- •1. Предмет электроники, ее роль в науке и технике
- •2. Полупроводниковые приборы
- •2.1. Электрические свойства полупроводниковых материалов
- •2.2. Механизм электропроводности полупроводников
- •2.2.1. Собственная электропроводность
- •2.2.2. Примесная проводимость
- •2.3. Электронно-дырочный переход (эдп)
- •2.3.1. Технологии изготовления эдп
- •2.3.1.1. Сплавная технология
- •2.3.1.2. Диффузионная технология
- •2.3.2. Эдп при отсутствии внешнего напряжения
- •2.3.3. Эдп при прямом напряжении
- •2.3.4. Эдп при обратном напряжении
- •2.3.4.1. Механизм установления обратного тока при приложении
- •3. Полупроводниковые диоды
- •3.1. Вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •3.2. Параметры полупроводниковых диодов
- •4. Виды пробоев эдп
- •4.1. Зеннеровский пробой
- •4.2. Лавинный пробой
- •4.3. Тепловой пробой
- •4.4. Поверхностный пробой
- •5. Основные типы полупроводниковых диодов
- •5.1. Устройство точечных диодов
- •5.2. Устройство плоскостных диодов
- •5.3. Условное обозначение силовых диодов
- •5.4. Условное обозначение маломощных диодов
- •5.5. Конструкция штыревых силовых диодов
- •5.6. Лавинные диоды
- •5.7. Конструкция таблеточных диодов
- •5.8. Стабилитрон
- •5.9. Туннельный диод
- •5.10. Обращенный диод
- •5.11. Варикап
- •5.12. Фотодиоды, полупроводниковые фотоэлементы и светодиоды
- •6. Транзисторы
- •6.1. Распределение токов в структуре транзистора
- •6.2. Схемы включения транзисторов. Статические вах
- •6.3. Схема включения транзистора с общей базой
- •6.4. Схема включения транзистора с общим эмиттером
- •6.5. Схема включения транзистора с общим коллектором
- •6.6. Схемы включения транзистора как усилителя
- •6.7. Краткие характеристики схем включения транзистора. Области применения схем
- •6.7.1. Схема включения транзистора с общей базой
- •6.7.2. Схема включения транзистора с общим эмиттером
- •6.7.3. Схема включения транзистора с общим коллектором
- •6.8. Режимы работы транзистора
- •6.9. Работа транзистора в ключевом режиме
- •6.10. Малосигнальные и собственные параметры транзисторов
- •6.11. Силовые транзисторные модули
- •6.12. Параметры биполярных транзисторов
- •6.13. Классификация и системы обозначений (маркировка) транзисторов
- •6.14. Полевые транзисторы
- •6.14.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
- •6.14.2. Вольт-амперные характеристики полевого транзистора
- •6.14.3. Основные параметры полевого транзистора
- •6.14.4. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •6.14.4.1. Мдп-транзисторы со встроенным каналом
- •6.14.4.2. Мдп-транзистор с индуцированным каналом
- •6.14.5. Достоинства и недостатки полевых транзисторов
- •6.15. Технологии изготовления транзисторов
- •6.16. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt - транзисторы)
- •6.17. Силовые модули на основе igbt-транзисторов
- •7. Тиристоры
- •7.1 Назначение и классификация
- •7.2. Диодные и триодные тиристоры
- •7.3. Переходные процессы при включении и выключении тиристора
- •7.3.1. Переходные процессы при включении тиристора
- •7.3.2. Переходные процессы при выключении тиристора
- •7.4. Основные параметры тиристоров
- •7.5. Маркировка силовых тиристоров
- •7.6. Лавинные тиристоры
- •7.7. Симметричные тиристоры (симисторы)
- •7.8. Полностью управляемые тиристоры
- •7.9. Специальные типы тиристоров
- •7.9.1. Оптотиристоры
- •7.9.2. Тиристоры с улучшенными динамическими свойствами
- •7.9.2.1. Тиристоры тд (динамические)
- •7.9.2.2. Тиристоры тб (быстродействующие)
- •7.9.2.3. Тиристоры тч (частотные)
- •7.9.3. Тиристор, проводящий в обратном направлении (асимметричный)
- •7.9.4. Тиристор с обратной проводимостью (тиристор-диод)
- •7.9.5. Комбинированно-выключаемый тиристор (квк)
- •7.9.6. Полевой тиристор
- •7.10. Конструкции тиристоров
- •8. Групповое соединение полупроводниковых приборов
- •8.1. Неравномерности распределения нагрузки при групповом соединении
- •8.2. Параллельное соединение полупроводниковых приборов
- •8.3. Последовательное соединение полупроводниковых приборов
- •8.4. Параллельно-последовательное соединение полупроводниковых приборов
- •9. Охлаждение силовых полупроводниковых приборов
- •9.1. Способы охлаждения полупроводниковых приборов
- •9.2. Воздушное естественное и принудительное охлаждение
- •9.3. Испарительное охлаждение с промежуточным теплоносителем
- •9.4. Сравнение систем охлаждения
6.14.2. Вольт-амперные характеристики полевого транзистора
с управляющим p-n-переходом
Схема включения транзистора с управляющим p-n-переходом имеет следующие характеристики (рис. 6.33):
– выходную (стоковую) Ic = f(Uси) при Uзи = const;
– передаточную (стоко-затворную) Ic = f(Uзи).
