- •Компонентная база радиоэлектронных средств
- •Компонентная база радиоэлектронных средств. Методические указания к лабораторным работам/ – Одесса: Одесская национальная морская академия, 2010. – 113 с.
- •Введение
- •Лабораторная работа №1
- •Теоретические знания
- •Классификация резисторов
- •Параметры постоянных резисторов
- •Обозначение и маркировка постоянных резисторов
- •Р 1-4-0,5-10 кОм ± 1% а-б-в ожо.467.157ту
- •4. Основные конструкции постоянных резисторов
- •Методика расчета резистивного делителя напряжения
- •Контрольные вопросы
- •Теоретические знания
- •Классификация конденсаторов
- •Параметры постоянных конденсаторов
- •3 Система условных обозначений конденсаторов
- •4 Основные конструкции конденсаторов постоянной емкости
- •5 Характеристика и использование некоторых типов конденсаторов постоянной емкости
- •6 Частотные rc-фильтры
- •6.1 Rc-фильтр высоких частот
- •6.2 Rc-фильтр низких частот
- •Контрольные вопросы
- •Теоретические знания
- •2 Дроссели высокой частоты
- •3 Трансформаторы
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №4 исследование полупроводниковых диодов
- •Лабораторная схема
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •Образование электронно-дырочного перехода
- •Вольтамперная характеристика р-п перехода
- •Полупроводниковые диоды
- •Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- •3.2 Классификация диодов
- •Параметры и применение исследуемых типов диодов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5 Исследование статических параметров биполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- •2 Работа транзистора в активном режиме
- •3 Сравнение различных схем включения транзистора
- •4 Модель Эберса-Молла
- •5 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- •6 Статические характеристики биполярного транзистора
- •7 Работа транзистора в импульсном режиме
- •8 Основные параметры биполярных транзисторов
- •9 Классификация биполярных транзисторов
- •10 Система обозначений биполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6 Исследование статических параметров униполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- •2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- •4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- •5 Основные схемы включения униполярных транзисторов и особенности их применения
- •6 Основные параметры униполярных транзисторов
- •7 Классификация униполярных транзисторов
- •8 Система обозначений униполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №7 исследование топологии толстопленочных интегральных микросхем
- •Лабораторная схема
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •Основные определения
- •Классификация интегральных микросхем
- •Корпуса и маркировка имс
- •Изготовление и проектирование толстопленочных имс
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Содержание
- •Компонентна база радіоелектроних засобів
- •65029, М. Одеса, вул. Дідріхсона, 8
- •Publish@ma.Odessa.Ua
6 Статические характеристики биполярного транзистора
Статические характеристики определяют соотношения между токами и напряжениями в транзисторе.
Если напряжение и ток на входе транзистора обозначить как UВХ и IВХ, а напряжение и ток на выходе транзистора – как UВЫХ и IВЫХ, то соотношения между токами и напряжениями в транзисторе можно выразить с помощью четырех систем статических характеристик:
Выходная характеристика – это зависимость выходного тока от выходного напряжения при фиксированном значении входного тока: .
Входная характеристика - это зависимость входного тока от входного напряжения при фиксированном значении выходного тока: .
Характеристика передачи тока - это зависимость выходного тока от входного тока при фиксированном значении выходного напряжения: .
Характеристика обратной связи – это зависимость входного напряжения от выходного напряжения при фиксированном значении входного тока: .
Из указанных четырех систем первые две (входная и выходная) являются основными, а остальные две (передачи тока и обратной связи) - вспомогательными, поскольку являются следствием входных и выходных характеристик.
Рассмотрим статические характеристики транзистора для схемы с общим эмиттером. На рис.5.7 представлены соответственно выходная и входная характеристика п-р-п транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, а также характеристика передачи по току.
Статические характеристики для этой схемы включения транзистора имеет следующие особенности.
В системе h–параметров ток коллектора равняется
, (5.32)
где – начальный ток базы транзистора приІБ = 0;
Для схемы с общим эмиттером , поэтому приколлекторный переход смещен в прямом направлении. Из-за этого крутизна выходных характеристик на участке отдовелика (участок насыщения), а на участкеона существенно уменьшается.
