Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лабы1-7_КБРЕ_2010.doc
Скачиваний:
360
Добавлен:
09.02.2016
Размер:
2.65 Mб
Скачать

Контрольные вопросы

  1. Объясните принцип действия биполярных транзисторов.

  2. Приведите систему обозначений биполярных транзисторов.

  3. Приведите сравнительный анализ схем включения транзистора.

  4. В каких режимах может работать биполярный транзистор?

  5. Нарисуйте и объясните выходную характеристику биполярного транзистора.

  6. Нарисуйте и объясните переходную характеристику транзистора.

  7. Что такое система h-параметров для биполярных транзисторов?

  8. Как определить h-параметры по статическим характеристикам транзистора в схеме с общим эмиттером?

  9. Приведите основные параметры биполярных транзисторов.

Лабораторная работа № 6 Исследование статических параметров униполярных транзисторов

Цель работы – изучить физические процессы, протекающие при работе униполярных транзисторов разного типа, их статические вольтамперные характеристики, методику графического определения малосигнальных параметров униполярных транзисторов.

Лабораторные схемы

В данной лабораторной работе снимаются статические характеристики и по ним рассчитываются малосигнальные параметры униполярных транзисторов 3 различных типов. Все исследуемые образцы установлены на единой плате и подключаются перестановкой соответствующей перемычки. Нумерация образцов на плате следующая:

  1. Двухзатворный МДП транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом п-типа КП306В.

  2. МДП транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа КП301Е.

  3. МДП транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом п-типа КП305Е.

  4. Полевой транзистор управляемый р-п переходом и каналом п-типа КП303И.

Исследование статических характеристик униполярных транзисторов включенных по схеме с общим истоком проводится с помощью лабораторного стенда, упрощенная схема которого приведена на рис.6.1.

Домашнее задание

  1. Изучить принцип действия полевого транзистора, который управляется р-п переходом, схемы его включения и основные характеристики.

  2. Изучить принцип действия МДП транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом, схемы его включения и основные характеристики.

  3. Изучить принцип действия МДП транзистора изолированным затвором и встроенным каналом, схемы его включения и основные характеристики.

  4. Подготовить протокол лабораторной работы, в котором начертить схему измерительного стенда.

Требуемый исследуемый униполярный транзистор подключается к измерительному стенду с помощью установки перемычки J1. Переключатель К4 позволяет изменять полярность напряжения UСИ, приложенного к стоку относительно истока. Величина этого напряжения устанавливается потенциометром R1. Переключатель К5 позволяет изменять полярность напряжения UЗИ, приложенного к затвору относительно истока. Величина этого напряжения устанавливается потенциометромR2. Измерение напряжения UСИ и величины стокового тока IС, осуществляется вольтметром V1. Измерение напряжения UСИ проводится прямым методом в положении «U» переключателя К1. Измерение стокового тока IС проводится косвенно, путем измерения напряжения на резисторе R3 известного сопротивления в положении «UR» переключателя К1.