- •Компонентная база радиоэлектронных средств
- •Компонентная база радиоэлектронных средств. Методические указания к лабораторным работам/ – Одесса: Одесская национальная морская академия, 2010. – 113 с.
- •Введение
- •Лабораторная работа №1
- •Теоретические знания
- •Классификация резисторов
- •Параметры постоянных резисторов
- •Обозначение и маркировка постоянных резисторов
- •Р 1-4-0,5-10 кОм ± 1% а-б-в ожо.467.157ту
- •4. Основные конструкции постоянных резисторов
- •Методика расчета резистивного делителя напряжения
- •Контрольные вопросы
- •Теоретические знания
- •Классификация конденсаторов
- •Параметры постоянных конденсаторов
- •3 Система условных обозначений конденсаторов
- •4 Основные конструкции конденсаторов постоянной емкости
- •5 Характеристика и использование некоторых типов конденсаторов постоянной емкости
- •6 Частотные rc-фильтры
- •6.1 Rc-фильтр высоких частот
- •6.2 Rc-фильтр низких частот
- •Контрольные вопросы
- •Теоретические знания
- •2 Дроссели высокой частоты
- •3 Трансформаторы
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №4 исследование полупроводниковых диодов
- •Лабораторная схема
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •Образование электронно-дырочного перехода
- •Вольтамперная характеристика р-п перехода
- •Полупроводниковые диоды
- •Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- •3.2 Классификация диодов
- •Параметры и применение исследуемых типов диодов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5 Исследование статических параметров биполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- •2 Работа транзистора в активном режиме
- •3 Сравнение различных схем включения транзистора
- •4 Модель Эберса-Молла
- •5 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- •6 Статические характеристики биполярного транзистора
- •7 Работа транзистора в импульсном режиме
- •8 Основные параметры биполярных транзисторов
- •9 Классификация биполярных транзисторов
- •10 Система обозначений биполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6 Исследование статических параметров униполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- •2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- •4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- •5 Основные схемы включения униполярных транзисторов и особенности их применения
- •6 Основные параметры униполярных транзисторов
- •7 Классификация униполярных транзисторов
- •8 Система обозначений униполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №7 исследование топологии толстопленочных интегральных микросхем
- •Лабораторная схема
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •Основные определения
- •Классификация интегральных микросхем
- •Корпуса и маркировка имс
- •Изготовление и проектирование толстопленочных имс
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Содержание
- •Компонентна база радіоелектроних засобів
- •65029, М. Одеса, вул. Дідріхсона, 8
- •Publish@ma.Odessa.Ua
Задание к лабораторной работе
Подготовка измерительного стенда к измерению статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.
1.1 Установите плату с исследуемыми транзисторами в разъемы на верхней поверхности измерительного стенда.
1.2 В правые гнезда стенда включите тестер, установленный в режим измерения постоянных напряжений на пределе 20 В. Включите тестер. Этим вольтметром будет измеряться коллекторное напряжение UКЭ и коллекторный ток IК.
В левые гнезда стенда включите тестер, установленный в режим измерения постоянных напряжений на пределе 2 В. Включите тестер. Этим вольтметром будет измеряться базовый ток транзистора IБ.
1.4 Движки потенциометров R1 и R2 установите в крайнее левое положение, что соответствует отсутствию напряжения на транзисторе.
1.5 Включите измерительный стенд в сеть. При этом загорится светодиод.
Исследование германиевого биполярного транзистора р-п-р типа МП41А.
2.1 Для снятия статических характеристик этого транзистора установите перемычку J1 в положение 1.
2.2 Установите тумблер К4 в положение «−», тумблер К5 в положение «−».
2.3 Установите тумблер К2 в положение «UR».
2.4 Потенциометром R2 установите требуемый базовый ток IБ согласно табл. 5.1 (например, 50 мкА). Этот базовый ток в [мА] будет отображаться на вольтметре V2 и будет равняться напряжению в [В], поскольку сопротивление измерительного резистора базового тока равно 1 кОм.
2.5 Установите тумблер К1 в положение «U».
2.6 Потенциометром R1 установите требуемое коллекторное напряжение UКЭ согласно табл. 5.1 (например, 0,5 В).
2.7 Установите тумблер К1 в положение «UR». При этом вольтметр V1 покажет напряжение, которое соответствует коллекторному току в [мА], протекающему через коллектор транзистора уменьшенному в 10 раз. Если значение этого напряжения в [В] увеличить в 10 раз, то оно будет соответствовать значению коллекторного тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R3 в этом случае равно 100 Ом. Полученный результат измерения коллекторного тока занесите в таблицу 5.1 (в примере на пересечении колонки 50 мкА и строки 0,5 В).
2.8 Повторите действия согласно п.2.4…2.7 для последующих значений коллекторного напряжения UКЭ и базового тока IБ согласно табл.5.1.
2.9 Постройте семейство выходных характеристик при фиксированных значениях тока базыIБ. Графически из этих характеристик найти выходную проводимость приIБ =50 и 150 мкА.
2.10 Постройте семейство передаточных характеристик при фиксированных значениях напряженияUКЭ.. Графически из этих характеристик найти значение коэффициента передачи тока базы приUКЭ=0,5 и 8 В.
