- •Основное назначение спп (силовых полупроводниковых приборов)
- •Основная номенклатура.
- •Основные сферы применения
- •Разработка новых технологий
- •2.1 Типовой технологический процесс изготовления спп
- •Общая характеристика полупроводникового тиристора т-142
- •Технологический процесс изготовления тиристора т-142
- •2.3.1 Механическая обработка
- •2.3.2 Техпроцесс диффузии бора
- •2.3.3 Техпроцесс первой фотолитографии
- •2.3.4 Техпроцесс диффузии фосфора и бора
- •2.3.5 Техпроцесс второй фотолитографии
- •2.3.6 Техпроцесс металлизации
- •2.3.7 Техпроцесс изготовления п-п структуры и сборки прибора т-142
- •3 Диод .Д106
- •3.1. Общие сведения о диоде д106.
- •3.1.1. Параметры диода д106.
- •3.3.2. Диффузия.
- •3.3.3. Окисление.
- •3.3.4. Фотолитография.
- •3.3.5. Стеклопассивация.
- •3.3.6. Металлизация.
- •3.3.7. Скрайбирование, облуживание.
- •3.3.8. Травление.
- •3.3.9. Пайка арматуры.
- •3.3.10. Герметизация.
- •4.2 Контроль в процессе механической обработки
- •4.3 Контроль параметров после диффузии
- •4.3.1 Контроль глубины диффузии
- •4.3.2 Контроль поверхностного сопротивления
- •4.3.3 Измерение времени жизни неосновных носителей заряда
- •4.3.4 Контроль типа проводимости п/п материалов
- •4.4 Контроль толщины металлизации
- •4.4.1 Гравиметрический метод (гост 9.302-88)
- •4.4.2 Кулонометрический метод
- •4.4.3 Метод капли
- •4.4.4 Метод вихревых токов
4.4.3 Метод капли
Метод основан на растворении покрытия соответствующим раствором, наносимым на поверхность каплями и выдерживаем в течении определенного промежутка времени.
Метод применяют для однослойных и многослойных покрытий (послойно). При проведении измерения на поверхности покрытия из капельницы наносят одну каплю раствора, выдерживают время, и насухо удаляют фильтровальной бумагой. Затем наносят вторую каплю и повторяют до растворения покрытия.
Толщину покрытия h в микрометрах вычисляю по формуле
h = hк(n – 0.5), (4.3)
где hк толщина покрытия, снимаемая одной каплей раствора за определенное время, мкм;
n – количество капель, израсходованных на растворение покрытия.
Относительная погрешность метода 30%.
4.4.4 Метод вихревых токов
Метод основан на регистрации взаимодействия магнитного поля преобразователя с электромагнитным полем вихревых токов, наводимых этим преобразователем в детали и зависящих от электрофизических и геометрических параметров основного металла и покрытия.
Метод применяют для неэлектрических покрытий на неферромагнитных металлах и электропроводящих покрытий на неферромагнитных металлах.
4.5 Контроль в процессе изготовления полупроводникового элемента и сборки прибора
В процессе изготовления полупроводникового элемента после вырезки структур контролируется их диаметр с помощью микроскопа; после герметизации контролируют герметичность прибора пузырьковым методом.
Также на многих этапах изготовления полупроводникового элемента контролируют вольтамперные характеристики (ВАХ) прибора. Эта операция производится после травления фаски, после её защиты и на определительных операциях. При измерении ВАХ используется стандартная измерительная аппаратура: вольтметры, амперметры, осциллографы. Проверка ВАХ необходима для проверки соответствия электрофизических параметров приборов заданным техническим условиям и правильности выполнения техпроцессов.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В процессе прохождения практики было произведено ознакомление с производственной базой и основными технологическими процессами производства силовых полупроводниковых приборов на ООО "Элемент-преобразователь".
Завод обладает мощностями, которые позволяют выпускать до 4 млн. шт. приборов в год различной номенклатуры (суммарно), но производство задействовано менее чем на 10%.
Технология и технические решения современны по замыслу.
Технологические парк оборудования и энергетики устарели и последние 10 лет обновлялись незначительно. Часть оборудования потерпела моральный и физический износ и требует обновления. Требуется модернизация и ряда технологических процессов, хотя в последнее время наметились тенденции к увеличению объемов производства и внедрения новых технологий.