- •Компонентная база радиоэлектронных средств
- •Компонентная база радиоэлектронных средств. Методические указания к лабораторным работам/ – Одесса: Одесская национальная морская академия, 2010. – 113 с.
- •Введение
- •Лабораторная работа №1
- •Теоретические знания
- •Классификация резисторов
- •Параметры постоянных резисторов
- •Обозначение и маркировка постоянных резисторов
- •Р 1-4-0,5-10 кОм ± 1% а-б-в ожо.467.157ту
- •4. Основные конструкции постоянных резисторов
- •Методика расчета резистивного делителя напряжения
- •Контрольные вопросы
- •Теоретические знания
- •Классификация конденсаторов
- •Параметры постоянных конденсаторов
- •3 Система условных обозначений конденсаторов
- •4 Основные конструкции конденсаторов постоянной емкости
- •5 Характеристика и использование некоторых типов конденсаторов постоянной емкости
- •6 Частотные rc-фильтры
- •6.1 Rc-фильтр высоких частот
- •6.2 Rc-фильтр низких частот
- •Контрольные вопросы
- •Теоретические знания
- •2 Дроссели высокой частоты
- •3 Трансформаторы
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №4 исследование полупроводниковых диодов
- •Лабораторная схема
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •Образование электронно-дырочного перехода
- •Вольтамперная характеристика р-п перехода
- •Полупроводниковые диоды
- •Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- •3.2 Классификация диодов
- •Параметры и применение исследуемых типов диодов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5 Исследование статических параметров биполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- •2 Работа транзистора в активном режиме
- •3 Сравнение различных схем включения транзистора
- •4 Модель Эберса-Молла
- •5 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- •6 Статические характеристики биполярного транзистора
- •7 Работа транзистора в импульсном режиме
- •8 Основные параметры биполярных транзисторов
- •9 Классификация биполярных транзисторов
- •10 Система обозначений биполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6 Исследование статических параметров униполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- •2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- •4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- •5 Основные схемы включения униполярных транзисторов и особенности их применения
- •6 Основные параметры униполярных транзисторов
- •7 Классификация униполярных транзисторов
- •8 Система обозначений униполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №7 исследование топологии толстопленочных интегральных микросхем
- •Лабораторная схема
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •Основные определения
- •Классификация интегральных микросхем
- •Корпуса и маркировка имс
- •Изготовление и проектирование толстопленочных имс
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Содержание
- •Компонентна база радіоелектроних засобів
- •65029, М. Одеса, вул. Дідріхсона, 8
- •Publish@ma.Odessa.Ua
Контрольные вопросы
Объясните принцип действия биполярных транзисторов.
Приведите систему обозначений биполярных транзисторов.
Приведите сравнительный анализ схем включения транзистора.
В каких режимах может работать биполярный транзистор?
Нарисуйте и объясните выходную характеристику биполярного транзистора.
Нарисуйте и объясните переходную характеристику транзистора.
Что такое система h-параметров для биполярных транзисторов?
Как определить h-параметры по статическим характеристикам транзистора в схеме с общим эмиттером?
Приведите основные параметры биполярных транзисторов.
Лабораторная работа № 6 Исследование статических параметров униполярных транзисторов
Цель работы – изучить физические процессы, протекающие при работе униполярных транзисторов разного типа, их статические вольтамперные характеристики, методику графического определения малосигнальных параметров униполярных транзисторов.
Лабораторные схемы
В данной лабораторной работе снимаются статические характеристики и по ним рассчитываются малосигнальные параметры униполярных транзисторов 3 различных типов. Все исследуемые образцы установлены на единой плате и подключаются перестановкой соответствующей перемычки. Нумерация образцов на плате следующая:
Двухзатворный МДП транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом п-типа КП306В.
МДП транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа КП301Е.
МДП транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом п-типа КП305Е.
Полевой транзистор управляемый р-п переходом и каналом п-типа КП303И.
Исследование статических характеристик униполярных транзисторов включенных по схеме с общим истоком проводится с помощью лабораторного стенда, упрощенная схема которого приведена на рис.6.1.
Домашнее задание
Изучить принцип действия полевого транзистора, который управляется р-п переходом, схемы его включения и основные характеристики.
Изучить принцип действия МДП транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом, схемы его включения и основные характеристики.
Изучить принцип действия МДП транзистора изолированным затвором и встроенным каналом, схемы его включения и основные характеристики.
Подготовить протокол лабораторной работы, в котором начертить схему измерительного стенда.
Требуемый исследуемый униполярный транзистор подключается к измерительному стенду с помощью установки перемычки J1. Переключатель К4 позволяет изменять полярность напряжения UСИ, приложенного к стоку относительно истока. Величина этого напряжения устанавливается потенциометром R1. Переключатель К5 позволяет изменять полярность напряжения UЗИ, приложенного к затвору относительно истока. Величина этого напряжения устанавливается потенциометромR2. Измерение напряжения UСИ и величины стокового тока IС, осуществляется вольтметром V1. Измерение напряжения UСИ проводится прямым методом в положении «U» переключателя К1. Измерение стокового тока IС проводится косвенно, путем измерения напряжения на резисторе R3 известного сопротивления в положении «UR» переключателя К1.