2 курс 1 часть / электроника / лекции / Электроника УрТИСИ +

В реальных p-n-переходах необходимо учитывать сопротивление базы rб.

С его учетом прямое напряжение на

p-n-переходе будет больше напряжения на идеализированном p-n-переходе на величину падения напряжения на объемном

сопротивлении базы rб.

Uпp φT	ln(	Iпр	1) + Iпр·rб	(2)
		I0

121

При больших токах из-за влияния сопротивления rб вольт-амперная характеристика p-n-перехода становится почти линейной.

При высоком уровне инжекции в реальных

p-n-переходах наблюдается эффект модуляции сопротивления базы.

Он заключается в уменьшении сопротивления базы из-за увеличения концентрации неосновных носителей в базе.

122

IПР

	С учетом эффекта
	модуляции сопротивления
U = I∙rб	базы rб
	С учетом rб = const
	Теоретическая ВАХ
0	UПР

123

2.9 Выпрямительные диоды

Возможность применения диодов в тех или иных электрических схемах определяется его вольт-амперной характеристикой – ВАХ

и параметрами.

Зависимость тока, протекающего через диод, от приложенного к нему напряжения, выраженная в графической форме, называется

вольт-амперной характеристикой – ВАХ .

124

Зависимость какого-либо свойства диода, выраженная в числовой форме, называется

параметром.

I

I = f (U )

	•	U
	R =		Oм
		I
	U

125

Зависимость тока Iпр от приложенного

напряжения Uпр, может быть получена на основании соотношения (2)

U		φ		ln(	Iпр		1) + I		·r
	пp		T					пр		б
					I
						0

Обратная ветвь ВАХ диода строится на основании общего соотношения (1).

u

I p-n I0 (e T 1)

126

Выпрямительные диоды характеризуются набором статических и динамических параметров.

Статический параметр – параметр, полученный при заданных неизменных условиях.

ВАХ диода					IПР		o
						t=20 C
I = f (U )								Прямая ветвь
					Iпр			ВАХ диода
Uобр	Uпроб						UПР
					+	+	+	UПР
В
				I0	0.3	0.6	0.9	В
					Iобр

К статическим параметрам диодов относятся: - падение напряжения на диоде UПР при заданном прямом токе диода IПР;

128

			IПР
	Iпр.доп
			Iпр			РДОП
Uобр					UПР
			+	+	+	UПР
В
		I0	0.3	0.6	0.9	В
			Iобр

-максимальный допустимый прямой ток IПР.ДОП;

-допустимая мощность рассеяния РДОП;

129

При протекании по диоду прямого тока и наличии прямого напряжения на диоде UПР выделяется мощность Р = U∙I в виде Джоулевого тепла. Если это тепло не успевает рассеиваться с кристалла р-n-перехода,

то он начинает перегреваться.

Мощность РДОП = IПРдоп•UПР

ограничена допустимой температурой кристалла и условиями охлаждения.

130