8. Диаграммы напряжений.

При изображении диаграмм необходимо выбирать масштабные значения по напряжению такие же, как масштабные значения напряжений ВАХ: для входных сигналов U_ВХ и напряжение на базе – U_БЭ по входным характеристикам; для выходных на коллекторе U_КЭ и на нагрузке – U_ВЫХ по выходным характеристикам

Справочные данные

Классификация транзисторов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологиским признакам, роду исходного материала находит своё отражение в системе условных обозначений их типов. В соответствии с возникновением новых классификационных групп транзисторов совершенствуется и система их условных обозначений, которая на протяжении последних 15 лет трижды претерпевала изменения. Система обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11Ю336.919-81 и базируется на ряде классификационных признаков. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код, первый элемент которого обозначает исходный полупроводниковый материал , на основе которого изготовлен транзистор. Для обозначения исходного материала используются следующие символы:

Г или 1 — для германия и его соединений;

К или 2 — для кремния и его соединений;

А или 3 — для соединений галлия ( практически для арсенида галлия)

Второй элемент обозначения – буква, определяющая подкласс транзистора.

Т – для биполярных транзисторов;

П – для полевых транзисторов.

Третий—цифра от 1 до 9, определяющая его основные функциональные возможности табл.1 ( допустимое значение рассеиваемой мощности и граничную либо максимальную рабочую частоту)

Таблица 2

1	2	3	Транзисторы маломощные (Рмакс< 0,3 Вт)
4	5	6	Транзисторы средней мощности ( 0,3Вт < Рмакс < 1,5Вт )
7	8	9	Транзисторы большой мощности (Рмакс > 1,5 Вт)
Транзисторы низкочастотные f < 3 МГц	Транзисторы средней частоты 3МГц<f<30МГц	Транзисторы высокочастотные – 30МГц<f300МГц<f и СВЧ – 300МГц<f

Четвёртый элемент это число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа транзисторов ( каждый технологический тип может включать в себя один или несколько типов, различающихся по своим параметрам).

Пятый элемент – буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзисторов , изготовленных по единой технологии.

Таким образом современная система обозначений позволяет по наименованию типа получить значительный объём информации о свойствах транзистора.

Примеры обозначений:

ГТ101А—германиевый биполярный маломощный низкочастотный транзистор, номер разработки 1, группа А.

2Т399А—кремниевый биполярный маломощный СВЧ, номер разработки 99, группа А.

2 П904 Б –кремниевый полевой мощный высокочастотный, номер разработки 4, группа Б. Цифро – буквенное обозначение не указывает, какую проводимость имеет транзистор. Проводимость указывается в условных графических обозначениях ( УГО ):

Биполярный транзистор типа p-n-p проводимости

Биполярный транзистор типа n-p-n проводимости