- •“Конструкторско-технологическое обеспечение производства эвм”
- •1. Среда передачи информации в рэс.
- •2. Определение конструкции. Специфические особенности конструкции эвм.
- •3. Развитие подходов к конструкции и производству эвм. Поколения эвм.
- •4. Система показателей качества конструкции.
- •5. Абсолютные и относительные показатели качества конструкции.
- •6. Способы защиты корпуса комплектного от статического электричества и высокочастотных внешних воздействий.
- •7. Организация процесса конструирования средств вт.
- •8. Основные этапы проведения нир.
- •9. Основные этапы проведения окр.
- •10. Общие технические требования к эвм.
- •11. Системный подход к конструированию средств вт.
- •12. Конструкционные системы средств вт.
- •13. Структура основных размеров конструкционной системы.
- •14. Конструкционная система и существующие госТы.
- •15. Конструкционная система с позиций международных стандартов.
- •16. Технические параметры корпусов ис.
- •17. Основные технологии сбис.
- •18. Сравнительные характеристики основных технологий сбис.
- •19. Бескорпусные ис.
- •20. Материалы и технологии при производстве ис.
- •21. Основные технологические операции при производстве сбис.
- •22. Плата в структуре конструкционной системы.
- •23. Конструкция электрических соединений.
- •24. Виды и способы электрических соединений.
- •25. Основные материалы и технологии печатного монтажа.
- •26. Основные операции при изготовлении печатных плат.
- •27. Многослойные печатные платы.
- •28. Межконтактные соединения из объёмного провода.
- •29. Способы контактирования.
- •30. Неразъёмные соединения.
- •31. Ограниченно-разъёмные соединения.
- •32. Разъёмные соединения.
- •33. Электромагнитная совместимость цифровых схем.
- •34. Помехи в электрически-длинных линиях.
- •35. Помехи в электрически-коротких линиях.
- •36. Методы уменьшения помех.
- •37. Отличительные особенности и типоразмеры корпусов пк.
- •40. Средства поиска неисправностей в пэвм.
- •41. Перспективные технологии производства сбис. Нанотехнология и другие.
- •42. Выбор размеров печатной платы.
- •43. Кабели связи. Электрические, оптические.
- •44. Методика испытаний корпусов комплектных и комплексных на механические воздействия.
- •45. Климатические воздействия на корпус комплексный. Ip-классификатор защиты.
- •46. Радиационная стойкость средств вычислительной техники.
35. Помехи в электрически-коротких линиях.
• Причины помех в ЭКЛС:
1) Паразитные связи между различными электрическими соединениями, а также различная компоновка в пределах одного соединения.
2) Из-за большого числа параллельных связей и высокой плотности компоновки. Необходима защита от этих связей.
• Внутренние паразитные связи определяются конструкцией и параметрами используемых материалов (например, диэлектрической проницаемостью). Чем больше частота, тем меньше должна быть диэлектрическая проницаемость. В отличии от ЭДЛ, здесь применим законы Ома и Кирхгофа.
• Паразитные параметры: емкостные (2), индуктивные (3), кондуктивные (2+3=1).
Общий вид: (в соответствии с законом Ома);
1) , Сн вносит основной вклад: R ~ 1/(Ω∙С)
2) , где М - коэффициент индуктивной связи.
Для уменьшения помех в ЭДЛС и ЭКЛС существуют специальные методы.
36. Методы уменьшения помех.
• Уменьшение помех достигается схемотехническими, конструкционными и технологическими методами, которые применяются либо отдельно, либо в определенной совокупности.
• Схемотехнические методы:
1) Использование элементной базы с максимальной помехоустойчивостью. Метод применяется, если известны ЭМ помехи в месте эксплуатации, причём до начала эксплуатации. Пример: МОП-технология является более устойчивой.
2) Компенсация помех:
– Скрутки проводов (по 2, по 3 провода).
– Провода с экраном.
3) Применение амплитудного и временного стробирования.
– Амплитудное стробирование (напр., использованием триггеров Шмитта).
– Временное – реализуется подачей стробирующего импульса на дополнительный вход логического элемента после подачи сигнала на его основной вход.
4) Использование RC-фильтров (в цепях питания цифровых схем, а также там, где известна фиксированная составляющая напряжения или тока, например в ЭСЛ-логике).
Вводятся параметры:
Кф=Uпом/Uпом.доп. – коэффициент фильтрации;
Rф = Uф/Iф = [(0,05…0,5)∙Eп]/I0
, где Кф.вх. – коэффициент фильтрации.
• Конструкционные методы:
1) Уменьшение числа проводных и т.п. линий связи, по возможности – печатные проводники.
2) Ослабление паразитных связей путем разнесения в пространстве источников и приемников помех:
– Ортогональное расположение проводников в соседних слоях металлизации полупроводников.
– Уменьшение длины взаимодействующих параллельных участков проводников.
3) Использование материалов с минимальной диэлектрической проницаемостью.
4) Увеличение числа точек заземления по линии связи.
5) Увеличение сечения шин питания и заземления.
6) Использование экранированы проводов, бифиляров, сборок, скруток проводов.
7) Частичное или полное экранирование печатных плат.
8) Использование внутренних слоев металлизации в качестве общего заземления или подачи питания.
9) Уменьшение размеров контактных соединений путем замены:
– Разъемных на неразъемные.
– Паяных на сварочные.
• Технологические методы:
1) Уменьшение разброса параметров электронных схем, что достигается изготовлением этих схем за единый технологический процесс.
2) Увеличение однородности линии одного технологического исполнения Rл, Cл, Lл, Zл = const
3) Освоение производства с улучшенными технологическими свойствами (инновации):
– Использование кабельных экранированных соединений
– Использование эластомерных контактов.
4) Использование совокупности методов.