6. Как влияет глубина залегания эмиттерного перехода на коэффициент передачи тока?
При увеличении глубины эмиттерного перехода уменьшается толщина базы (рис. 1). Электроны быстрее проходят базу, уменьшаются потери на рекомбинацию, это увеличивает коэффициент передачи. При уменьшении глубины залегания эмиттерного перехода уменьшается эффективность эмиттера; толщина базы увеличивается, и соответственно большая доля электронов рекомбинирует - коэффициент передачи уменьшается.
7. Чем отличаются вах в схемах об и оэ?
Основное различие входных ВАХ заключается в том, что в схеме с ОЭ входным током является базовый ток, в активном режиме он всегда меньше Iэ и Iк.
На выходных характеристиках в схеме ОЭ на выходе включены два p-n перехода – Э и К, ток режим насыщения целиком располагается в область положительных значений Uкэ, в то время как в схеме ОБ режим насыщения располагается в области отрицательных значениях Uбк. Это объясняется тем, что в режиме насыщения коллекторный переход смещен в прямом направлении. В схеме с ОЭ: Uкэ = Uкб - Uбэ > 0, так как в режиме насыщения Uкб > 0, Uбэ > 0.Оба перехода смещены в прямом направлении и Uкэ представляет собой разность напряжений на двух прямо смещенных n-p переходах, это напряжение близко к нулю.
В схеме ОБ на выходе включен только коллекторный переход. Ток коллектора обращается в нуль при прямом напряжении на коллекторе, примерно равном напряжению на эмиттере, рис. 3.
Рис. 3. Эквивалентная схема транзистора.
8. Почему ток коллектора не зависит от напряжения на коллекторе?
Электроны, инжектированные эмиттером
и прошедшие сквозь базу, не тормозятся
полем коллекторного перехода и
беспрепятственно уходят в коллектор.
Коллекторный ток почти полностью
обусловлен током эмиттера и изменения
обратного напряжения Uкб
слабо влияют на ток коллектора. Большие
обратные напряжения на коллекторе могут
вызвать ударную ионизацию и умножение
носителей заряда или уменьшить толщину
базы из-за расширения ОПЗ коллектора,
но это происходит уже при больших
напряжениях на коллекторе,
.
1. Преимущества полевых транзисторов перед биполярными.
1.Принцип действия: в биполярном транзисторе управление выходным током производится входным базовым или эмиттерным током, а в полевом транзисторе – входным напряжением на затворе.
2.Полевой транзистор имеет значительно большее входное сопротивление, чем биполярный. Это связано с обратным смещением p-n- перехода затвора на входе.
3.Полевой транзистор обладает низким уровнем шума (особенно на низких частотах), так как в полевых транзисторах не используется явление инжекции неосновных носителей заряда и канал полевого транзистора отделён от поверхности полупроводникового кристалла. Процессы рекомбинации в переходах и базе биполярного транзистора, а также генерационно-рекомбинационные процессы на поверхности полупроводника сопровождаются возникновением низкочастотных шумов.
2. Назначение областей в конструкции птуп.
подложка р-типа.
эпитаксиальный слой n-типа, канал транзистора.
электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал входят носители заряда, называют истоком (S-source).
Затвор (G-gate) выполнен диффузией акцепторов бора вэпитаксиальный слой n-канала.
электрод полевого транзистора, через который из канала выходят носители заряда называют стоком (D-drain).
проводящий канал n-типа. Области 4 и 6 образуют управляющий p-n-переход, который и управляет током стока.