- •Компонентная база радиоэлектронных средств
- •Компонентная база радиоэлектронных средств. Методические указания к лабораторным работам/ – Одесса: Одесская национальная морская академия, 2010. – 113 с.
- •Введение
- •Лабораторная работа №1
- •Теоретические знания
- •Классификация резисторов
- •Параметры постоянных резисторов
- •Обозначение и маркировка постоянных резисторов
- •Р 1-4-0,5-10 кОм ± 1% а-б-в ожо.467.157ту
- •4. Основные конструкции постоянных резисторов
- •Методика расчета резистивного делителя напряжения
- •Контрольные вопросы
- •Теоретические знания
- •Классификация конденсаторов
- •Параметры постоянных конденсаторов
- •3 Система условных обозначений конденсаторов
- •4 Основные конструкции конденсаторов постоянной емкости
- •5 Характеристика и использование некоторых типов конденсаторов постоянной емкости
- •6 Частотные rc-фильтры
- •6.1 Rc-фильтр высоких частот
- •6.2 Rc-фильтр низких частот
- •Контрольные вопросы
- •Теоретические знания
- •2 Дроссели высокой частоты
- •3 Трансформаторы
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №4 исследование полупроводниковых диодов
- •Лабораторная схема
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •Образование электронно-дырочного перехода
- •Вольтамперная характеристика р-п перехода
- •Полупроводниковые диоды
- •Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- •3.2 Классификация диодов
- •Параметры и применение исследуемых типов диодов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5 Исследование статических параметров биполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- •2 Работа транзистора в активном режиме
- •3 Сравнение различных схем включения транзистора
- •4 Модель Эберса-Молла
- •5 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- •6 Статические характеристики биполярного транзистора
- •7 Работа транзистора в импульсном режиме
- •8 Основные параметры биполярных транзисторов
- •9 Классификация биполярных транзисторов
- •10 Система обозначений биполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6 Исследование статических параметров униполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- •2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- •4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- •5 Основные схемы включения униполярных транзисторов и особенности их применения
- •6 Основные параметры униполярных транзисторов
- •7 Классификация униполярных транзисторов
- •8 Система обозначений униполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №7 исследование топологии толстопленочных интегральных микросхем
- •Лабораторная схема
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •Основные определения
- •Классификация интегральных микросхем
- •Корпуса и маркировка имс
- •Изготовление и проектирование толстопленочных имс
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Содержание
- •Компонентна база радіоелектроних засобів
- •65029, М. Одеса, вул. Дідріхсона, 8
- •Publish@ma.Odessa.Ua
Контрольные вопросы
Приведите структуру и энергетическую диаграмму р-п перехода, находящегося в термодинамическом равновесии.
Приведите структуру и энергетическую диаграмму р-п перехода, находящегося в прямом смещении (обратном смещении).
Приведите ВАХ р-п перехода и укажите на ней основные параметры перехода.
Приведите классификацию диодов и области их применения.
Приведете систему условных обозначений диодов, а также их условно-графические обозначения.
Приведите основные параметры выпрямительных диодов.
Приведите основные параметры импульсных диодов.
Приведите основные параметры стабилитронов. Укажите основные методы стабилизации напряжения с помощью диодов.
Приведите основные особенности диодов Шоттки.
Лабораторная работа № 5 Исследование статических параметров биполярных транзисторов
Цель работы – изучить физические процессы, статические вольтамперные характеристики, графическое определение малосигнальных параметров биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.
.
Лабораторные схемы
В данной лабораторной работе снимаются статические характеристики и по ним рассчитываются малосигнальные параметры биполярных транзисторов 3 различных типов. Все исследуемые образцы установлены на единой плате и подключаются перестановкой соответствующей перемычки. Нумерация образцов на плате следующая:
1. Германиевый сплавной биполярный транзистор р-п-р типа МП41А.
2. Кремниевый диффузионно-эпитаксиальный транзистор п-р-п типа ВС547.
3. Кремниевый диффузионно-эпитаксиальный транзистор п-р-п типа КТ315Е.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора при его включении по схеме с общим эмиттером проводится с помощью лабораторного стенда, упрощенная схема которого приведена на рис.5.1.
Требуемый исследуемый биполярный транзистор подключается к измерительному стенду с помощью установки перемычки J1. Переключатель К4 позволяет изменять полярность напряжения UКЭ, приложенного к коллектору относительно эмиттера. Величина этого напряжения устанавливается потенциометром R1. Переключатель К5 позволяет изменять полярность напряжения UБЭ, приложенного к базе относительно эмиттера. Величина этого напряжения определяет величину базового тока IБ и устанавливается потенциометром R2. Измерение напряжения UКЭ и величины коллекторного тока IК, осуществляется вольтметром V1. Измерение напряжения UКЭ проводится прямым методом в положении «U» переключателя К1. Измерение коллекторного тока IК проводится косвенно, путем измерения напряжения на резисторе R3 известного сопротивления в положении «UR» переключателя К1. Измерение базового тока IК проводится косвенно, путем измерения напряжения на резисторе R4 известного сопротивления в положении «UR» переключателя К2.
Домашнее задание
Изучить принцип действия и основные схемы включения биполярного транзистора, его основные статические характеристики и параметры, графическое определение малосигнальных параметров транзистора, связи h–параметров в разных схемах включения транзистора.
Начертить упрощенную схему стенда для исследования статических характеристик биполярного транзистора (рис.5.1).