2.3.3 Техпроцесс первой фотолитографии

Техпроцесс первой фотолитографии представлен в таблице 2.4

Таблица 2.4 – Техпроцесс первой фотолитографии

Рисунок	Наименование операции	Параметры	Режимы	Материалы
	Формирование рисунка в слое фоторезиста (линия фотолитографии)	T140-4 cтр/пл	Подготовка пластин T = (75050)^0C t = 15 - 20 мин Нанесение (1 стор.) tзад = 1.0 – 2.5 сек tвр = 10 - 25 сек V=1500–2000 об/мин Сушка T = (90-100)^0C t = 25 - 40 мин Экспонирование t = 10 – 30 сек Проявление t = 30 - 80 сек Дубление T = (120-150)^0C t = 30 - 60 мин	С2Н5ОН фоторезист ФП-383 2% р-р(раствор) Na3PO4 (водный) 800 мл. на 100

Продолжение таблицы 2.4

Рисунок	Наименование операции	Параметры	Режимы	Материалы
	Подготовка к травлению (ретушировка)		t = 5 - 10 мин T = (7010)^0C t = 20 - 25 мин	Лак ХВ – 784 разбавленный толуолом 2:1
	Защита обратной стороны лаком		Вязкость 20 – 25 с tна возд = 5 - 10 мин T = (7010)^0C t = 5 - 10 мин	Лак ХВ – 784
	Селективное травление	 = 60 – 80 Ом/	t = 20 – 50 мин до скатывания р-ра отмывка до нейтр. реакции Сушка Т = (7510)^0C t = 10 – 20 мин	NH4F – 300 г. HF – 100 мл H2О – 600 мл 1 л на 3000 пластин
	Снятие лака (вручную)			Липкая лента
	Снятие фоторезиста (шкаф 2ш-нж)		Кипение t = 10 мин Промывка Кипение t = 10 мин обработка 3 раза через промывку t = 1.5 – 2 мин Т = (7510) ^0C	Диэтилфорамид H2О r ³ 18 МОм КOH:H2O2: H2О = 1:2:30 H2О r ³ 18 МОм

2.3.4 Техпроцесс диффузии фосфора и бора

Техпроцесс диффузии фосфора и бора представлен в таблице

Таблица 2.5 – Техпроцесс диффузии фосфора и бора

Рисунок	Наименование операции	Параметры	Режимы	Материалы
	Подготовка пластин к диффузии		Кипение t = 5 мин отмывка до нейтральной р-ции Кипение t = 5 мин отмывка до нейтральной р-ции После каждой промывки УЗМ Загрузка по 70 пластин Tводы = (55-70)^0C t = 5 мин, 3 раза	H2О2:NH4OH: H2О = 1:1:7 H2О2:HCl: H2О = 1:1:6 H2О r ³ 18 МОм
	Нанесение диффузанта	Диффузант наносится с управляющей стороны	V = (3000500)об/мин. t = 3 – 5 c n = 3 – 5 капель	Источник С2Н5ОН – 50 мл H3PO4 – 7 мл HNO3 – 10 кап Al(NO3)3 12мл ТЭОС – 7 мл крошка окиси Al
	Загонка примеси (электропечь СУОМ 1.2 6.1/13.5-И1)	n+  4.2 Ом/	Tзагр = (62525)^0C tвыд = 1ч Tзагон = (115020)^0C tзаг = 1ч Tохл = (62525)^0C tвыд = 1ч Tвыгр = (62525)^0C
	Стравливание Фосфорсиликат-ного стекла (Ф-С.С) и окисла с обратной стороны		t = 20 мин отмывка до нейтр. реакции УЗМ Tводы = (70-80)^0C t = 5 мин. 5 раз	НF расход 3.5 л на 128 шт H2О r ³ 18 МОм

Продолжение таблицы 2.5

Рисунок	Наименование операции	Параметры	Режимы	Материалы
	Подготовка пластин к диффузии		t = 7 мин отмывка до нейтральной р-ции УЗМ Tводы = (70-80)^0C t = 5 мин. 5 раз	НCl:HNO3 = 3:1 расход 3.5 л на 128 шт H2О r ³ 18 МОм
	Нанесение диф. наобратную сторону		V = (3000500)об/мин. t = 3 – 5 c n = 3 – 5 капель	HBO3 – 22 г. С2H5OH – 300 мл ТЭОС – 24 мл
	Дуффузия В; Р (электропечь СДОМ 125В-15.0)	ннз  14 мкс хn=20 – 24 мкм n+  2.1 Ом/ p+  2.1 Ом/	Tзагр = (62525)^0C Tдиф = (121010)^0C t = 5ч Tдиф = (80010)^0C t = 4ч Tвыгр = (62525)^0C
	Подготовка пластин к окислению		t = 20 мин отмывка до нейтральной р-ции t = 7 мин отмывка до нейтральной р-ции После каждой промывки УЗМ Загрузка по 70 пластин Tводы = (55-70)^0C t = 5 мин, 3 раза	НF расход 3.5 л на 128 шт НCl:HNO3 = 3:1 расход 3.5 л на 128 шт H2О r ³ 18 МОм
	Окисление (электропечь СДО 125/4А)		Загрузка при Tзагр = (10155)^0C t в парах H2О 2 час tсух О2 – 1 час Tвыгр = (62525)^0C