Описание экспериментальной установки

Лабораторный стенд в комплексе с внешними измерительными приборами позволяет исследовать входные, проходные и выходные вольтамперные характеристики биполярных транзисторов и проходные и выходные характеристики униполярных (полевых) n-канальных транзисторов с p-n-переходом.

Графически по входным, проходным и выходным характеристикам транзисторов легко определить h-параметры, которые используются в расчетах различных транзисторных схем.

Методика графического определения h-параметров для схемы транзистора с общим эмиттером приведена в разделе “Транзистор как активный четырехполюсник”.

В качестве исследуемых транзисторов в лабораторном стенде используются биполярный кремниевый транзистор n-p-n-типа КП 503 и полевой транзистор с p-n-переходом и n-каналом КП 307.

Токи во внешних цепях транзисторов измеряются щитовыми микро- и миллиамперметрами, встроенными в верхнюю панель лабораторного стенда. Напряжения в главных точках экспериментальных схем измеряются двумя внешними цифровыми вольтметрами постоянного тока Щ1516.

На рис.16 представлен внешний вид лабораторного стенда с органами управления и их назначением.

14

1

13

10

11. 2

12

3

9

8 7 6 5 4

Рис.16

1. Тумблер включения питания лабораторного стенда “СЕТЬ”.

2. Тумблер переключения типа исследуемого транзистора: “Биполярный транзистор”, “Полевой транзистор”. (К₁)

3. Выводы “Общий” – общего провода электрической цепи.

4. Вывод для измерения обратного тока коллектора.

5. Вывод подключения вольтметра V₂ для измерения напряжения сток – исток (U_си) полевого транзистора.

6. Вывод подключения вольтметра V₁ для измерения напряжения затвор – исток (U_зи) полевого транзистора.

7. Вывод подключения вольтметра V₂ для измерения напряжения коллектор – эмиттер (U_кэ) биполярного транзистора.

8. Вывод подключения вольтметра V₁ для измерения напряжения база – эмиттер (U_бэ) биполярного транзистора.

9. Тумблер переключения прямого и обратного тока биполярного транзистора.

10. Резистор для регулировки отрицательного напряжения на затворе полевого транзистора. (R₃)

11. Резистор для регулировки тока базы биполярного транзистора. (R₁)

12. Резистор для регулировки тока коллектора или тока стока биполярного или полевого транзисторов соответственно. (R₂)

13. Микроамперметр для измерения тока базы биполярного транзистора.

14. Миллиамперметр для измерения тока коллектора или тока стока биполярного или полевого транзисторов соответственно.

В качестве источников входных и питающих, экспериментальные схемы напряжений используется компенсационный стабилизатор напряжения +10В с двухканальным регулируемым выходом.

Регулировка выходных напряжений стабилизатора, питающих экспериментальные схемы, осуществляется регулировочными резисторами R₁, R₂ и R₃ (СП5 – 35Б) с высокой электрической разрешающей способностью.