- •3. Электротехнические материалы (проводники, полупроводники, диэлектрики).
- •4.Ферромагнитные материалы. Свойства и их применение.
- •5. Основные законы электрических цепей. Закон Ома.
- •6. Светоизлучающие диоды.
- •7. Основные законы магнитных цепей.
- •8. Фотодиоды. Основные характеристики.
- •9. Законы Кирхгофа.
- •10. Способы соединение источников электрической энергии.
- •11. Собственная электронная и дырочная электропроводность
- •12. Нелинейные электрические цепи постоянного тока
- •13. Электрические цепи с несколькими источниками. Метод контурных токов
- •14. Общие сведения о биполярных транзисторах
- •15. Основные типы диодов и их назначений
- •16. Полупроводниковые диоды. Вольтамперная характеристика
- •17. Векторные диаграммы. Цепь, содержащая активное сопротивление
- •18. Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
- •19. Векторные диаграммы. Цепь, содержащая индуктивность
- •20. Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
- •21. Векторные диаграммы. Цепь, содержащая емкость
- •22. Фоторезисторы. Основные физические характеристики.
- •23. Законы Кирхгофа в символической форме.
- •24. Усиление с помощью транзистора
- •25. Линейные электрические цепи несинусоидального тока. Условия их возникновения.
- •26. Краткие сведения об электрических фильтрах
- •27. Методы анализа и расчета нелинейных цепей переменного тока.
- •28. Электроизмерительные приборы. Погрешности измерений.
- •29. Тиристоры. Вах. Назначение
- •30. Номинальные величины электроизмерительных приборов.
10. Способы соединение источников электрической энергии.
В тех случаях, когда номинальное напряжение или номинальный ток и мощность источника электрической энергии оказываются недостаточными для питания приемников, вместо одного используют два или больше источников. Существуют два основных способа соединения источников: последовательное и параллельное.
Последовательное соединение (рис. 1.18) осуществляется обычно таким образом, чтобы ЭДС источников были направлены в одну сторону. Характерным для последовательного соединения является один и тот же ток I всех источников, на который каждый их них должен быть рассчитан.
По второму закону Кирхгофа
(5)
Соединяя источники последовательно, можно получить более высокое напряжение U на выходных выводах а и b, для чего и используется данный способ соединения.
Электрическая цепь рис. 1.18 может быть заменена цепью с эквивалентным генератором, имеющим параметры Еэ и r0э (рис. 1,19). Согласно методу эквивалентного генератора ЭДС Еэ при холостом ходе (r = ∞, I = 0) должна быть равна напряжению холостого хода, Еэ = Ux. Учитывая это, на основании второго закона Кирхгофа для цепи рис. 1.18 получим
(5.1)
При параллельном соединении источников (рис. 1.20) соединяются между собой положительные выводы всех источников, а также их отрицательные выводы. Характерным для параллельного соединения является одно и то же напряжение U на выводах всех источников. Для электрической цепи рис 1.20 можно написать следующие уравнения:
(5.2)
Как видно, при параллельном соединении источников ток и мощность внешней цепи равны соответственно сумме токов и мощностей источников. Параллельное соединение источников применяется в первую очередь тогда, когда номинальные ток и мощность одного источника недостаточны для питания приемников. На параллельную работу включают обычно источники с одинаковыми ЭДС, мощностями и внутренними сопротивлениями. Используя метод узлового напряжения, нетрудно показать, что в этом случае при отключенной внешней цепи токи источников будут равны нулю, а при подключенной внешней цепи они будут одинаковыми.
11. Собственная электронная и дырочная электропроводность
Полупроводники представляют собой вещества, которые по своей удельной электрической проводимости занимают среднее место между проводниками и диэлектриками.
Для полупроводников
характерен отрицательный температурный коэффициент электрического сопротивления. При возрастании температуры сопротивление полупроводников уменьшается, а не увеличивается, как у большинства твердых проводников. Кроме того, электрическое сопротивление полупроводников очень сильно зависит от количества примесей, а также от таких внешних воздействий, как свет, электрическое поле, ионизирующее излучение и др.
В полупроводниках существует электропроводность двух видов. Так же как и металлы, полупроводники обладают электронной электропроводностью, которая обусловлена перемещением электронов проводимости. При обычных рабочих температурах в полупроводниках всегда имеются электроны проводимости, которые очень слабо связаны с ядрами атомов и совершают беспорядочное тепловое движение между атомами кристаллической решетки. Эти электроны под действием разности потенциалов могут получить дополнительное движение в определенном направлении, которое и является электрическим током.
Полупроводники обладают также дырочной электропроводностью, которая не наблюдается в металлах. В полупроводниках кристаллическая решетка достаточно прочна. Ее ионы, т. е. атомы, лишенные одного электрона, не передвигаются, а остаются на своих местах.
Отсутствие электрона в атоме условно назвали дыркой.
Этим подчеркивают, что в атоме не хватает одного электрона, т. е. образовалось свободное место. Дырки ведут себя как элементарные положительные заряды.
При дырочной электропроводности в действительности тоже перемещаются электроны, но более ограниченно, чем при электронной электропроводности. Электроны переходят из данных атомов только в соседние. Результатом этого является перемещение положительных зарядов – дырок – в направлении, противоположном движению электронов.
Электроны и дырки, которые могут перемещаться и поэтому создавать электропроводность, называют подвижными носителями заряда
или просто носителями заряда.
Принято говорить, что под действием теплоты происходит генерация пар носителей заряда, т. е. возникают пары: электрон проводимости – дырка проводимости.
Вследствие того что электроны и дырки проводимости совершают хаотическое тепловое движение, обязательно происходит и процесс, обратный генерации пар носителей. Электроны проводимости снова занимают свободные места в валентной зоне, т. е. объединяются с дырками. Такое исчезновение пар носителей называется рекомбинацией носителей заряда.
Процессы генерации и рекомбинации пар носителей всегда происходят одновременно.
Полупроводник без примесей называют собственным полупроводником. Он обладает собственной электропроводностью, которая складывается из электронной и дырочной электропроводности. При этом, несмотря на то что количество электронов и дырок проводимости в собственном полупроводнике одинаково, электронная электропроводность преобладает, что объясняется большей подвижностью электронов по сравнению с подвижностью дырок.