Основные справочные данные

h_21э, (  ) -- статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером;

f_гр – граничная частота передачи тока в схеме с общим эмиттером; На некоторые транзисторы в справочнике не даются значения f_гр , а приводятся значения модуля |  | на измеренной частоте f _{измерения} , или постоянная времени цепи коллектора _ ( r_кС_к ). В этих случаях f_гр определяется по формулам:

1) f_гр = |  | x f_{иземерения} ; 2) f_гр = 1/ _.

U_б0 – напряжение отпирания. Это напряжение при котором появляется управляемый коллекторный ток.

U_б.нас – напряжение насыщения база – эмиттер. Напряжение между базой и эмиттером, при котором протекает максимальный коллекторный ток

I_КНАС = Е_К / R_К.

I_КБ0 – неуправляемый обратный ток коллектора ( эмиттера ).

Предельные параметры.

U_Кэмакс – максимально допустимое постоянное напряжение коллектор – эмиттер.

I_{К макс} – максимально допустимый постоянный ток коллектора.

P_макс – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора.

В справочниках приводятся значения параметров транзисторов, гарантируемые ТУ для соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации. Значения большинства параметров транзисторов зависит от рабочего режима и температуры, причём с увеличением температуры зависимость параметров от режима сказывается более сильно. В справочнике, как правило , приводятся типовые ( усреднённые ) параметры и зависимости.

Разброс параметров транзисторов и их изменения во времени и от внешних условий при конструировании схем могут быть учтены расчётными методами или экспериментально – методом граничных испытаний.

В справочнике для большинства биполярных транзисторов не приводятся вольтамперные характеристики ( ВАХ ) ввиду их однотипности и возможности построения по приводимым данным. Для проведения расчётной работы приводятся типовые входные и выходные характеристики для транзисторов p-n-p и n-p-n проводимости с указанием масштаба по осям токов и напряжений для каждого варианта.

В таблице 2 приводятся основные параметры транзисторов, которые используются для проведения расчётной работы. № п  п указывает на номер варианта.

Таблица 2

№ п/п	Транзи-стор	Проводи- мость	h21э, ()	Uб0 ,В (Uб.нас)	IКБ0 , мкА	fгр МГц	UКэмакс, В	IК макс мА (А)	Pмакс, мВт (Вт)
1	КТ611В	n-p-n	10-40	1,2	100	>60	180	100	(3)
2	ГТ705В	n-p-n	30-70	( 2 )	1,5mA	10кГц	20	(3,5)	( 15 )
3	ГТ322А	p-n-p	30-100	0,6	100	80	10	10	50
4	1Т101А	p-n-p	30-60	(0,7)	300	2	15	10	50
5	КТ207Б	p-n-p	30-200	0,8	0,5	5	60	10	15
6	ГТ701А	p-n-p	10	(0,5)	30mA	50кГц	55	(12)	(50)
7	ГТ404В	n-p-n	30-80	0,3	25	1	40	500	600
8	ГТ311А	n-p-n	15-180	(0,6)	5	1000	12	50	150
9	КТ203Б	p-n-p	30-90	1,1	10	5	30	10	150
10	КТ903А	n-p-n	15-75	( 2 )	30мА	120	80	(3)	(30)
11	1Т403В	p-n-p	30	(0,8)	50	8 кГц	30	(1,25)	(5)
12	КТ350А	p-n-p	70	(1,25)	5	280	15	150	300
13	ГТ309Е	p-n-p	60-180	(0,4)	15	40	10	10	50
14	1Т308Б	p-n-p	50-120	(0,45)	5	120	12	50	150
15	КТ503Е	n-p-n	40-120	(0,8)	1	5	100	150	350
16	КТ361Д	p-n-p	20-90	1,2	1	250	40	50	150
17	ГТ402Г	p-n-p	30-80	0,3	20	1	40	500	600
18	КТ608А	n-p-n	25-80	( 2 )	15	450	60	400	500
19	ГТ115В	p-n-p	60-150	0,25	40	1	30	30	50
20	ГТ703А	n-p-n	30--70	( 1 )	500	10кГц	20	(3,5)	(15)
21	КТ932Б	p-n-p	30-120	(1,5)	1,5мА	50	60	(2)	(20)
22	КТ342А	p-n-p	25-250	( 0,9)	30	250	30	50	250
23	ГТ122А	n-p-n	15-45	0,3	15	1	35	20	150
24	КТ206А	n-p-n	30-90	0,8	1	10	20	20	15
25	ГТ630А	n-p-n	40-120	7	1	50	120	(1)	800
26	КТ819В	n-p-n	20	(1,5)	1мА	12	60	(10)	(60)
27	2Т301Е	n-p-n	40-120	(2,5)	10	60	30	10	150
28	ГТ810	p-n-p	15	(0,5)	20мА	15	200	(10)	(15)
29	КТ818А	p-n-p	20	(1,5)	1мА	3	100	(10)	(60)
30	1Т330А	n-p-n	30-300	(0,7)	20	1000	13	20	50
31	КТ3102	n-p-n	100-250	(1,5)	10	150	50	100	250
32	КТ801Б	n-p-n	30-150	(3,5)	2мА	10	60	(2)	(5)
33	КТ326Б	p-n-p	45-160	(1,2)	0,5	250	15	50	200
34	КТ201Б	n-p-n	30-90	1.5	5	10	20	20	150

