- •Схемотехника
- •Аналоговых
- •Электронных
- •Устройств
- •Лекция №1 Введение в дисциплину «Схемотехника аналоговых электронных устройств»
- •1.1. Общие сведения об аналоговых электронных устройствах
- •1.2.Программа дисциплины
- •1.3.Балльно-рейтинговая система оценки знаний.
- •1.4.Рекомендуемая литература.
- •Качественные показатели и характеристики аналоговых электронных устройств.
- •2.1. Основные определения
- •2.2. Входные и выходные показатели.
- •Коэффициент усиления.
- •2.4. Амплитудно-частотная характеристика.
- •2.5.Фазовая характеристика.
- •2.6. Амплитудная характеристика.
- •2.7. Нелинейные искажения.
- •2.8. Переходная характеристика.
- •Лекция №3 Основы построения электронных усилителей
- •3.1. Принципы построения усилительных устройств.
- •3.2. Построение усилительного каскада на электронной лампе.
- •3.3. Построение усилительных каскадов на полевых транзисторах.
- •3.4. Работа электронной лампы и полевого транзистора в схеме аэу.
- •3.5. Особенности построения усилительных каскадов на биполярных транзисторах.
- •3.6. Работа биполярного транзистора в усилительном каскаде.
- •3.7. Схемы межкаскадной связи.
- •Лекция №4 Обеспечение и стабилизация режима работы усилительного элемента по постоянному току.
- •4.1. Режим работы усилительного элемента.
- •4.2. Цепи подачи смещения.
- •4.3. Стабилизация рабочей точки биполярных транзисторов.
- •Лекция №5 Предварительные усилители напряжения
- •5.1. Общие сведения о предварительных усилителях.
- •5.2. Принципиальные схемы предварительных усилителей.
- •5.3. Эквивалентная схема усилителя.
- •5.4. Методика анализа резисторного каскада предварительного усилителя.
- •Лекция №6 Анализ каскада предварительного усиления.
- •6.1. Анализ резисторного каскада в области средних частот.
- •6.2. Анализ резисторного усилителя на высоких частотах.
- •6.3. Анализ резисторного каскада в области нижних частот.
- •Лекция №7 Импульсные и широкополосные усилители.
- •7.1. Общие сведения и принципы построения импульсных усилителей.
- •7.2. Анализ импульсного усилителя в области малых времен
- •7.3. Анализ импульсного усилителя в области больших времен
- •Лекция №8 Цепи коррекций в импульсных и широкополосных усилителях
- •8.1. Назначение корректирующих цепей
- •8.2. Простая индуктивная высокочастотная коррекция
- •8.3. Эмиттерная высокочастотная коррекция
- •8.4. Низкочастотная коррекция
- •Лекция №9 Выходные каскады усилителей
- •9.1. Общие сведения о выходных каскадах
- •9.2. Способы построения однотактных выходных каскадов
- •9.3. Эквивалентная схема трансформаторного каскада
- •9.4. Выходные динамические характеристики
- •9.5. Построение вдх для каскада с емкостной связью
- •9.6. Построение вдх для трансформаторного каскада
- •9.7. Анализ однотактного выходного каскада в режиме а
- •9.8. Анализ однотактного трансформаторного усилителя мощности в режиме а.
- •Лекция №10 Двухтактные выходные каскады
- •10.1. Резисторные двухтактные усилители напряжения
- •10.2. Двухтактный трансформаторный усилитель мощности
- •10.3. Работа двухтактного каскада в режиме в.
- •10.4. Анализ двухтактного трансформатора усилителя мощности
- •10.5. Фазоинверсные схемы
- •Лекция №11 Бестрансформаторные двухтактные усилители мощности
- •11.1 Общие сведения
- •11.2. Принцип построения бестрансформаторного усилителя мощности
- •11.3. Бестрансформаторный усилитель мощности с дополнительной симметрией
- •11.4. Бестрансформаторный усилитель мощности на составных транзисторах
- •Лекция №12 Курсовое проектирование
- •12.1. Цель курсового проектирования
- •12.2 Содержание и тематика проекта
- •12.3. Правила выполнения и оформления курсового проекта
- •12.4. Организация работ и последовательность проектирования
- •Лекция №13 Обратная связь в аналоговых электронных устройствах
- •13.1. Классификация видов обратной связи
- •13.2. Влияние обратной связи на качественные показатели аэу
- •13.3. Влияние оос на входное и выходное сопротивления.
