- •Компонентная база радиоэлектронных средств
- •Компонентная база радиоэлектронных средств. Методические указания к лабораторным работам/ – Одесса: Одесская национальная морская академия, 2010. – 113 с.
- •Введение
- •Лабораторная работа №1
- •Теоретические знания
- •Классификация резисторов
- •Параметры постоянных резисторов
- •Обозначение и маркировка постоянных резисторов
- •Р 1-4-0,5-10 кОм ± 1% а-б-в ожо.467.157ту
- •4. Основные конструкции постоянных резисторов
- •Методика расчета резистивного делителя напряжения
- •Контрольные вопросы
- •Теоретические знания
- •Классификация конденсаторов
- •Параметры постоянных конденсаторов
- •3 Система условных обозначений конденсаторов
- •4 Основные конструкции конденсаторов постоянной емкости
- •5 Характеристика и использование некоторых типов конденсаторов постоянной емкости
- •6 Частотные rc-фильтры
- •6.1 Rc-фильтр высоких частот
- •6.2 Rc-фильтр низких частот
- •Контрольные вопросы
- •Теоретические знания
- •2 Дроссели высокой частоты
- •3 Трансформаторы
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №4 исследование полупроводниковых диодов
- •Лабораторная схема
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •Образование электронно-дырочного перехода
- •Вольтамперная характеристика р-п перехода
- •Полупроводниковые диоды
- •Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- •3.2 Классификация диодов
- •Параметры и применение исследуемых типов диодов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5 Исследование статических параметров биполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- •2 Работа транзистора в активном режиме
- •3 Сравнение различных схем включения транзистора
- •4 Модель Эберса-Молла
- •5 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- •6 Статические характеристики биполярного транзистора
- •7 Работа транзистора в импульсном режиме
- •8 Основные параметры биполярных транзисторов
- •9 Классификация биполярных транзисторов
- •10 Система обозначений биполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6 Исследование статических параметров униполярных транзисторов
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- •2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- •4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- •5 Основные схемы включения униполярных транзисторов и особенности их применения
- •6 Основные параметры униполярных транзисторов
- •7 Классификация униполярных транзисторов
- •8 Система обозначений униполярных транзисторов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №7 исследование топологии толстопленочных интегральных микросхем
- •Лабораторная схема
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические знания
- •Основные определения
- •Классификация интегральных микросхем
- •Корпуса и маркировка имс
- •Изготовление и проектирование толстопленочных имс
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Содержание
- •Компонентна база радіоелектроних засобів
- •65029, М. Одеса, вул. Дідріхсона, 8
- •Publish@ma.Odessa.Ua
7 Классификация униполярных транзисторов
Классификация униполярных транзисторов проводится по следующим признакам:
1. По роду исходного материала – кремниевые, арсенидогаллиевые.
2. По типу управления каналом – с управляющим р-п переходом, с изолированным затвором и индуцированным каналом, с изолированным затвором и встроенным каналом.
3. По типу проводящего канала – п-канал или р-канал.
4. По технологическим особенностям – планарные, эпитаксиально-планарные, диффузионно-планарные и т.п.
5. По рассеиваемой мощности – маломощные (до 300 мВт), средней мощности (от 0,3 Вт до 1,5 Вт) и большой мощности (более 1,5 Вт).
6. По граничной частоте – низкочастотные (до 3 МГц), среднечастотные (от 3 МГц до 30 МГц), высокочастотные (от 30 МГц до 300 МГц) и сверхвысокочастотные (более 300 МГц).
8 Система обозначений униполярных транзисторов
В основу системы обозначений полупроводниковых биполярных транзисторов согласно ОСТ 11 336.038-77 положен семизначный буквенно-цифровой код, первый элемент которого (буква – для приборов широкого применения, цифра – для приборов специального назначения) обозначает исходный полупроводниковый материал. Второй элемент обозначения – буква, определяет подкласс приборов (для униполярных транзисторов буква П), третий элемент – цифра или буква, определяет один из основных характеризующих данный прибор признаков. Четвертый, пятый и шестой элемент – трехзначной число, обозначающее порядковый номер разработки. Седьмой элемент – буква, характеризует классификацию по параметрам приборов по единой технологии.
Для обозначения материала (первый элемент) используют: К или 2 – кремний и его соединения; А или 3 – арсенид галлия.
Для обозначения подклассов приборов (второй элемент) используются букву П – биполярный транзистор.
Значение третьего элемента (цифра), характеризующего основной признак прибора, для биполярных транзисторов определяет рассеиваемую мощность транзистора и его граничную частоту:
1 – рассеиваемая мощность не более 1 Вт и граничная частота не более 30 МГц;
2,3 – рассеиваемая мощность не более 1 Вт и граничная частота более 30 МГц, но не более 300 МГц;
4,5 – рассеиваемая мощность не более 1 Вт и граничная частота более 300 МГц;
6,7 – рассеиваемая мощность более 1 Вт и граничная частота не более 30 МГц;
8 – рассеиваемая мощность более 1 Вт и граничная частота более 30 МГц, но не более 300 МГц;
9 – рассеиваемая мощность более 1 Вт и граничная частота более 300 МГц;
Примеры обозначений:
КП103М – кремниевый диффузионно-планарный полевой транзистор с управляющим р-п переходом и каналом р-типа низкочастотный и маломощный, порядковый номер разработки 03, группа М.
2П9023В – кремниевый сверхвысокочастотный мощный транзистор с изолированным затвором и каналом п-типа, номер разработки 02, группа В.
Контрольные вопросы
Нарисуйте схематическую конструкцию полевого транзистора с р-п переходом. Объясните принцип его действия.
Нарисуйте схематическую конструкцию МДП-транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом. Объясните принцип его действия.
Нарисуйте схематическую конструкцию МДП-транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом. Объясните принцип его действия.
Приведите систему обозначений униполярных транзисторов.
Что такое ток и напряжение насыщения?
Что такое напряжение отсечки и пороговое напряжение?
Нарисуйте и объясните выходную характеристику полевого транзистора с р-п переходом.
Нарисуйте и объясните переходную характеристику МДП-транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом.
Нарисуйте и объясните переходную характеристику МДП-транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом.
Что такое режим обеднения и обогащения униполярного транзистора?
Какие параметры имеют униполярные транзисторы?