В таблице 3 приведены значения масштабов по осям токов и напряжений. При выполнении расчётной работы необходимо в характеристиках поставить конкретные значения токов и напряжений в соответствии со значениями масштабов табл. 3. На выходных характеристиках для токов базы i_Б поставить значения токов базы, соответствующих значениям масштабных делений на входной характеристики.

Таблица 3.

№ п/п	Транзи-стор	Проводимость	Масштаб IБ, мкА  дел (мА  дел)	Масштаб UБЭ , В  дел (мВ  дел)	Масштаб iК , мА  дел (А  дел)	Масштаб UКЭ , В  дел	Напряжение питания ЕК, В	Сопротивление нагрузки RК, Ом (кОм)
1	КТ611В	n-p-n	250	0,2	10	5	30	680
2	ГТ705В	n-p-n	( 20 )	(100)	400	4	30	15
3	ГТ322А	p-n-p	40	(100)	1	1,5	8	(1,2)
4	1Т101А	p-n-p	30	(100)	1	2	12	(2)
5	КТ207Б	p-n-p	10	0,15	1	1,5	10	(2)
6	ГТ701А	p-n-p	(40)	(70)	(0,5)	5	24	8
7	ГТ404В	n-p-n	(1)	(40)	40	4	30	150
8	ГТ311А	n-p-n	50	(80)	2	2	10	820
9	КТ203Б	p-n-p	40	0,2	1,5	4	24	(3,3)
10	КТ903А	n-p-n	(15)	0,2	(0,4)	10	50	24
11	1Т403В	p-n-p	(6)	0,15	(0,15)	4	27	30
12	КТ350А	p-n-p	(0,8)	0,15	25	2	12	100
13	ГТ309Е	p-n-p	30	(100)	1,5	1	6	750
14	1Т308Б	p-n-p	15	(50)	2	1,5	10	(1)
15	КТ503Е	n-p-n	80	0,15	4	5	30	(1,5)
16	КТ361Д	p-n-p	80	0,2	5	4	24	(1,2)
17	ГТ402Г	p-n-p	(1)	(100)	80	4	27	75
18	КТ608А	n-p-n	(1)	0,2	40	10	50	200
19	ГТ115В	p-n-p	20	(40)	2	1	6	620
20	ГТ703А	n-p-n	(8)	(100)	400	2	15	6,8
21	КТ932Б	p-n-p	(15)	0,3	(0,5)	10	60	24
22	КТ342А	p-n-p	200	0,2	1,5	3	20	(1,5)
23	ГТ122А	n-p-n	200	(40)	2	3	18	(1,6)
24	КТ206А	n-p-n	80	0,15	2	2	12	(1,1)
25	ГТ630А	n-p-n	(3)	0,15	150	15	100	125
26	КТ819В	n-p-n	(30)	0,3	(1)	4	27	6,2
27	2Т301Е	n-p-n	50	0,2	1,5	4	24	(3)
28	ГТ810	p-n-p	(30)	(100)	(1)	10	60	15
29	КТ818А	p-n-p	(80)	0,3	(1)	10	60	10
30	1Т330А	n-p-n	30	(80)	2	1	6	510
31	КТ3102	n-p-n	20	0,2	4	4	27	(1)
32	КТ801Б	n-p-n	(4)	0,2	(0,15)	4	27	30
33	КТ326Б	p-n-p	200	0,2	4	2	12	510
34	КТ201Б	n-p-n	100	0,15	1,5	3	20	(1,6)

i



13