- •1. Аналоговые устройства их классификация.
- •2. Основные параметры усилительных устройств.
- •3. Основные характеристики усилительных устройств.
- •4. Режимы работы усилительных каскадов: а, в, ав.
- •5. Задание рабочей точки биполярного транзистора (бт) в схеме с фиксированным током базы. Основные расчетные соотношения.
- •6. Задание рабочей точки бт в схеме с фиксированным напряжением база-эмиттер. Основные расчетные соотношения.
- •7. Стабилизация рабочей точки бт в схеме с коллекторной стабилизацией. Основные расчетные соотношения.
- •8. Стабилизация рабочей точки бт в схеме с эмиттерной стабилизацией. Основные расчетные соотношения.
- •9 . Эквивалентные представления усилительного каскада в виде управляемого источника напряжения и управляемого источника тока.
- •10.Ук на бт с оэ в области средних частот: эквивалентная схема, вх и вых сопротивление, ку по току и апряжению.
- •11. Ук на бт с об в области средних частот: эквивалентная схема, вх и вых сопротивление, ку по току и напряжению.
- •12 Ук на бт с ок (эмиттерный повторитель) в области средних частот. Эквивалентная схема, входное и выходное сопротивление, коэффициент усиления по току и напряжению.
- •13. Обратные связи в усилительных устройствах: основные понятия, классификация.
- •14. Коэффициент передачи усилителя охваченного ос. Влияние обратных связей на параметры и характеристики усилителя.
- •15. Сравнительная характеристика параметров ук на бт с оэ, ок и об: коэффициенты усиления по току и напряжению, входное и выходное сопротивление, полоса пропускания.
- •16. Усилительные каскады на пт с общим истоком.
- •17. Усилители постоянного тока (упт) на бт: способы устранения дрейфа нуля, согласование уровней постоянного напряжения между каскадами.
- •18. Двухтактный бестрансформаторный оконечный каскад в режиме класса в. Переходные искажения.
- •19. Двухтактный бестрансформаторный оконечный каскад в режиме класса ав.
- •20.Дифференциальные усилительный каскад: принцип действия.
- •2 1.Дифференциальный усилительный каскад : вх и вых сопротивление, коэффициенты усиления синф. И диф. Сигналов, Косс.
- •26. Схема сумматора на оу.
- •27. Дифференцирующий усилитель на оу.
- •28. Интегрирующий усилитель на оу.
- •29. Логарифмирующий усилитель на оу.
- •30. Антилогарифмирующий усилитель на оу.
- •31 . Ключ на бт: принципиальная схема, передаточная характеристика, статический режим работы.
- •32 . Ключ на бт: принципиальная схема, динамический режим работы.
- •33. Способы повышения быстродействия ключей на бт
- •34. Ключи на мдп-транзисторах
- •35. Ключ на комплементарных мдп-транзисторах
- •36.Логические элементы, логические функции, основные законы алгебры логики
- •37.Принцип построения лог. Элементов на основе полупроводниковых диодов.
- •38.Базовый логический элемент транзистрно-транзисторной логики (ттл).
- •39. Базовый логический элемент эммитерно-связанной логики (эсл).
- •40.Интегрально-инжекционная логика.
- •41. Основные параметры являются общими для всех существующих и возможных логических имс и позволяют сравнивать между собой микросхемы различных типов. Основными параметрами являются:
- •43. Синхронный rs-триггер.
- •47.Мультивибратор на логических элементах
- •48.Особенности диапазона свч. Деление свч диапазона на поддиапазоны.
- •49. Особенности эп свч с динамическим управлением электронным потоком. Общий принцип действия и характеристики эп свч.
- •51. Устройство и принцип действия лампа бегущей волны о-типа (лбво)
- •53.Конструкция, принцип действия и условия самовозбуждения лампа обратной волны о-типа
- •55.Движение электронов в скрещенных постоянных электрическом и магнитном полях.
- •56.Конструкция,принцип действия, амплитудное и фазовое условия самовозбуждения многорезонаторного магнетрона. Парабола критического режима.
- •59. Диоды Ганна. Эффект Ганна. Особенности многодолинных полупроводников.
36.Логические элементы, логические функции, основные законы алгебры логики
Логические элементы (ЛЭ) предназначены для реализации логических функций и являются одним из наиболее распространенных типов цифровых устройств, имеющих как самостоятельное применение, так и входящих в состав более сложных схем, выполненных на их основе, например, триггеров, регистров, счетчиков, распределителей, сумматоров, дешифраторов. Логические элементы делятся на по тенциальные, импульсные и импульсно-потенциальные.
Логические элементы по режиму работы подразделяются на статические и динамические. Статические ЛЭ могут работать как в статическом, так и в динамическом (импульсном) режимах. Статические элементы наиболее широко
используются в современных микросхемах. Динамические ЛЭ могут работать
только в импульсном режиме.
Логические элементы классифицируют также по типу применяемых транзисторов. Наибольшее распространение получили ЛЭ на биполярных и МДП-транзисторах. Кроме того, интенсивно разрабатываются ЛЭ на арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим переходом металл–полупроводник (МЕП-транзисторах) и гетероструктурных полевых транзисторах с управляющим переходом металл–полупроводник (ГМЕП-транзистор). Для каждого из перечисленных типов ЛЭ существует большое число их схемо-технических и конструктивно-технологических разновидностей. Например, к биполярным ЛЭ относятся элементы ТТЛ, эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ), интегральной инжекционной логики и др.
Элементарными логическими функциями являются: логическое сложение (дизъюнкция), логическое умножение (конъюнкция), логическое отрицание
(инверсия). Аналитические формы записи функций позволяют получить основные
законы алгебры логики отдельно для операций логического умножение и сло-
жения (И и ИЛИ).
ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ИЛИ–НЕ образуется путем отрицания результатов, полученных при выполнении операции ИЛИ. При входных сигналах, равных единице, сигнал на выходе соответствует логическому нулю, а при нулевых сигналах на всех входах сигнал на выходе равен "1".
Функция И–НЕ образуется путем отрицания результата, получаемого при выполнении операции И. Число входов элемента И–НЕ определяется числом аргументов функции И–НЕ. При подаче логического нуля на один из входов на выходе образуется логическая единица. Если на всех входах действует логическая единица, то сигнал на выходе равен логическому нулю.
37.Принцип построения лог. Элементов на основе полупроводниковых диодов.
Диодно–транзисторная логика (ДТЛ) представляет собой сочетание ди-
одных логических ячеек с транзисторным инвертором. Базовым логическим
элементом всех серий ДТЛ является элемент Шеффера (элемент И–НЕ), реали-
зующий операцию логического умножения с отрицанием.
Схема логического элемента ДТЛ представлена на рис. 9.14. Входные диоды VD1…VD3 и резистор R1 образуют входную логическую схему, выполняющую в положительной логике операцию И. Инвертор на транзисторе VТ1 выполняет логическую операцию НЕ, усиливает и формирует сигналы на выходе до стандартного уровня. Смещающие диоды VD4 и VD5 пред назначены для увеличения порога запирания и помехоустойчивости схемы в закрытом состоянии, а резистор R2 и
U2ип обеспечивают оптимальную величину тока этих диодов. Диоды VD1…VD3 должны обладать минимальным сопротивлением в проводящем состоянии; высоким (максимальным) обратным напряжением; малой емкостью и малым временем восстановления обратного сопротивления.