- •13.4. Влияние оос на амплитудно-частотную характеристику
- •Лекция №14 Усилительные каскады с различными видами обратной связи
- •14.1. Усилительные каскады с последовательной оос по току
- •14.2. Влияние элементов автоматического смещения и эммитерной стабилизации на ачх
- •14.4 Усилительный каскад с паралелльной оос по напряжению
- •14.5. Усилитель с глубокой обратной связью
- •14.6. Истоковые и эмиттерные повторители
- •Лекция №15 Усилители постоянного тока
- •15.1. Назначение и особенности построения
- •15.2. Упт с непосредственной связью
- •15.3. Схемы сдвига уровня постоянного напряжения
- •15.4. Дрейф нуля и способы его уменьшения
- •15.5. Балансные усилители постоянного тока
- •Лекция №16 Специальные каскады упт
- •16.1. Дифференциальные усилители
- •16.2. Усилители постоянного тока с преобразованиями сигнала
- •16.3. Упт с использованием оптрона
- •Лекция №17 Аналоговые электронные устройства на интегральных микросхемах
- •17.1. Общие сведения об интегральных микросхемах
- •17.2. Особенности интегральной схемотехники
- •17.3. Усилители низкой частоты на интегральных микросхемах.
- •17.4. Усилитель мощности на интегральных микросхемах
- •Лекция №18 Операционные усилители
- •18.1. Общие сведения об операционных усилителях
- •18.2. Принципиальные схемы операционных усилителей
- •18.3. Свойства и характеристики оу
- •18.3.1. Входные и выходные параметры оу
- •18.3.2. Усилительные параметры и характеристики
- •Лекция №19 Амплитудно-частотная характеристика операционного усилителя. Коррекция оу
- •19.1. Диаграмма Боде
- •19.2. Обеспечение устойчивости оу
- •19.3. Коррекция частотной характеристики оу
- •Лекция №20 Применение оу в устройствах аналоговой обработки сигналов
- •20.1. Неинвертирующий усилитель
- •20.2. Суммирующее устройство
- •20. 3. Повторитель напряжения
- •20.4. Инвертирующий усилитель
- •20.5. Вычитающее устройство
- •20.6. Интегрирующее устройство
- •20.7. Дифференцирующее устройство
- •20.8. Логарифмирующее устройство
- •Лекция №21 Активные фильтры
- •21.1. Общие сведения об активных фильтрах
- •21.2. Пассивные rс – фильтры
- •21.3. Реализация активных фильтров
- •21.4. Активные фильтры высокого порядка
- •21.5. Полосовые и заграждающие аф
- •21.6. Общие сведения о регулировках тембра
- •21.7 Принцип регулировки тембра на основе аф
- •21.8. Регулятор тембра на основе аф
- •Лекция №22 Регулировка усиления
- •22.1. Общие сведения о регулировках усиления
- •22.2. Регулировка усиления изменением входного сигнала
- •22.3. Тонкомпенсирующие регуляторы усиления
- •22.4. Регулировка усиления изминением режима работы усилительного элемента
- •22.5. Регулировка изменением глубины обратной связи.
- •При перемещении движка потенциометра меняется номинал резистора Rос, следовательно, меняется коэффициент передачи обратной связи и коэффициент усиления данного усилителя. Лекция №23 Внутренние шумы
- •23.1. Общие сведения о внутренних шумах
- •23.3. Шумы электрических цепей
- •23.4. Шумы электронных ламп
- •23.5. Внутренние шумы полупроводниковых приборов
3.3. Построение усилительных каскадов на полевых транзисторах.