Таблица 5.1 Статические характеристики германиевого биполярного транзистора
р-п-р типа МП41А
Ток IK = 10*UR, мА
UКЭ, В |
IБ = UR , мкА | ||||
0 |
50 |
100 |
150 |
200 | |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0,5 |
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
6 |
|
|
|
|
|
8 |
|
|
|
|
|
10 |
|
|
|
|
|
Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа ВС547.
3.1 Для снятия статических характеристик этого транзистора установите перемычку J1 в положение 2.
3.2 Установите тумблер К4 в положение «+», тумблер К5 в положение «+».
3.3 Установите тумблер К2 в положение «UR».
3.4 Потенциометром R2 установите требуемый базовый ток IБ согласно табл. 5.2 (например, 25 мкА). Этот базовый ток в [мА] будет отображаться на вольтметре V2 и будет равняться напряжению в [В], поскольку сопротивление измерительного резистора базового тока равно 1 кОм.
3.5 Установите тумблер К1 в положение «U».
3.6 Потенциометром R1 установите требуемое коллекторное напряжение UКЭ согласно табл. 5.2 (например, 0,5 В).
3.7 Установите тумблер К1 в положение «UR». При этом вольтметр V1 покажет напряжение, которое соответствует коллекторному току в [мА], протекающему через коллектор транзистора уменьшенному в 10 раз. Если значение этого напряжения в [В] увеличить в 10 раз, то оно будет соответствовать значению коллекторного тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R3 в этом случае равно 100 Ом. Полученный результат измерения коллекторного тока занесите в таблицу 5.1 (в примере на пересечении колонки 25 мкА и строки 0,5 В).
3.8 Повторите действия согласно п.3.4…3.7 для последующих значений коллекторного напряжения UКЭ и базового тока IБ согласно табл.5.2.
3.9 Постройте семейство выходных характеристик при фиксированных значениях тока базыIБ. Графически из этих характеристик найти выходную проводимость приIБ =25 и 100 мкА.
3.10 Постройте семейство передаточных характеристик при фиксированных значениях напряженияUКЭ.. Графически из этих характеристик найти значение коэффициента передачи тока базы приUКЭ=0,5 и 6 В.
Таблица 5.2 Статические характеристики кремниевого биполярного транзистора
п-р-п типа ВС547
Ток IK = 10*UR, мА
UКЭ, В |
IБ =UR , мкА | ||||
0 |
25 |
50 |
100 |
150 | |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0,5 |
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
6 |
|
|
|
|
|
8 |
|
|
|
|
|
10 |
|
|
|
|
|
Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа КТ315Е.
4.1 Для снятия статических характеристик этого транзистора установите перемычку J1 в положение 3.
4.2 Установите тумблер К4 в положение «+», тумблер К5 в положение «+».
4.3 Установите тумблер К2 в положение «UR».
4.4 Потенциометром R2 установите требуемый базовый ток IБ согласно табл. 5.2 (например, 50 мкА). Этот базовый ток в [мА] будет отображаться на вольтметре V2 и будет равняться напряжению в [В], поскольку сопротивление измерительного резистора базового тока равно 1 кОм.
4.5 Установите тумблер К1 в положение «U».
4.6 Потенциометром R1 установите требуемое коллекторное напряжение UКЭ согласно табл. 5.2 (например, 0,5 В).
4.7 Установите тумблер К1 в положение «UR». При этом вольтметр V1 покажет напряжение, которое соответствует коллекторному току в [мА], протекающему через коллектор транзистора уменьшенному в 10 раз. Если значение этого напряжения в [В] увеличить в 10 раз, то оно будет соответствовать значению коллекторного тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R3 в этом случае равно 100 Ом. Полученный результат измерения коллекторного тока занесите в таблицу 5.1 (в примере на пересечении колонки 50 мкА и строки 0,5 В).
4.8 Повторите действия согласно п.4.4…4.7 для последующих значений коллекторного напряжения UКЭ и базового тока IБ согласно табл.5.3.
4.9 Постройте семейство выходных характеристик при фиксированных значениях тока базыIБ. Графически из этих характеристик найти выходную проводимость приIБ =50 и 100 мкА.
4.10 Постройте семейство передаточных характеристик при фиксированных значениях напряженияUКЭ.. Графически из этих характеристик найти коэффициент передачи тока базы приUКЭ=0,5 и 6 В.
Таблица 5.3 Статические характеристики кремниевого биполярного транзистора
п-р-п типа КТ315Е
Ток IK = 10*UR, мА
UКЭ, В |
IБ =UR , мкА | ||||
0 |
50 |
100 |
150 |
200 | |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0,5 |
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
6 |
|
|
|
|
|
8 |
|
|
|
|
|
10 |
|
|
|
|
|
Сделать выводы по работе, в которых отразите полученные результаты.
В табл..5.4 приведены основные параметры исследуемых биполярных транзисторов.
Таблица 5.4 Основные параметры исследуемых биполярных транзисторов
Транзистор |
Тип |
h21E |
h22E, мСим |
UКЭнас, В |
UКЭмах, В |
IКмах, мА |
Рмах, мВт |
МП41А |
Ge, p-n-p |
50-100 |
0,3 |
0,4 |
35 |
100 |
150 |
КТ315Е |
Si, n-p-n |
50-350 |
0,3 |
0,4 |
35 |
100 |
150 |
BC547 |
Si, n-p-n |
110-800 |
- |
0,2-0,6 |
45 |
150 |
500 |