4. Что называется удельной крутизной моп транзистора?

Без учета влияния подложки передаточные ВАХ, рис.1 и 2, приблизительно описываются квадратичными зависимостями тока стока от напряжения на затворе , для р-канального транзистора то же самое, только знаки напряжений,и токаотрицательны.

Крутизной транзистора называется отношение приращений тока стока к вызвавшему его изменению напряжения на затворе:

Наклон зависимости крутизны от напряжения на затворе, величина

_{и есть удельная крутизна ,т. е. крутизна при}

_{Таким образом, удельная крутизна уже не зависит от напряжений на электродах и определяется только размерами транзистора B и L, толщиной диэлектрика под затвором d и подвижностью носителей в канале.}

5. Влияние подложки на вах транзистора.

Обычно МОП транзисторы работают без смещения подложки, т. е. исток транзистора соединяют с подложкой. Если же по каким-то причинам на исток попадает положительное напряжение , например при последоватнельном соединении транзисторов, тоp-n-переход исток-подложка будет работать как дополнительный затвор в виде обратно смещенногоp-n-перехода. Так называемый линейный коэффициент влияния подложки

показывает, во сколько раз напряжение на подложке слабее влияет на ток стока, чем напряжение на затворе.

С учетом влияния подложки выражение для тока стока в пологой области приобретает вид:

_{Напряжение на подложке относительно истока уменьшает ток стока, запирает канал транзистора со стороны подложки.}

_{Удельная емкость подложки , где толщина области обеднения в подложке. Чем больше концентрация NA в подложке, тем больше CB и больше величина . При сильном легировании подложки величинаможет достигать или даже превышать единицу, обычно же = 0.3 – 0.5.}

6. Объяснить зависимость порога от толщины подзатворного диэлектрика.

С уменьшением толщины диэлектрика увеличивается напряженность поля, создаваемая напряжением затвора и, следовательно, увеличивается индуцированный затвором поверхностный заряд,.

С уменьшением толщины диэлектрика увеличивается емкость затвора и уменьшаются

величины и_{, поэтому уменьшается величина порогового напряжения.}

7. Чем создается фиксированный в окисле заряд и как он влияет на величину порогового напряжения?

Фиксированный в окисле заряд с поверхностной концентрацией N sсоздаётся примесными ионизированными атомами в диэлектрике и свойствами границы раздела кремний-двуокись кремния. Этот заряд влияет на величину напряжения плоских зон

и соответственно на величину порогового напряжения. В системе кремний-двуокись кремния фиксированный в окисле заряд имеет положительный знак. Соответственно, чем больше Nsтем меньше величина порогового напряжения, это создает в производстве ИС нестабильность порогового напряжения от партии к партии.

8. Почему акцепторы подложки влияют на величину порогового напряжения?

В случае транзистора с подложкой p-типа концентрация акцепторов в подложкеNАвлияет на величины контактной разности потенциалов и потенциала инверсии_,а также величину заряда акцепторов в подложкеСуммарный поверхностный заряд зависит как от объемной концентрации акцепторовNA так и от напряжения на стоке и подложке, только приUD == 0_. Чем больше концентрации акцепторов в подложкеNAтем больше величина порогового напряжения.