В полевых транзисторах перенос тока осуществляется основными носителями, а управление током происходит за счет воздействия поперечного электрического поля, создаваемого усиливаемым напряжением, приложенным к управляющему электроду - затвору. Полевые транзисторы обладают рядом преимуществ: низкой входной проводимостью, широким диапазоном рабочих температур и простотой изготовления. Принцип действия полевых транзисторов заключается в изменении сопротивления канала, через который перемещаются носители заряда от истока к стоку. По способу образования канала и изменения его ширины эти транзисторы можно разделить на три группы. К первой относятся транзисторы с управляющим р-n-переходом, у которых ширина канала модулируется за счет изменения запирающего напряжения на р-n-переходе канал-затвор. Остальные две группы составляют транзисторы с изолированным затвором, отделенным от канала тонким слоем диэлектрика. Они имеют структуру металл - диэлектрик - полупроводник и называются МДП-транзисторами. Ко второй группе относятся МДП-транзисторы со встроенным каналом, а к третьей - индуцированным каналом.
Полярность смешения на затворе для транзисторов первой группы должна быть отрицательной, для третьей группы - положительной. Транзисторы второй группы могут работать при любом смещении на затворе. Подложку часто замыкают на исток. При использовании транзисторов с каналом n-типа соответственно меняются полярности питающих напряжений.
Рис.3.2. Характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом каналом n-типа:
а- выходная; б-проходная.
Ток затвора у всех типов полевых транзисторов очень мал. Значение этого тока в транзисторах с управляющим р-n-переходом не превышает долей микроампера, а в МДП-транзисторах - долей пикоампера.
Усилительные свойства полевого транзистора, как и электронных ламп, характеризуются крутизной тока стока S проходной характеристики (рис.3.2,б). Выходная характеристика полевого транзистора при малых значениях напряжения стока Uс имеет омический участок. На этом участке характеристики полевые транзисторы могут быть использованы как управляемые резисторы (рис.3.2,а). При дальнейшем увеличении Uс наступает насыщение тока, сопротивление канала становится очень большим. Ток стока будет зависеть только от U3.
Вывод от подложки в МДП-транзисторах может быть использован как дополнительный управляющий электрод, так как напряжение на подложке влияет на ток стока. Принципиальная схема усилителя на полевом транзисторе с каналом n-типа приведена на рис.3.3.
Рис.3.3. Принципиальная схема усилителя на полевом транзисторе
В усилителях на полевых транзисторах используется способ автоматического смещения (элементы Rи, Си). Остальные элементы схемы имеют те же назначения, что и в усилителях на электронной лампе.
3.4. Работа электронной лампы и полевого транзистора в схеме аэу.
Рассмотрим принцип работы усилителей, приведенных на рис.3.1., 3.3. В этих схемах напряжение усиливаемого сигнала приложено между управляющим электродом и общим электродом последовательно с постоянным напряжением смещения. В выходную цепь включены нагрузочное сопротивлениеи источник питанияЕ. До момента t1 считаем, что Uвх=0. Следовательно, в выходной цепи усилителя протекает только постоянная составляющапя тока Iс0 (см. рис.3.4.2) Потенциал стока определяется выражением Uco=E-IcoRн
Под действием переменного напряжения входного сигнала в выходной цепи происходит изменение тока. При положительной полярностиUвх мгновенное значение Uз уменьшается, вследствие чего транзистор приоткрывается, ток выходной цепи увеличивается. Этот ток создает на резисторепадение напряженияURн(t)=iвых(t)Rн, переменная составляющая которого представляет собой усиленное напряжение сигнала.
Практически усиленное выходное напряжение обычно снимается с резистораи источника питания. Это вызывается необходимостью заземления одного из электродов усилительного элемента, а также стремлением использовать общий источник для питания цепей выходных каскадов. В этом случае выходное напряжение определяется следующим выражением
. (3.2)
При увеличении выходное напряжениеуменьшается. Следовательно, переменные напряжения на входе и на выходе в усилителях с общим катодом и истоком оказываются противофазными (рис.3.4). Действительно, при возрастании мгновенного входного напряжения выходной ток увеличивается, падение напряжения URн возрастает и выходное напряжение уменьшается. Таким образом, рассматриваемые схемы меняют фазу усиливаемого сигнала на 180.
Рис.3.4. Графики напряжений и токов в цепях усилителя: 1 – на управляющем электроде; 2- ток в выходной цепи; 3 – напряжения в выходной цепи.