- •1. Структура транзистора и назначение областей.
- •2. Распределение доноров и акцепторов в структуре транзистора.
- •3. Назначение скрытого слоя и разделительной диффузии в интегральном транзисторе.
- •4. Коэффициенты передачи тока нормальный , инверсный и коэффициент передачи в подложку.
- •6. Как влияет глубина залегания эмиттерного перехода на коэффициент передачи тока?
- •7. Чем отличаются вах в схемах об и оэ?
- •8. Почему ток коллектора не зависит от напряжения на коллекторе?
- •1. Преимущества полевых транзисторов перед биполярными.
- •2. Назначение областей в конструкции птуп.
- •3. Зависимость ширины опз под затвором от напряжения на затворе.
- •4. Что называется крутизной полевого транзистора?
- •5. Объяснить зависимость крутизны от напряжения на затворе.
- •6. Объяснить зависимость напряжения отсечки и крутизны от степени легирования и размеров областей.
- •7. Почему транзистор переходит из крутой области в пологую?
- •8. От чего зависит положение границы крутой и пологой областей?
- •Моп транзистор с индуцированным каналом
- •Объяснить выходные и передаточные характеристики моп транзисторов с n - и p - каналом.
- •2. Что называется потенциалом инверсии на поверхности полупроводника?
- •3. От чего зависит пороговое напряжение моп транзистора?
- •4. Что называется удельной крутизной моп транзистора?
- •5. Влияние подложки на вах транзистора.
- •6. Объяснить зависимость порога от толщины подзатворного диэлектрика.
- •7. Чем создается фиксированный в окисле заряд и как он влияет на величину порогового напряжения?
- •8. Почему акцепторы подложки влияют на величину порогового напряжения?
- •9. От чего зависит граничное напряжение на стоке, при котором транзистор переходит из крутой области в пологую?
9. От чего зависит граничное напряжение на стоке, при котором транзистор переходит из крутой области в пологую?
С увеличеним напряжения на стоке уменьшается разность потенциалов между затвором и каналом. Когда разность потенциалов между затвором и стоком станет равной пороговому напряжению, инверсия вблизи стока исчезает, канал перекрывется ОПЗ и заряд электронов в канале становится равным нулю. После некоторого напряжения нга стоке UD = UDSSдальнейшее увеличение напряжения на стоке не будет приводить к возрастанию тока стока, поскольку все приращение напряжения будет тратиться на перекрытие ОПЗ пристоковой области канала. Таким образом, приUD > UDSSвольтамперная характеристика перейдет из крутой области в пологую.
Выходные ВАХ МОП транзистора,
|Uзи3|>|Uзи2|>|Uзи1|
Граничное напряжение при котором ВАХ МОП транзистора переходит из крутой области в пологую описывается выражением , приUb=0 . Из этого выражения и рассмотренного ранее анализа порогового напряжения транзистора следует, что граничное напряжение зависит от тех же величин, что и пороговое напряжение, т. е. в основном от концентрации примеси в подложке и толщины подзатворного окисла.