Лабораторная работа №7 исследование топологии толстопленочных интегральных микросхем

Цель работы: ознакомление с конструкцией, технологией изготовления и свойствами элементов гибридных и полупроводниковых интегральных микросхем.

Лабораторная схема

Лабораторный стенд содержит образец с ИМС, выполненной по толстопленочной технологии и активные дискретные элементы, которые должны быть установлены на подложке ИМС. Схема принципиальная электрическая исследуемой ИМС приведена на рис.7.1.

Домашнее задание

1. Ознакомиться со схемой принципиальной электрической исследуемой ИМС, выполненной по толстопленочной технологии.

2. Ознакомиться с конструктивно-технологическими особенностями исследуемой ИМС.

3. Подготовить протокол лабораторной работы, в котором начертить схему принципиальную электрическую исследуемой ИМС.

4. В протоколе лабораторной работы начертить шаблон подложки исследуемой ИМС с расположением контактных площадок согласно рис.7.2.

Впротоколе лабораторной работы подготовить таблицу 7.1 с размерами толстопленочных резисторов.

Таблица 7.1 – Параметры толстопленочных резисторов

Обозначение	Номинал сопротивления RНОМ , кОм	Размеры: L хb, мм х мм	Коэффициент формы, КФ	Измеренное сопротивление RИЗМ , кОм	Отклонение сопротивления от номинала ΔR, %	Поверхностное сопротивление ρS, кОм/□	Среднее поверхностное сопротивление ρS ср, кОм/□	Тип резистивной пасты	Необходимость подгонки
1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
R1	1,0	15,26х1,75
R2	7,5	1,75 х 4,74
R3	7,5	1,75 х 4,74
R4	62	5,26 х 1,93
R5	100	7,72 х 1,58
Продолжение табл. 7.2
1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
R6	4,7	1,40 х 6,30
R7	4,7	1,40 х 6,30
R8	10	1,40 х 3,00
R9	7,5	1,75 х 4,74
R10	10	2,45 х 5,26
R11	0,036	1,58 х 4,56
R12	0,036	1,58 х 4,56
R13	6,8	1,75 х 5,61
R14	6,8	1,75 х 5,61
R15	0,100	2,28 х 2,45
R16	0,270	6,67 х 2,45
R17	0,220	5,96 х 2,98