3 Диод .Д106
3.1. Общие сведения о диоде д106.
3.1.1. Параметры диода д106.
Максимально допустимый средний прямой ток при температуре корпуса 85°С, А |
10 … 25 |
Повторяющееся импульсное обратное напряжение, В – не более |
100 … 1000 |
Импульсное прямое напряжение, В – не более |
1,35 |
Повторяющийся импульсный обратный ток при температуре 125°С, мА – не более |
1 |
Ударный прямой ток при температуре 125°С и при длительности 10 мс, А – не более: Д106-10; Д106-16; Д106-20 Д106-25 |
200 250 |
Максимально допустимая температура перехода, °С |
125 |
Минимально допустимая температура перехода, °С |
- 40 |
Габаритные размеры, мм |
10,63Х29,4Х4,8 |
Масса, г: Д106-10; Д106-16 Д106-20; Д106-25 |
2,2 2,5 |
3.1.2. Маркировка диода Д106.
Диод Д
Конструктивное исполнение диода 106
Средний прямой ток 10 – 25 А
Обозначение обратной полярности у диода Х
Класс 10
3
.2.
Блок-схема технологического процесса
производства диода Д106.
3.3. Технологический процесс изготовления диода Д106.
3.3.1. Механическая обработка.
Механическая обработка является одним из важных технологических процессов. При изготовлении СПП имеет место следующие операции механической обработки:
1) Шлифование кристаллов по образующей
2) Отклеивание центрирующих накладок
3) Шлифование базового и ортогонального срезов
5) Травление монокристаллов кремния
6) Приклеивание графитовой накладки
7) Резка монокристаллов на пластины
8) Очистка пластин
9) Контроль
10) Двухстороннее шлифование
11) Промывка
13) Сушка
14) Контроль
Полупроводниковые материалы поступают на участок механической обработки в виде слитков.
Шлифование монокристаллов по образующей необходимо для выравнивания их боковой поверхности и получения в последствии пластин равного диаметра. Ведется на универсальных или специальных кругошлифовальных станках 3А12, 3Б12 или 312М алмазным шлифовальным кругом. Предварительно к торцам слитка наклеечной мастикой наклеиваются центры. При шлифовании слиток охлаждается водой. После шлифования центрирующие накладки отклеивают.
Для обеспечения правильной обработки в последующих техпроцессах на слитке формируются базовый и ортогональный срезы, которые обычно параллельны одной из кристаллографических плоскостей.
После этих операций на поверхности монокристалла образуется нарушенный слой глубиной до 250 мкм. Для его снятия кристаллы подвергают операции химического травления.
Для дальнейшей операции – резки монокристалла на пластины, его приклеивают к графитовой планке и наклеивают монокристалл на оправку.
Для разделения слитка на пластины применяется резка алмазным диском с внутренней режущей кромкой. Для этого используется установка ТS-23. Скорость подачи диска 25-30 мм/мин. Толщина пластин необходимых для производства данного прибора 0.39-0.03 мм. Следующей операцией является отмывка пластин.
После данных операций проводится выборочный контроль погрешности формы пластин (неплоскостность, непараллельность и толщина). Допустимая погрешность 30 мкм. Пластина монокристалла после предыдущих операций не обладает требуемыми размерами, формой и глубиной нарушенного слоя. Для исправления имеющихся в пластине дефектов ее подвергают двухсторонней шлифовке. Для этого используется станок АL-2. Главной конструктивной особенностью применяемого станка является планетарный механизм, обеспечивающий планетарное движение сепараторов с вложенными в их отверстия кремниевыми пластинами, между верхним и нижним шлифовальниками. Скорость вращения плит 40 об/мин. Размер абразивного зерна на данной операции 18 мкм. Толщина пластин после шлифования
0.27-0.03 мкм.
Далее пластины подвергают ультразвуковой мойки с целью избавления от остатков абразива и других загрязняющих материалов. После УЗМ пластины сушатся.
Заключительной операцией механической обработки является контроль. Контролируются толщины пластины. Так же проводятся визуальный контроль ее поверхности. Пластины, имеющие царапины подвергают подшлифовке вручную. Пластины, имеющие трещины бракуют.