8. От чего зависит положение границы крутой и пологой областей?

Граница крутой и пологой областей – это напряжение насыщения, т.е. напряжение сток-исток, при котором происходит перекрытие канала из-за увеличениятолщины ОПЗ

р-n-перехода затвора.

Толщина ОПЗ перехода затвора зависит как от напряжения на затворе так и от напряжением на стоке.С ростом отрицательного напряжения на затворе уменьшается значение напряжения насыщения, т.к. с ростом напряжения затвора растёт ОПЗ перехода, канал становится тоньше и, соответственно, достаточно меньшего напряжения на стоке для перекрытия канала. Например, прии, а при.

Моп транзистор с индуцированным каналом

Структура МОП транзистора

S–sourse– исток,D–drain– сток,

G–gate– затвор,B–bulk– подложка,

d– толщина подзатворного диэлектрика.

Объяснить выходные и передаточные характеристики моп транзисторов с n - и p - каналом.

(а) (б)

Передаточные ВАХ МОП транзистора:

p-канального (а), иn-канального (б)

Для того, чтобы открылся транзистор, на затвор необходимо подать такой потенциал относительно потенциала подзатворной области, чтобы на поверхности произошла инверсия проводимости. При этом под затвором индуцируется область с соответствующим типом проводимости, образуется канал, соединяющий области истока и стока, и в стоковой цепи начинает протекать ток. Напряжение затвора, при котором происходит инверсия проводимости подзатворной области и начинает протекать ток, называют пороговым . Полярность напряжений, подаваемых на электроды МДП с индуцированными n и p каналами при их работе в усилительном режиме противоположна. Дляn-канального транзистора на затвор подается плюс относительно истока, наp-канальный транзистор минус. За сток принимается тот электрод, к кoторому дрейфуют основные носители, т.е. вp- канальном транзисторе сток должен быть отрицательным относительно истока, а вn- канальном-положительным.

При увеличении положительного напряжения на затворе ток стокаn- канального транзистора возрастает, вp– канальном наоборот, ток растет с увеличением отрицательного напряжения затвора.

2. Что называется потенциалом инверсии на поверхности полупроводника?

Потенциалом инверсии на поверхности полупроводника φ_iназывается поверхностный потенциал, соответствующий переходу в режим сильной инверсии. Дляр– канального транзистора приповерхностная концентрация дырок становится равной равновесной концентрации электронов в глубине полупроводника или,что то же самое, концентрации доноров в подложке, дляn-канального - концентрация электронов на поверхности равна концентрации акцепторов в глубине подложки.

гдеNA– концентрация акцепторов в подложке,ni – собственная концентрация электронов в кремнии.дляp–канала определяется аналогично черезв подложке, но имеет отрицательный знак.