Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Kushnir_Radioelektronika_1.doc
Скачиваний:
158
Добавлен:
20.03.2016
Размер:
1.24 Mб
Скачать

Ход работы

  • Включите лабораторный щит в сеть.

  • Установите регуляторы напряжений Uвх иЕк в крайнее левое положение.

  • Установите тумблеры В1,В3,В4,В6,В9,В11в положение «Вкл»;В2иВ5– «Выкл»;В12 – «–Uвх».

  • Подключите к лабораторному щиту цифровой вольтметр постоянного тока Щ1516 для измерения входного напряжения

Упражнение 1. Исследование статических характеристик биполярного транзистора.

  • Исследуйте входные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером: Iб=f(Uбэ) при Uкэ=const.

  • Изменяйте входное напряжение Uвх=Uбэ, отмечайте Iвх=Iб при трех- четырех значениях Ек = Uкэ , включая случай Ек= 0.

  • Проделайте для каждого значения Uкэ не менее 10 – 15 измерений.

  • Занесите измеренные величины в таблицу и постройте графики.

Uбэ, мВ

Iб, мкА

Uкэ1, В

Uкэ2, В

Uкэ3, В

Uкэ4, В

Примечание: При измерениях удобнее выбирать значение Iб и фиксировать вызвавшее этот ток напряжение Uбэ.

  • Исследуйте выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером: Iк=f(Uкэ) при Iб =const.

  • Изменяйте напряжение Uкэк от 0 до 15 В через 1 В и измеряйте значения Iк.

  • Проведите измерения для токов базы от 0 до максимально возможного через 20 мкА.

  • Результаты измерений занесите в таблицу и постройте графики:

Uкэ, В

Iк, мА

Iб, мкА

0

20

40

max

  • Исследуйте переходную характеристику биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером: Iк=f(Iб) при Uкэ=const.

  • Изменяйте ток базы Iб от 0 до максимально возможного через 20 мкА и измеряйте ток коллектора Iк. Проведите измерения при Uкэ=0, 5 и 10 В.

  • Занесите результаты измерений в таблицу и постройте графики.

Iб, мкА

0

max

0

max

0

max

Iк, мА

Uкэ=0 В

Uкэ=5 В

Uкэ=10 В

Упражнение 2. Определение h-параметров биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

  • Определите h-параметры транзистора в схеме с общим эмиттером согласно методике, изложенной в Приложении 2. Запишите параметры точки на статических характеристиках транзистора, для которой вы определялиh-параметры.

  • Полученные значения h-параметров занесите в таблицу.

    h11э, Ом

    h12э

    h21э

    h22э, См

  • Сопоставьте экспериментально полученные h-параметры с их типовыми значениями, представленными в теоретической части лабораторной работы.

Упражнение 3. Вычисление физических параметров транзистора.

  • Вычислите физические параметры биполярного транзистора по следующим формулам:

rэ=h12э /h22э,

rб=h11э – [h12э(1+h21э)/h22э],

rк=(1+h21э)/h22э,

h21б=(h12э+h21э)/(1+h21э).

rб, Ом

rк, Ом

rэ, Ом

h21б

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]