Выходные характеристики в системе h–параметров при постоянном токе базы имеют значительный наклон к оси UKЭ, тем больший, чем больше ток базы. Это связано с тем, что при увеличении UKЭ ток базы ІБ уменьшается. Для выполнения условия необходимо увеличитьUKЭ, что приводит к увеличению тока эмиттера, а значит и тока коллектора. Ток базы значительно меньше зависит от чем ток эмиттера, поэтому для удержания тока базы постоянным, необходимо увеличить.
Ток коллектора равняется нулю при некотором напряжении. Это связано с наличием сопротивления базового переходаrБЭ, тогда точка, которая соответствует условию иимеет место при.
Пробой коллекторного перехода происходит раньше, чем в схеме транзистора с общей базой.
Коэффициент передачи по току в значительной степени зависит от тока базы (рис.5.8).
7 Работа транзистора в импульсном режиме
При работе в импульсном (ключевом) режиме транзисторы включаются по схеме с общим эмиттером (рис.5.9 а). В процессе прохождения тока транзистор работает в трех режимах. В промежутке между импульсами транзистор находится в режиме отсечки, в момент переключения – в активном режиме, в момент прохождения импульса – в режиме насыщения.
В исходном состоянии транзистор находится в режиме отсечки (до времениt0). При подаче на базу импульса тока положительной полярности (в момент времени t0) открывается эмиттерный переход и с задержкой t0 – tЗ появляется коллекторный ток. Задержка связана с конечным временем пролета сквозь базу инжектированных эмиттером носителей заряда. Длительность фронта коллекторного импульса tФ определяется разбросом скоростей инжектированных в базу носителей заряда, в результате не все носители достигают коллектора одновременно. В течение времени tЗ - tФ транзистор работает в нормальном активном режиме, при этом в базе накапливается объемный заряд, созданный инжектированными носителями заряда.
Начиная с момента tФ, коллекторный переход открывается при неизменных значениях напряжений источников питания. Транзистор переходит в режим насыщения, что объясняется следующим образом.
С ростом тока коллектора сопротивление коллекторного перехода уменьшается. В результате этого напряжение источника питания UИК перераспределяется между транзистором и коллекторной нагрузкой RH таким образом, что все большая его часть падает на сопротивлении нагрузки и все меньшая часть – на коллекторном переходе. Поэтому с увеличением коллекторного тока потенциал коллектора (точка К) снижается и становится меньше потенциала базы (точка Б). При условии UК< UБ коллекторный переход открывается и транзистор переход в режим двойной инжекции. Возникающая инжекция носителей заряда из коллектора препятствует возрастанию коллекторного тока, и далее он остается практически неизменным. Такой максимальный ток коллектора называют током насыщения IKнас, а режим двойной инжекции, свойственный открытому состоянию транзисторного ключа, называют режимом насыщения транзистора. Внешним проявлением режима насыщения является независимость тока коллектора IK от тока базы IБ. В режиме насыщения коллекторный ток ограничивается сопротивлением нагрузки RH, а объемный заряд неравновесных носителей заряда в базе в результате двойной инжекции может достигать существенных величин.
В момент времени tИ изменяется направление тока базы и начинается рассасывание носителей заряда, накопленных в базе в режиме насыщения. В момент изменения направления тока базы наблюдается небольшой спад тока коллектора, связанный с изменением падения напряжения на объемном сопротивлении базы. Далее в течение времени tИ – tР ток коллектора изменяется слабо, пока накопленные в базе неосновные носители заряда не уйдут из нее или не рекомбинируют в ней. Время, в течение которого транзистор находится в режиме насыщения после окончания импульса прямого базового тока, называется временем рассасывания. Это время определяется конструкцией транзистора, материалом и значением базового тока.
По окончании процесса рассасывания в течение времени tР – tс транзистор переходит в режим отсечки (после времени tС). Таким образом, при прохождении импульса тока через транзистор изменяется не только форма импульса, но и его длительность.
Времена tЗ, tФ, tР, tС, определяют быстродействие и частотные свойства транзистора. Для увеличения быстродействия транзистора необходимо уменьшать протяженность базовой области, увеличивать подвижность неосновных носителей заряда или увеличивать их диффузионную и дрейфовую скорость.
Качество транзистора в схеме электронного ключа оценивается не только его быстродействием, но и параметрами, характеризующими выходное и входное сопротивление транзистора в режиме насыщения. Важнейшим из них является напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭнас) – напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора. Этот параметр позволяет оценить рассеивание мощности транзисторного ключа в открытом состоянии.