Лекции МГУ / EM10

						Рис. 10.18. ДП в облученном Ni
Рис						демонстрируют контраст ДУ.
	.	10.17.	Схема	формирования
контраста ДП. (а,б) междоузельные, (в,г)
вакансионные ДП. Внутренний контраст						Рис. 10.19. Призматические ДП в Zn,
– вращение по часовой стрелке, внешний						параллельные поверхности (0001).
контраст – вращение против часовой
стрелки.

Изображение в моде слабый-пучок темное-поле (WBDF)

Термин «микроскопия в слабых пучках» подразумевает формирование изображения как в DF, так и в BF. Темнопольная микроскопия получила более широкое распространение частично из-за того, что этот метод более понятен теоретически. WBDF с успехом используется для изображения дислокаций в виде узких линий с шириной ~ 1.5 нм. Позиция этих линий по отношению к дислокационному кору достаточно хорошо определена. Она не очень чувствительна к толщине фольги и к глубине расположения дислокации. В частности, WBDF очень полезен при исследовании диссоциированных дислокаций, где пары парциальных дислокаций могут быть на расстоянии только ~4 нм и это разделение все же сильно влияет на свойства материалов.

Метод состоит в выборе определенного g и перемещении его на оптическую ось,

Рис.10.20. а) Сфера Эвальда пересекает ряд регулярных рефлексов на расстоянии ng, где n не обязательно целое. б) Схема положений Кикучилиний при возбуждении 4g.

как при формировании обычного CDF (Л9), рис. 10.20. Затем образец наклоняется и

13

устанавливается достаточно большое sg и наблюдают DF с использованием этого g. Если дефект присутствует, то дифрагирующие плоскости могут изгибаться так, что условие Брэгга по-прежнему выполняется и эти участки плоскостей будут давать светлый контраст.

Проблема состоит в том, что по мере увеличения sg средняя интенсивность падает как 1/s², пятно в ДК становится слабым. При этом, взаимодействие прямого и дифрагированного пучков мало – выполняются условия, близкие к кинематическим.

На рис. 10.21 схематично поясняется метод возбуждения выбранного рефлекса. Простое геометрическое рассмотрение приводит к соотношению

n = 2m –N,

(10.27)

где ng расстояние в обратном пространстве от начала координат до точки пересечения с первой зоной Лауэ, mg – локализация Кикучи линии и N –ближайший рефлекс к Кикучи-линии. Величина s может быть определена из соотношения

s = (1/2)(n-1)|g|²λ.

(10.28)

На рис. 10.21 и 10.22 приведены примеры использования WBDF [2].

Рис.10.21. WBDF контуры толщины в отожженном MgO (А), (В,С) увеличенное изображение в выделенных участках

Рис.10.22. Сопоставление дислокационных контуров в сплаве на основе Cu. (А) – WBDF, (В) – сильный пучок с sg>0.

Дифракция в кристаллах с дефектами двойникования

Двойникование может происходить, например, при пластической деформации, рекристаллизации и фазовых превращениях. Двойники могут возникать в результате деформации сдвига, при которой все атомные положения по одну сторону границы(плоскости) двойникования связаны зеркальным отражением с атомными положениями по ее другую сторону. Иначе говоря, двойникование можно описать как поворот на 1800 вокруг оси двойникования. Плоскостями двойникования для гцк и оцк кристаллов являются {111} и {112}, соответственно.

14