- •1. Структура транзистора и назначение областей.
- •2. Распределение доноров и акцепторов в структуре транзистора.
- •3. Назначение скрытого слоя и разделительной диффузии в интегральном транзисторе.
- •4. Коэффициенты передачи тока нормальный , инверсный и коэффициент передачи в подложку.
- •6. Как влияет глубина залегания эмиттерного перехода на коэффициент передачи тока?
- •7. Чем отличаются вах в схемах об и оэ?
- •8. Почему ток коллектора не зависит от напряжения на коллекторе?
- •1. Преимущества полевых транзисторов перед биполярными.
- •2. Назначение областей в конструкции птуп.
- •3. Зависимость ширины опз под затвором от напряжения на затворе.
- •4. Что называется крутизной полевого транзистора?
- •5. Объяснить зависимость крутизны от напряжения на затворе.
- •6. Объяснить зависимость напряжения отсечки и крутизны от степени легирования и размеров областей.
- •7. Почему транзистор переходит из крутой области в пологую?
- •8. От чего зависит положение границы крутой и пологой областей?
- •Моп транзистор с индуцированным каналом
- •Объяснить выходные и передаточные характеристики моп транзисторов с n - и p - каналом.
- •2. Что называется потенциалом инверсии на поверхности полупроводника?
- •3. От чего зависит пороговое напряжение моп транзистора?
- •4. Что называется удельной крутизной моп транзистора?
- •5. Влияние подложки на вах транзистора.
- •6. Объяснить зависимость порога от толщины подзатворного диэлектрика.
- •7. Чем создается фиксированный в окисле заряд и как он влияет на величину порогового напряжения?
- •8. Почему акцепторы подложки влияют на величину порогового напряжения?
- •9. От чего зависит граничное напряжение на стоке, при котором транзистор переходит из крутой области в пологую?
3. Зависимость ширины опз под затвором от напряжения на затворе.
В ОПЗ наn–сторонеp-n-перехода затвора напряженность электрического полялинейно нарастает от нуля на границе с нейтральнымn– материалом до максимального значенияна металлургической границеp+n-перехода. Среднее значение напряженности поля, а приложенное к переходу обратное напряжение, где- ширина ОПЗ. С ростомU увеличивается кактак и ширина ОПЗ.
При подаче на затвор отрицательного напряжения, ОПЗ перехода увеличивается, канал сужается и ток стока падает.
4. Что называется крутизной полевого транзистора?
Крутизна - один из основных параметров полевого транзистора, характеризующий его усилительные свойства. Крутизна представляет собой отношение изменения тока стокак изменению напряжения на затворепри коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора т.е. на стоке. Крутизна передаточной характеристики полевого транзистораобычно составляет несколько миллиампер на вольт.
5. Объяснить зависимость крутизны от напряжения на затворе.
С ростом отрицательного напряжения на затворе значение крутизны характеристики транзистора будет уменьшаться, т.к. при увеличении отрицательного напряжения на затворе будет увеличиваться ОПЗ перехода затвора и уменьшаться толщина проводящего канала. Вблизи напряжения отсечки толщина канала вместе с током стока уменьшается до нуля, сопротивление канала возрастает и крутизна падает до нуля.
6. Объяснить зависимость напряжения отсечки и крутизны от степени легирования и размеров областей.
Напряжение отсечки будет расти с ростом степени легирования канала транзистора, потому что чем больше число доноров в ОПЗ, тем труднее удалить из канала подвижные электроны. Аналогично с толщиной, необходимо большее напряжение, чтоб удалить все электроны в подложку из толстого канала.
Увеличение ширины канала и степени легирования приведёт к росту крутизны транзистора, потому что при прочих равных условиях, рост числа электронов и размеров области приведёт к уменьшению сопротивления и, следовательно, обеспечит больший ток стока при том же напряжении на затворе. Следовательно, крутизна увеличится.
Существенно, что толщина канала одинаково увеличивает крутизну и напряжение отсечки. Ширина канала увеличивает только крутизну, но не влияет на напряжение отсечки.
7. Почему транзистор переходит из крутой области в пологую?
Если подано напряжение сток-исток, то через канал идет ток и поверхность канала уже не будет эквипотенциальной. Потенциал будет меняться вдоль канала, возрастая вблизи стока до величины. В крутой области увеличение напряжениябудет вести к росту тока. Когда разность потенциалов между затвором и стоком станет равной напряжению отсечки, толщина канала вблизи стока станет равной нулю и возрастание тока прекратится. Но в отличие от случая, когда между затвором и истоком приложено напряжение отсечки, это не приводит к отсечке тока. Вместо отсечки тока происходит отсечка его приращений, т.е. насыщение тока и переход в пологую область ВАХ.
Существенно, что при этом ОПЗ затвора перекрывает канал только на стоке.