6. Принципиальная схема.
Усилительный
элемент на транзисторе VT с нагрузкой в
цепи коллектора R3 имеет отрицательную
обратную связь ( ООС) по постоянному
току. Обратная связь R4C2 включена
последовательно в базо-эмиттерную цепь.
Коэффициент обратной связи определяется
отношением
=
.
Конденсатор С2 шунтирует сопротивление
R4 по переменной составляющей таким
образом, чтобы обратная связь не
действовала рабочей частоте вплоть до
fн.
Это выполняется при условии:
ОС
= R4C2
>>
.
Рабочая точка по постоянному току устанавливается постоянным напряжением на базе с помощью делителя напряжения R1R2. Связь с источником сигнала Ес и с нагрузкой RН осуществляется через разделительные конденсаторы С1 и С3, которые совместно с входным и выходным сопротивлениями усилителя образуют переходную RC-цепь для нижних рабочих частот fн. Это выполняется при условии:
вх=RвхС1 >> ; вых= RвыхС3 >> .
7.Расчёт элементов схемы.
R4 = Кос· R3; R4 = 2,4 · 0,1 = 0,24 кОм
По ряду Е24 выбираем сопротивление R4 = 240 Ом. По постоянному напряжению на сопротивлении будет падать
UЭ = IК0 · R4; UЭ = 6,2 · 10-3· 2,4· 102 = 1,5 В.
Следовательно, напряжение на базе
UБ = UЭ + UБРТ; UБ = 1,5 + 0.58 = 2,08 В.
Для расчёта сопротивлений делителя необходимо выбрать ток делителя IД из условия IД >> IБ0 . В практических схемах это значение выбирают в пределах IД = ( 2 – 10 ) IБ0. Выбираем IД = 5 IБ0.
IД = 5·110=550мкА;
R2
=
; R2
=
= 3,78 кОм;
R1
=
;
R1
=
= 50,75 кОм
Выбираем R2 = 3,6 кОм, R1 =51 кОм.
Рассеиваемая мощность на резисторах рассчитывается по формуле РR = I2 x R
PR1 = IД2 · R1; PR1=(5,5·10-4)2 ·5,1· 104 = 1,54 · 10-2 = 15,4 мВт
PR2 = IД2 · R2; PR2 =(5,5·10-4)2 · 3,6· 103 = 1,08 · 10-3 = 1,08 мВт
PR3 = IК02 · R3; PR3 = (6,2·10-3)2 · 2,4·103 = 9,2 · 10-2 = 92 мВт
PR4 = IК02 · R4; PR4 = (6,2·10-3)2 · 2,4·102 = 9,2 · 10-3 = 9,2 мВт
Для расчёта разделительных конденсаторов в практических схемах выбирают соотношения
,
где
= С·R
Выбираем
С1
;
C1
= 9 · 10-5 Ф
= 90 мкФ.
С2
;
C2
= 4,1 ·10-4
= 410 мкФ.
С3
;
C3
= 4,1 · 10-5
= 41 мкФ.
Выпускаемые промышленностью конденсаторы имеют ближайшие номинальные значения:
С1 = 100 мкФ, С2 =500 мкФ , С3 = 50 мкФ.
9. Перечень элементов.
Таблица1
№ п / п |
Обозн. в схеме |
Наименование, тип |
Номинальное значение |
Кол - во |
1. |
С1 |
Конденсатор К50 – 6 –50В – 100 мкФ |
100 мкФ |
1 |
2. |
С2 |
Конденсатор К50 – 6 – 10В – 500 мкФ |
500 мкФ |
1 |
3. |
C3 |
Конденсатор К50 – 6 – 50В – 50 мкФ |
50 мкФ |
1 |
|
|
|
|
|
4. |
R1 |
Резистор ОМЛТ- 0,125 – 5,1 кОм + 10% |
5,1 кОм |
1 |
5. |
R2 |
Резистор ОМЛТ- 0,125 – 51 кОм + 10 % |
51 кОм |
1 |
6. |
R3 |
Резистор ОМЛТ – 0,125 – 240 Ом + 10% |
240 Ом |
1 |
7. |
R4 |
Резистор ОМЛТ – 0,125 – 2,4 кОм +10% |
2,4 кОм |
1 |
|
|
|
|
|
8. |
VT1 |
Транзистор КТ315 В |
-- |
1 |