2 курс 1 часть / электроника / лекции / Электроника УрТИСИ +
.pdf
|
|
|
|
|
|
IПР |
|
o |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
t=20 C |
|
|
|
|
|
|
|
Iпр |
|
РДОП |
|
UОБР.ДОП < Uпроб |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
||||||
Uобр |
U |
ОБР.ДОП |
|
|
UПР |
|
|||
|
|
|
|
|
|
UПР |
|||
|
|
|
|
|
+ |
+ |
+ |
||
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
||||
В |
|
|
|
|
|
0.3 |
0.6 |
0.9 |
В |
|
|
|
|
|
|||||
|
|
||||||||
|
|
U |
проб |
I0 |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
Iобр |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-обратный ток диода I0;
-обратное допустимое напряжение UОБР.ДОП;
-напряжение пробоя UПРОБ.
131
IПР |
o |
|
t=20 C |
UОБР.ДОП < Uпроб |
|
|
Iпр |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
||||||
Uобр |
|
|
UОБР.ДОП |
|
|
|
|
UПР |
UПР |
||
|
|
|
|
|
|
|
+ |
+ |
+ |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
В |
|
|
|
|
|
|
|
0.3 |
0.6 |
0.9 |
В |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
Uпроб |
|
|
I0 |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
Iобр |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R0 = |
|
UПР |
- сопротивление диода |
|
|
||||||
|
IПР |
|
|
||||||||
|
|
постоянному току в заданной точке. |
|||||||||
RОБР |
= UОБР/IОБР |
- сопротивление диода при |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
обратном включении |
132 |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iпр = (Iпр2-Iпр1)
Uобр
rд= ∆UПР
∆IПР
IПР
Iпр2
∆Iпр |
|
|
Рабочая точка |
Iпр1 |
Uпр |
|
В
∆Uпр
Iобр
- дифференциальное сопротивление
133
Влияние температуры на параметры и характеристики диодов
При изменении температуры корпуса диода изменяются его параметры. Наиболее сильно зависят от температуры прямое напряжение на диоде UПР и его обратный ток I0.
134
Влияние температуры
Смещение прямой ветви ВАХ диода при изменении температуры оценивается коэффициентом напряжения (ТКН)
∆UПРt мВ
∆t 0С
Для оценки влияния температуры можно считать, что
ТКН = - 2 мВ/0С
135
IПР |
t=600С |
t=20 |
o |
C |
|
|
∆t =(60 – 20)0С
Uобр |
Uпроб |
|
+ |
+ |
+ |
UПР |
|
|
|||||||
В |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
В |
|
|
|
0.3 |
0.6 |
0.9 |
|||
|
|
|
|||||
|
|
|
|
I0 |
|
t |
|
|
|
|
|
Iобр |
|
∆Uпр |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
t
ТКН = - ∆Uпр мВ
∆t 0С
136
Обратный ток I0 обусловлен термогенерацией пар носителей в нейтральных p- и n-областях, прилегающих к обедненному слою.
Эта составляющая обратного тока сильно зависит от температуры и практически не зависит от приложенного напряжения.
Для оценки влияния температуры на обратный ток I0 (IT) можно считать, что этот ток увеличивается в 2.5 раза при увеличении температуры на каждые 100С (для Si).
137
Обратная ветвь диодов до напряжения пробоя практически сливается с осью напряжения для температур 40 – 50 0С для кремниевых структур.
UПРОБ
UОБР
I0
IОБР
138
Общее обозначение
|
|
|
Анод |
|
|
|
А |
|
p+ |
n- |
|
|
|||
|
|||
|
|
|
+Uпр |
|
|
|
Iпр |
|
|
|
|
|
Iпр |
|
|
600 
a
b
диодов
Катод
КVD
-Uпр
мм
a6
b5
139
Для экспериментального получения прямой ветви диода и определения параметров смоделируем схему измерения
+ |
I Iпр |
VD |
V |
Uпр |
|
|
|
Вольтметр |
|
|
|
|
|
Изменяя ток источника тока I в заданных пределах, измеряем прямое напряжение на диоде UПР с помощью вольтметра V.
139