6.11. Силовые транзисторные модули

Для управления силовыми транзисторами требуются значительные токи управления, что не всегда можно реализовать в схемах. Для снижения тока управления (тока базы) используется составной транзистор, который собирается из двух отдельных транзисторов, либо две транзисторные структуры устанавливаются в общий корпус. Такой прибор называется транзисторным модулем. Схема силового транзисторного модуля приведена на рис. 6.26.

При открытии транзистора VT1 током базы I_Б1 через его коллекторную цепь протекает ток базы транзистора VT2, при этом I_К1 = I_Б2. Ток базы транзистора VT1, являющийся током управления такого модуля, меньше тока базы транзистора VT2 (I_Б1  I_Б2). Резисторы R₁ и R₂ обеспечивают отрицательное смещение на базах транзисторов и их полное запирание при отсутствии положительных сигналов на базах. Диод VD исключает подачу на базу транзистора VT1 отрицательного сигнала из внешней цепи.

Рис. 6.26. Схема силового транзисторного модуля

Структуры транзисторов смонтированы в корпусе электрически изолированно от общего основания, что позволяет несколько модулей устанавливать на общий радиатор (охладитель) независимо от схемы их соединения.

6.12. Параметры биполярных транзисторов

Различают электрические параметры, предельные эксплуатационные параметры и параметры эквивалентных схем (параметры схем замещения).

К электрическим параметрам относятся:

– f_h21(f_) – предельная частота коэффициента передачи тока транзистора;

– h_21Э() – статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером;

– U_{КЭ 0 гр} – граничное напряжение транзистора;

– U_{КЭ нас} – напряжение насыщения коллектор - эмиттер;

– U_{ЭБ нас} – напряжение насыщения эмиттер - база;

– С_К, С_Э – емкости коллекторного и эмиттерного переходов соответственно;

– I_кбо, I_эбо – обратные токи коллектора и эмиттера соответственно.

К предельно-допустимым параметрам относятся:

– U_КБ, U_ЭБ – постоянные напряжения коллектор-база и эмиттер-база соответственно;

– Р_{К макс} – постоянная рассеиваемая мощность коллектора (определяет нагрузочную способность транзистора);

– Т_п – температура перехода.

6.13. Классификация и системы обозначений (маркировка) транзисторов

Выпускаемые промышленностью транзисторы классифицируют по мощности и частоте. В настоящее время используют транзисторы как со старой маркировкой, так и с новой.

Старая маркировка содержит три элемента:

1 элемент – буква П (плоскостной транзистор) или МП (модернизированный плоскостной);

2 элемент – порядковый номер разработки транзистора, характеризующий его полупроводниковый материал, мощность рассеяния (малая – до 0,25 Вт и большая – более 0,25 Вт) и частотные свойства (низкочастотные – до 5 МГц и высокочастотные – свыше 5 МГц);

3 элемент – буква, характеризующая свойства транзистора внутри одного типа (коэффициент передачи тока базы  и др.).

Номера разработки транзисторов при таком обозначении указаны в табл. 6.2.

Таблица 6.2

Порядковые номера разработки транзисторов в зависимости от материала и мощности рассеяния (старая маркировка)

Полупроводниковый материал	Номера разработки транзисторов
	Низкочастотные		Высокочастотные
	Малой мощности	Большой мощности	Малой мощности	Большой мощности
Германий	1-99	201-299	401-499	601-699
Кремний	101-199	301-399	501-599	701-799

В соответствии с табл. 6.2 транзистор П5А является германиевым низкочастотным малой мощности, а П302Б – кремниевым низкочастотным большой мощности.

Новая система маркировки содержит четыре элемента:

1 элемент – буква, обозначающая материал, на основе которого выполнен транзистор (Г – германий, К – кремний, А – арсенид галлия);

2 элемент – буква Т (транзистор биполярный), буква П (транзистор полевой);

3 элемент – порядковый номер разработки прибора, характеризующий его мощность рассеяния и частотные свойства;

4 элемент – буква, характеризующая свойства транзистора внутри одного типа (допустимые ток и напряжение).

Номера разработки транзисторов при таком обозначении указаны в табл. 6.3.

В соответствие с табл. 6.3: КТ805А – транзистор биполярный кремниевый большой мощности, предназначенный для работы с частотой до 30 МГц; ГТ150Б – транзистор германиевый низкочастотный транзистор малой мощности.

Таблица 6.3

Порядковые номера разработки транзисторов в зависимости от мощности

рассеяния и частотных свойств (новая маркировка)

Мощность Рассеяния	Номера разработки транзисторов
	Низкочастотные (до 9 МГц)	Среднечастотные (до 30 МГц)	Высокочастотные (свыше 30 МГц)
Малая (до 0,3 Вт)	101-199	201-299	301-399
Средняя (до 1,5 Вт)	401-499	501-599	601-699
Большая (свыше 1,5 Вт)	701-799	801-899	901-999