4. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
4.1 ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРОВ
В еличины, связывающие малые приращения токов и напряжений, называют дифференциальными параметрами транзистора.Для того, чтобы ввести дифференциальные параметры, транзистор представляют в общем виде как устройство, на входе которого действуют напряжение U1 и ток I1, а на выходе – напряжение U2 и ток I2 (рис. 4.1). Такую модель называемую четырехполюсником, широко применяют при исследованиях и разработках.
Рис. 4.1
В зависимости от схемы включения транзистора величинам U1 , I1, U2 , I2, соответствуют те или иные реальные токи и напряжения.
В отношении выбора независимых и зависимых переменных возможны шесть вариантов, наибольшее практическое применение находят три системы: h–, Y –, Z – параметров.
Система h – параметров
В качестве независимых переменных в этой системе выбирают входной ток I1 ,и выходное напряжение U2 :
Зададим приращения независимых переменных dI1 и dU2 в виде малых гармонических колебаний с комплексными амплитудами I1 и U2. При этом приращения зависимых переменных dI2 и dU1 будут представлять собой также гармонические колебания, обозначим их комплексные амплитуды I2 и U1 . Частные производные перед независимыми переменными для случая гармонических колебаний обозначают символами h11, h12, h21, h22. Тогда уравнения приобретают такой вид:
– входное сопротивление транзистора при коротком
I1=
0
1
входе для переменной составляющей тока (отношение переменных напряжений на входе и выходе, вызывающих одинаковый по
– дифференциальный коэффициент передачи тока
– выходная проводимость транзистора при разомкнутом входе для переменной составляющей тока (холостой ход входной цепи).
Система h-параметров носит название смешанной (гибридной) системы, так как ее параметры имеют различную размерность.
Величина параметров транзистора зависит от способа его включения, поэтому как в данной системе, так и в других, рассмотренных далее, в обозначении параметра с помощью третьего индекса б, э, к отмечают схему включения. Для схемы с общим эмиттером, являющейся основной, третий индекс иногда опускают.
Систему h -параметров обычно используют на низких частотах, когда пренебрежимо малы емкостные составляющие токов. Необходимые для измерения параметров режимы короткого замыкания и холостого хода для переменной составляющей тока могут быть осуществлены на этих частотах сравнительно просто. Поэтому в технических условиях и справочниках по транзисторам низкочастотные параметры обычно приводятся в системе h.
Определение h-параметров по характеристикам. Низкочастотные значения h-параметров можно найти с помощью входных и выходных характеристик.
Параметры h22 и h21 определяют по выходным характеристикам транзистора (см. рис. 4.19). Должна быть задана или выбрана рабочая точка А (Iб", Uкэ), в которой требуется найти параметры; затем при постоянном токе базы IБ"" задаем приращение коллекторного напряжения ΔUкэ= Uкэ – Uкэ и находим получающееся при этом приращение тока коллектора ΔIк. Тогда выходная проводимость транзистора
h22Э = ΔIк/ ΔUкэ | IБ=const = (0,05-10–3 )/5 = 10мкА/В;
она имеет положительное значение, так как увеличение напряжения сопровождается увеличением тока.
Далее при постоянном напряжении коллектора задаем приращение тока базы ΔIБ = /{зу—/б" и определяем получающееся при этом приращение тока коллектора ΔIк. Тогда дифференциальный коэффициент передачи тока базы
h21Э = – ΔIк/ΔIБ|Uкэ=const = – (1 10–3/20 10–6) = –50.
Знак минус означает, что направление одного из токов (коллекторного в транзисторах типа р- n -р- и эмиттерного в транзисторах типа n-р-n) противоположно положительному направлению соответствующего тока в эквивалентном четырехполюснике (см. рис. 5.1).
Параметры входной цепи h11Э h12Э определяют по входным характеристикам транзистора (см. рис.4.17). В той же рабочей точке •A (Uкэ = Uкэ = –5В, IБ =I'Б" =
2
60 мкА) задаем приращение тока базы ΔIБ при постоянном напряжении
коллектора Uкэ и находим получающееся при этом приращение напряжения базы ΔUБЭ. Тогда входное сопротивление транзистора
h11Э = ΔUБЭ/ ΔIБ| Uкэ=const = (42.5 10–3/40 10–6) = 1060 Ом.
Затем при постоянном токе базы IБ" задаем приращение напряжения коллектора Δ Uкэ = U”кэ – U`кэ и определяем получающееся при этом приращение напряжения базы Δ U'БЭ. Тогда коэффициент обратной связи по напряжению
h12Э = Δ U'БЭ/ Δ Uкэ| IБ=const = (-7.510-3)/-5 = 1.510-3.
Аналогично могут быть определены по соответствующим характеристикам параметры транзистора в других схемах включения.
Более точные результаты дает непосредственное измерение параметров с помощью специальных измерительных приборов, ознакомление с ними предусматривается в ходе лабораторных работ.
Заметим также, что параметры транзистора в разных схемах включения однозначно связаны между собой и при необходимости всегда можно перейти от одной системы параметров к другой с помощью формул перехода (см. приложения).
Температурный дрейф h - параметров. Из соотношения (3.58) следует, что входное сопротивление транзистора при фиксированном токе базы пропорционально температуре транзистора:
h11Э = kT/eIБ. (4.3)
Относительное изменение входного сопротивления
d h11Э/ h11Э = dT/T
и, например, при температуре Т = 300 К составляет всего 0,3%/К.
Таким образом, входное сопротивление транзистора h11Э сравнительно слабо зависит от температуры, что подтверждает рис.4.2, на котором показана экспериментальная зависимость h - параметров транзистора от температуры.
К ак видно из экспериментальных данных рис.4.2, дифференциальный коэффициент передачи тока базы h21Э, коэффициент обратной связи по напряжению h12э и выходная проводимость h22э изменяются тоже относительно мало.
Рис.
4.2
температуры резко усиливается.