Полевые транзисторы с изолированным затвором.

В этой группе транзисторов затвор представляет собой тонкую пленку металла, изолированную от полупроводника, в котором формируется проводящий канал. В зависимости от вида изоляции различают МДП и МОП – транзисторы.

Исток и сток формируют в сильно легированных областях полупроводника. Как МДП, так и МОП – транзисторы могут быть выполнены с каналом p- и n-типов. Канал в этой группе транзисторов может быть встроенным (т.е. созданным при изготовлении) и индуцированным (т.е. наводящимся под влиянием напряжения, приложенного к затвору).

На рис.13а изображен МДП – транзистор со встроенным каналом n-типа, соединяющим исток и сток (n⁺ - области). Эти области образованы в подложке – полупроводнике р-типа.

С З И С

n-канальные

n З П

n⁺ n⁺

И б)

p С

П р-канальные

З

а) подл. И в)

I_с mA I_c mA U_зи=1В

10 U_си=15В 10

U_зи=0

U_си=10В

5 5 д)

г) U_зи=-1В

-2 -1 0 1 2 U_зи,В 5 10 U_си,В

Рис.13

В зависимости от полярности напряжение U_зи, приложенное к затвору относительно истока, может обедняться и обогащаться основными носителями – электронами. При отрицательном напряжении на затворе U_зи электроны выталкиваются из области канала в подложку, канал обедняется носителями, и ток I_с снижается. Положительное напряжение на затворе втягивает электроны из подложки в канал и I_с через канал возрастает. В отличие от полевого транзистора с p-n-переходом, МДП – транзистор со встроенным каналом может управляться как

отрицательным, так и положительным напряжением, что отражено на его передаточных и выходных характеристиках (рис.13г,д).