6.14.4. Полевые транзисторы с изолированным затвором

В транзисторах с изолированным затвором затвор отделен от полупроводникового канала тонким слоем диэлектрика. Иначе эти приборы называют МДП-транзисторы (металл-диэлектрик-полупроводник). МДП-транзисторы выполняют из кремния. В качестве диэлектрика используют оксид (окисел) кремния SiO₂, отсюда и другое название – МОП-транзисторы (металл-оксид-полупроводник). Наличие диэлектрика обеспечивает высокое входное сопротивление (10¹²-10¹⁴ Ом).

Принцип действия МДП-транзисторов основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Приповерхностный слой полупроводника является токоведущим каналом.

6.14.4.1. Мдп-транзисторы со встроенным каналом

Структура и схема включения МДП-транзистора со встроенным каналом приведены на рис. 6.34.

В исходной пластине чистого или слаболегированного кремния (p-типа), называемого подложкой, созданы области стока, канала и истока n-типа. Четвертый электрод – подложку в большинстве схем соединяют с истоком (рис. 6.34). Подачей управляющего напряжения U_зи на затвор транзистора, за счет создаваемого электрического поля в его структуре, осуществляется управление величины тока стока I_с.

Рассмотрим характеристики МДП-транзистора со встроенным каналом. ВАХ полевых транзисторов с изолированным затвором в основном аналогичны характеристикам транзисторов с управляющим p-n-переходом.

Стоковые (выходные) характеристики транзистора I_c = f(U_си) при U_зи = const приведены на рис. 6.35.

Изолированный затвор позволяет работать в области положительных значение напряжений затвор-исток U_зи. На рис. 6.35 показаны три семейства выходных характеристик в зависимости от значений напряжения U_зи.

Рис. 6.34. Схема включения МДП-транзистора со встроенным каналом

Первое семейство (U_зи = 0). Ток стока I_с определяется исходной проводимостью канала. При малых значениях влияние напряжения U_си на проводимость канала мало, так как по мере приближения к стоку, потенциал возрастает и увеличивается запорный слой (модуляция). При увеличении значений напряжения U_си канал сужается, ток уменьшается. В точке б канал сужается до минимума.

Второе семейство (U_зи < 0). При U_зи < 0 электрическое поле выталкивает электроны, что приводит к уменьшению концентрации их в канале, снижая его проводимость. Этот режим называется режимом «обеднения» канала.

Рис. 6.35. Стоковые (выходные) характеристики МДП-транзистора

со встроенным каналом

Третье семейство (U_зи > 0). При U_зи > 0 электрическое поле притягивает электроны из p-области, увеличивается концентрация их и повышается проводимость канала. Этот режим называется режимом «обогащения» канала носителями.

Стоко-затворная (передаточная) характеристика I_c = f(U_зи) при U_си = const приведена на рис. 6.36.

Рис. 6.36. Стоко-затворная (передаточная) характеристика МДП-транзистора

со встроенным каналом

Меняя полярность и значение напряжения затвор-исток U_зи, можно изменить проводимость канала и, следовательно, ток стока I_с при неизменном значении напряжения сток-исток U_си. В отличие от полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом, при этом изменяется не площадь сечения канала, а концентрация основных носителей заряда.