40. Средства поиска неисправностей в пэвм.

1) Если компьютер не включается вообще, следует проверить напряжение в сети питания, если используется блок питания ATX, то надо проверить положение сетевого выключателя. Продолжать поиск неисправности можно внутри корпуса: в случае ATX надо отключить от системной платы кнопку включения питания и замкнуть контакты любым металлическим предметом (возможно, неисправна кнопка или обрыв провода).

2) Если после включения питания слышан шум вентиляторов, значит с питанием всё ок, надо проверять системную плату и выход на блоке питания сигнала power good.

3) Если на монитор информация не выводится, можно попробовать оценить ошибку по звуковым сигналам системы POST. Наиболее распространёнными являются длинные повторяющиеся (проверить контакт в слотах памяти), один длинный и 2 или 3 коротких – проверить видеоадаптер (возможно сбросить CMOS SETUP специальной перемычкой).

4) Определение ошибки по информации на мониторе. Наиболее распространённые ошибки – ошибка клавиатуры (проверить разъёмы ps/2, куда что подключено), ошибка контрольной суммы CMOS (поменять батарейку), нет загрузчика (проверить последовательность загрузки в SETUP), не найден активный раздел (указать в fdisk) и другие.

• Существует множество методов оптимизации скорости загрузки – от отключения полной проверки памяти и типа FDD до установки порядка загрузки HDD-CDROM-FDD и отключения неиспользуемых контроллеров.

41. Перспективные технологии производства сбис. Нанотехнология и другие.

1) Биполярные КМОП технологии (Би-КМОП) – сочетание быстродействия с низким энергопотреблением.

2) GaAs+КМОП – сочетание высокой производительности с низкой стоимостью по сравнению с GaAs технологией. Тактовые частоты свыше 1 ГГц, плотность компоновки – до сотни тысяч вентилей на кристалл; задержка ~ 0,1 нс на вентиль. Применение – специальное: супер-ЭВМ, оборонная промышленность.Существует вариант AlGaAs/GaAs.

3) Схемы на переходах Джозефсона (явление протекание сверхпроводящего тока через тонкий слой диэлектрика, разделяющий два сверхпроводника – достигается туннельный эффект) – приборы с зарядовой связью (ПЗС). Характеризуются функцией производительности = (кол-во вентилей) x (тактовая частота вентиля). Этот показатель на порядок выше, чем у GaAs, и в 15 раз выше, чем у КМОП. В основе этой элементной базы лежат структуры, построенные на ниобии, окиси алюминия-ниобия (свинца и ниобия?), нитрате ниобия. Для практического применения необходимо обеспечение внешних условий, соответствующих требованиям сверхпроводимости (охлаждение). Задержка ~ 1 нс.

4) Оптические элементы – оптоэлектроника, лазерная техника. Используются при магнитооптическом и оптическом способах считывания/записи информации большого объема, в световодных линиях, средствах защиты информации.

5) Молекулярная технология (нанотехнология). Переключение отдельных вентилей на молекулярных и атомных уровнях. Триггер = 15 атомов. Основное достоинство: уровень интеграции в 106 раз выше, чем у кремниевых технологий. Минусы: трудно повторить совокупность элементов с одинаковыми характеристиками (ансамбль), не очень высокое быстродействие, проблемы с обеспечением питания.