2 курс 1 часть / электроника / лекции / Электроника УрТИСИ +
.pdf
На основании измеренных данных строится прямая ветвь диода
Iпр (мА) |
1 5 10 50 100 |
250 |
500 |
750 |
1000 |
||
U |
пр |
(mV) 600 625 640 660 665 |
670 |
675 |
680 |
685 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
мА |
IПР |
|
|
|
|
|
|
1000 |
|
|
|
|
|
|
|
750 |
|
|
|
|
|
500
250
Uпр
600 650 700 750 mV
141
Применение выпрямительных диодов
Диоды применяются для преобразования переменного напряжения в частности синусоидальной формы в постоянное напряжение.
142
Выпрямление переменного напряжения
|
|
U(t) |
|
|
|
А |
+ |
|
+ |
|
|
|
||
U(t) |
IН(t) |
Rн Uн |
|
t |
~ |
- |
|||
|
|
|
|
|
|
|
IН(t) |
|
|
Iн.ср
143
|
Разделение разнополярных сигналов |
|
U(t) |
|
t |
U(t) |
|
П |
Rн U |
|
Н1 UН1 |
|
t |
|
UН2 |
|
UН2 |
144
Домашнее задание подготовка ответа на один из вопросов
экзаменационного билета
Вычислить напряжение на сопротивлении RН, если на вход подается постоянное напряжение U = 2 B,
диод – кремниевый Si. |
|
|
|
|
RН = 2 Ом, RД = 0 |
||||
|
|
|
А |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
U=2 В + |
|
|
|
|
|
|
RН |
||
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Вычислить напряжение на диоде при тех же условиях
U=1 В + |
R |
А |
|
Uд |
|||
|
|||
|
|
145
ДИОДЫ
2.10 Высокочастотные выпрямительные диоды
Предназначены для работы на сверхвысоких частотах (f > 10 мГц).
Характеризуются малым сопротивлением базы и малым временем жизни носителей
|
|
+ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
+ |
+ |
|
|
|
|
|
p |
+ |
|
rб |
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
Сп Rр-n
147
Сп
• |
• |
U(t)=Um·sinωt ~ |
RН Uн |
||
|
|
||
|
|
• |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ХСП - емкостное сопротивление перехода
Эквивалентная схема диода на высоких частотах
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Rр-n |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
rб |
|
|
|
|
Сп |
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Х |
= |
1 |
|
|
|
|
|
2πƒ = ω |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Сп |
|
|
(2πƒ·Сп) |
||||||||
|
|
|
|
|
|||||||
ХСп - емкостное сопротивление |
|
|
|||||||||
При прямом включении диода rб >> Rр-n,
Rпр ≈ rб
При обратном включении диода rб << Rр-n,
Rобр ≈ Rр-n ∙ХСп
Rр-n + ХСп
148
2.11 Импульсные диоды
Предназначены для работы в импульсных устройствах.
Диоды относятся к универсальным.
|
|
|
Uпр |
U |
Iпр |
Rн |
t |
|
|
tвосст – время |
Iпр |
|
|
|
Iо |
t |
|
|
|||||
|
|
|
|
|||
рассасывания |
|
|
|
|
|
|
неосновных |
Iобр |
|
|
|
|
|
носителей в базе. |
|
|
|
|
||
|
tвосст |
|
||||
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
||
148