
510 |
310 |
100 |
535 |
20 |
80 |
|||||||
Постоянное напряжение затвор-исток, В |
15 |
25 |
30 |
35 |
35 |
15 |
30 |
|||||||
Постоянный ток стока, А |
- |
- |
- |
5 |
2,5 |
0,7 |
0,1 |
|||||||
Постоянный ток затвора, mА |
5 |
- |
- |
- |
1 |
15 |
5 |
|||||||
Постоянная рассеиваемая мощность, Вт (Т) |
1 |
40 |
50 |
60 |
40 |
6 |
2,5 |
Приложение 4
Полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом р-типа
Параметры |
2П 101А |
2П 101В |
2П 101АД |
2П 201А |
2П 201Б |
2П 201Г |
Крутизна характеристики, mA/B (Uси, В; Uзи, В) |
0,3 (-5; 0) |
0,5 (-5;0) |
0,4 (-5;0) |
0,4÷1,8 (-10;0) |
0,7÷2,1 (-10;0) |
1,4÷3,5 (-10;0) |
Напряжение отсечки, В (Uси, В; Iс, мкА) |
5 (-5;1) |
8 (-5;1) |
6 (-5;1) |
0,4÷1,4 (-10;10) |
0,5÷2,2 (-10;10) |
1,4÷4 (-10;10) |
Начальный ток стока, mА (Uси, В; Uзи, В) |
0,3÷1 (-5;0) |
0,5÷5 (-5;0) |
0,3÷4 (-5;0) |
0,3÷0,65 (-10;0) |
0,55÷1,2 (-10;0) |
1,7÷3,8 (-10;0) |
Ток утечки затвора, нА (Uси, В; Uзи, В) |
10 (0;5) |
10 (0;5) |
2 (0;5) |
5 (0;5) |
5 (0;5) |
5 (0;5) |
Коэффициент шума, 1 –дБ, 2 – нВ/Гц (Uси, В; Ic, mA; f, кГц) |
5 дБ (-5;-;1) |
10 дБ (-5;-;1) |
7 дБ (-5;-;1) |
1 дБ (-5;-;1) |
1 дБ (-5;-;1) |
1 дБ (-5;-;1) |
Входная емкость, пФ (Uси, В; Ic, mA; f, МГц) |
12 (-5;-;-) |
12 (-5;-;-) |
10 (-5;-;-) |
17 (-10;-;-) |
17 (-10;-;-) |
17 (-10;-;-) |
Проходная емкость, пФ (Uси, В; Ic, mA; f, МГц) |
2,7 (-5;-;-) |
3 (-5;-;-) |
- (-5;-;-) |
8 (-10;-;-) |
8 (-10;-;-) |
8 (-10;-;-) |
Предельные эксплуатационные данные
|
||||||
Постоянное напряжение сток-исток, В |
10 |
10 |
10 |
10 |
10 |
10 |
Постоянное напряжение затвор-сток, В |
10 |
10 |
10 |
15 |
15 |
15 |
Постоянное напряжение затвор-исток, В |
10 |
10 |
10 |
15 |
15 |
15 |
Постоянный ток стока, mА |
2 |
- |
5 |
- |
- |
- |
Постоянный ток затвора, mА |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
Постоянная рассеиваемая мощность, mВт (Т) |
50 |
50 |
50 |
60 |
60 |
60 |
Исследование характеристик и параметров полЕВого транзистора с УПРАВЛЯЮщим P-N ПЕРЕХОДом
Составители Устыленко Наталья Степановна
Елфимов Вячеслав Ильич
Редактор Е.В. Денисюк
Компьютерный набор С.Ш. Юнусова
Подписано в печать Формат 60х84 1/16
Бумага типографская Офсетная печать Усл. печ. л.
Уч. – изд. л. Тираж 100 Заказ Цена “С”
Издательство ГОУ ВПО “УГТУ-УПИ”
620002, Екатеринбург, ул. Мира, 19