3.3.10. Герметизация.
Следующим этапом сборки прибора является герметизация. После одевания корпуса его сваривают. Для этого используется конденсаторная сварка на сварочном полуавтомате ПРК12001. После сварки следует обжим штенгеля под прессом. На следующей операции производится проварка штенгеля вывода. Для этого применяют машину точечной сварки серии МТ.
На следующем в выводе пробивается отверстие (пресс КД 2114А).
После этих операций приборы проверяют на герметичность (пузырьковый метод), и передают приборы на никелирование, которое необходимо для защиты устройств от воздействия внешней среды.
3.3.11. Испытания.
На последнем этапе изготовления приборов их подвергают серии испытаний: присвоение токономинала, проверка класса (ВАХ), времени жизни ННЗ, времени обратного восстановления, и других электрофизических параметров.
3.3.12. Маркировка.
После этих испытаний приборы идут на маркировку, а далее на проверку ОТК.
3.3.13. Упаковка.
Заключительной операцией производства СПП является упаковка и сдача на склад готовой продукции.
Методы контроля в производстве СПП
4.1 Общие сведенья о методах контроле в процессе изготовления СПП
В процессе изготовления полупроводниковых приборов на всех стадиях техпроцесса изделия проходят через большое количество операций контроля,
предназначенных как определения правильности проведения процессов и для отбраковки приборов, имеющих дефекты, несоответствующие требованиям к выпускаемой продукции.
Можно выделить такие этапы контроля:
1) Контроль в процессе механической обработки. Здесь контролируются следующие параметры: неплоскостность, непараллельность и толщина пластин.
2) Контроль в процессе диффузии. Контролируемыми параметрами после диффузии являются глубина диффузии, поверхностное сопротивление, время жизни неосновных носителей заряда, толщина окисла, и выборочно тип проводимости.
4) Контроль в процессе металлизации. Здесь контролируют толщину металлического покрытия.
5) Контроль в процессе сборки. На этом этапе контролируют герметичность, внешний вид и ВАХ прибора.
4.2 Контроль в процессе механической обработки
Контроль неплоскостности (прогиб), непараллельности (клин) и толщину пластин контролируют с помощью микрометрических приборов. Состояние шлифованной поверхностей полупроводниковых пластин и кристаллов, а также боковых граней кристаллов после резки контролируют визуально невооруженным глазом или под микроскопом.
4.3 Контроль параметров после диффузии
4.3.1 Контроль глубины диффузии
Глубина проникновения примеси Dх определяется методом шарового шлифа. При этом имеют место следующие операции:
1.Пластину закрепляют на столике при помощи пластилина;
Поднимают столик до соприкосновения с шаром;
Наносят на шарик суспензию микропорошка;
Включают установку и снимают шлиф 20-30 сек.
(ширина лунки 3.5-6мм);
Выключают установку
Промывают пластину
Сушат на фильтровальной бумаге
Смачивают 1% раствором СuSO4 шлиф для "проявки" n и p области (n – область красная, р – темно-серая)
Промывают и сушат пластину.
Кладут пластину на столик микроскопа и измеряют длину хорды h (рисунок 3.1) при увеличении микроскопа 2х или 4х несколько раз, затем берут среднее арифметическое значение показаний.
По таблице определяют глубину проникновения диффузанта.
h
р
n
Рисунок. 4.1 Определение глубины проникновения диффузанта в кремний.