6.5. Схема включения транзистора с общим коллектором

Схема включения транзистора с общим коллектором и распределение токов в его структуре приведены на рис. 6.14.

Схема включения транзистора с общим коллектором (ОК) имеет следующие семейства характеристик:

– выходные I_Э = f (U_ЭК) при постоянном значении тока базы I_Б = const;

– входные I_Б = f (U_БК) при постоянном напряжении U_ЭК = const.

Характеристики схемы с общим коллектором схожи с характеристиками схемы с общим эмиттером, так как они снимаются при условии R_К = R_Э = 0.

Рис. 6.14. Распределение токов в схеме включения транзистора

с общим коллектором

6.6. Схемы включения транзистора как усилителя

электрических сигналов

Одна из основных областей применения биполярного транзистора - усиление электрических сигналов. Для использования транзистора в качестве усилителя напряжения, тока или мощности входной сигнал, который надо усилить, подают на два каких-либо электрода, и с двух электродов схемы снимают усиленный сигнал. В усилительных схемах биполярные транзисторы работают в активном режиме, напряжения на их выводах содержат постоянную и переменную составляющие.

6.6.1. Схема включения транзистора с общей базой

Схема включения транзистора с общей базой как усилителя сигналов приведена на рис. 6.15. Источник сигнала (ИС) в этой схеме включается в цепь эмиттера, сопротивление нагрузки R_н – в цепь коллектора.

Рис. 6.15. Схема включения транзистора с общей базой

как усилителя сигналов

6.6.2. Схема включения транзистора с общим эмиттером

Схема включения транзистора с общим эмиттером как усилителя сигналов приведена на рис. 6.16. Источник сигнала (ИС) в этой схеме включается в цепь базы, сопротивление нагрузки R_н – в цепь коллектора.

Рис. 6.16. Схема включения транзистора с общим эмиттером

6.6.3. Схема включения транзистора с общим коллектором

Схема включения транзистора с общим коллектором как усилителя сигналов приведена на рис. 6.17. Источник сигнала (ИС) в этой схеме включается в цепь базы, сопротивление нагрузки R_н – в цепь эмиттера.

Рис. 6.17. Схема включения транзистора с общим коллектором

Используя статические характеристики транзистора, можно определить важные параметры основных схем включения транзистора.

Свойства схем усиления на транзисторах определяются коэффициентами усиления по току k_I, напряжению k_U, мощности k_P и значением сопротивлений входной R_вх и выходной R_вых цепей.

Эти параметры могут быть определены экспериментально и рассчитаны по характеристикам с помощью следующих выражений:

(6.10) (6.13)

(6.11) (6.14)

; (6.12)

Значения параметров можно представить в виде таблицы (табл. 6.1).

Таблица 6.1

Параметры основных схем включения транзисторов

Параметры	Схема с общей базой	Схема с общим эмиттером	Схема с общим коллектором
Rвх	Единицы – десятки Ом	Сотни Ом – единицы кОм	Десятки – сотни кОм
Rвых	Сотни кОм –единицы МОм	Единицы – десятки кОм	Сотни Ом – единицы кОм
kI	Немного меньше 1 ( = 0,92-0,999)	Десятки – сотни ( = 10-1000)	Десятки – сотни
kU	Десятки – сотни	Десятки – сотни	Немного меньше 1
kP	Десятки – сотни	Десятки – сотни тысяч	Десятки – сотни