Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Lab 1.pdf
Скачиваний:
24
Добавлен:
25.03.2016
Размер:
1.05 Mб
Скачать

Лабораторная работа №1

характеризует электронную поляризуемость молекулы на частоте

0.5 1015 с-1 .

Пользуясь наблюдаемыми значениями показателя преломления, с помощью формулы (15) можно для большого числа кристаллов с вполне удовлетворительной точностью определить значение электронной поляризуемости молекул вещества.

1.3. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости ионных кристаллов

Изменение диэлектрической проницаемости твердых диэлектриков с температурой имеет не только большое практическое, но и теоретическое значение, так как тесно связано со структурой и составом вещества.

В ионном кристалле с повышением температуры электронная часть поляризации уменьшается за счет уменьшения плотности вещества (ρ).

Рис. 2. Зависимости ε = f(T) для ионных диэлектриков 1 - преобладает фактор умень-

шения плотности, т.е. снижение Nо;

2 - преобладает рост поляризуемости αi

На ионную составляющую поляризации оказывают влияние два противоположных фактора:

1)уменьшение плотности;

2)ослабление упругих связей.

Первый фактор (рис.2) вызывает уменьшение ионной поляризуемости, а второй увеличивает её, так как уменьшается коэффициент упругой связи К.

Расчет диэлектрической проницаемости диэлектрика производится по формуле емкости плоского конденсатора, из которой следует

ε = Сх

h

,

(16)

εo S

 

 

 

где Сх - емкость плоского конденсатора;

 

h

- толщина диэлектрика;

 

11

Лабораторная работа №1

S- площадь электродов;

εо - электрическая постоянная, равная 8,85. 10-12 Ф/м.

Взависимости от структуры кристаллических веществ, при изменении температуры, в них может преобладать какой-либо из указанных факторов. Ввиду этого изменение диэлектрической проницаемости можно характеризовать величиной температурного коэффициента βε

βε = ε1 dTdε .

Если известен график зависимости диэлектрической проницаемости от температуры, то расчет ТКε производится по уравнению

βε =

1

 

ε

,

 

Т

 

εср

 

где Т - диапазон изменения температуры (обычно берется в пределах 10÷20 оС);

ε - диапазон изменения диэлектрической проницаемости при изменении температуры на величину Т ;

εср - среднее значение диэлектрической проницаемости для выбранного интервала температур.

Величину ε1 dTdε можно вычислить, пользуясь уравнением (13),

простое дифференцирование которого по температуре дает

 

3

 

 

 

 

 

dε

=

 

dNо (αe +αi )

+

 

Nо

 

 

dαi

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

( ε + 2 )2

 

dT

 

dT

 

 

 

3 εо

 

 

 

3

εо

 

dT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

так как

 

 

1

 

 

 

dNо

 

= −3

βл,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

N

о

 

dT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где βл - коэффициент линейного расширения кристалла.

 

 

3

 

 

 

 

 

dε

= −

Nо (αe +αi

)

 

3βл

+

Nо

 

dαi

 

.

 

 

 

 

( ε + 2 )2

 

dT

 

 

 

3 εо

 

 

 

 

 

 

 

3 εо

dT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Учитывая приведенное выше уравнение (13) получим

 

 

3

 

 

 

 

 

dε

= −

ε 1

3βл +

 

 

Nо dαi

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

( ε + 2 )2

 

dT

ε + 2

 

3 εо dT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Учитывая, что

N

о =

 

 

N A ρ

, a

 

 

dαi

=αi ( C + 2 )βл , получим:

 

 

 

M

 

 

 

dT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

dε

 

 

 

βл ( ε + 2 )2

 

 

N A ρ

( С + 2 ) αi

 

 

3( ε 1)

 

 

βε =

 

 

 

 

 

 

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

,

 

ε

dT

 

 

 

 

 

 

3ε

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3M εо

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε + 2 )

 

(17)

(18)

(19)

(20)

(21)

(22)

12

Лабораторная работа №1

где С - постоянная, лежащая в пределах 7 ÷ 11.

Зная величину температурного коэффициента диэлектрической проницаемости (TK ε), можно определить ионную поляризуемость

α i.

9М εо[(ε 1) (ε + 2) β л+ε βε ]

 

αi =

.

βл N А ρ (ε + 2)2

(С + 2)

 

 

 

Под действием внешнего

электрического поля происходит

смещение ионов относительно положения равновесия. Допустим, что расстояние между центрами положительного и отрицательного ионов увеличилось на l.

Индуцированный при этом электрический момент

μu = q l =αi E ,

где q - заряд иона.

Равновесие иона определяется равенством q E = K l,

где К - коэффициент упругой связи смещения ионов может быть определен как

K= q 2 .

αi

Коэффициент упругой связи можно связать с частотой собственных колебаний ионов решетки ωо = 2π fо.

Теория кристаллической решетки дает для двухатомных кристаллов кубической структуры частоту собственных колебаний материальной точки [2]

ωо =

K

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где m - приведенная масса молекулы.

m =

 

М1 М

2

 

 

,

 

 

 

 

(М1 + М2 ) N А

 

 

 

 

где

М1 и М2

 

-

 

атомные массы положительного и

отрицательного ионов (табл 2).

 

 

Подставив в уравнение (27) значения К и m из (26) и (28),

получим:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

q2 (M

+M

2

) N

A

 

fо = 2π

 

 

1

 

 

 

.

α

i

M

 

M

2

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

Приведенное уравнение (29) дает возможность рассчитать частоту собственных колебаний ионов кристаллической решетки.

(23)

(24)

(25)

(26)

(27)

(28)

(29)

13

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]