На выходной (стоковой) характеристике можно выделить три области:
– область I – область сильной зависимости тока стока Ic от напряжения Uси;
– область II – область слабой зависимости тока стока Ic от напряжения Uси;
– область III– область пробоя p-n-перехода.
При напряжении Uзи = 0 в области малых значений влияния напряжения Uси на проводимость канала не велико. На участке (0-а) практически линейная зависимость (рис. 6.33, а). С увеличением напряжения Uси (участок (а-б)) сужение токопроводящего канала оказывает существенное влияние на ток стока Iс. Точка (б) – точка смыкания p-n-переходов. Дальнейшее повышение напряжения Uси (в области II) не должно приводить к изменению тока стока Iс. Некоторое увеличение тока стока связано с наличием утечек и влиянием сильного поля в p-n-переходе. Область III – область лавинного пробоя p-n-перехода по цепи «сток-затвор». Напряжение пробоя соответствует напряжению Uси в точке (в).
а б
Рис. 6.33. Вольт-амперные характеристики транзисторов с управляющим
p-n-переходом: а – выходная (стоковая); б – передаточная (стоко-затворная)
Приложение к затвору обратного напряжения вызывает сужение канала, поэтому точки б1, б2, … б4 расположены ниже.
Важным параметром является значение напряжения Uзи 0 (напряжение запирания или отсечки), при котором ток стока стремится к нулю.
Передаточная (стоко-затворная) характеристика Ic = f(Uзи) приведена на рис 6.33, б. При Uзи = 0 ток стока имеет максимальное значение.
6.14.3. Основные параметры полевого транзистора
с управляющим p-n-переходом
Основными параметрами полевого транзистора с управляющим p-n-переходом являются:
максимальное значение тока стока Iс макс (точка в на выходной характеристике при Uзи = 0);
2) максимальное значение напряжения сток-исток Uси макс (в 1,2-1,5 раз меньше напряжения участка сток-затвор (точка в’ ) при Uзи=0);
3) напряжение отсечки (запирания) Uзи 0 = Uзап, при котором ток стока Iс макс стремится к нулю;
4) внутреннее сопротивление (характеризует наклон выходных характеристик на участке II):
(6.23)
5) крутизна стоко-затворной характеристики (отражает влияние напряжения Uзи на выходной ток стока Iс ):
(6.24)
6) входное сопротивление (определяется сопротивлением p-n-переходов, смещенных в обратном направлении; даже при больших приращениях Uзи приращение тока затвора приблизительно равно нулю, а значит входное сопротивление очень большое):
(6.25)
7) выходное сопротивление
(6.26)
В режиме насыщения значительное приращение напряжения dUси вызывает незначительное приращение тока dIс, поэтому выходное сопротивление Rвых большое и составляет десятки кОм;
8) коэффициент усиления
(6.27)
Показывает во сколько раз изменение напряжения dUзи сильнее влияет на изменение тока dIс, чем напряжение Uси. Обычно = 10-100.