Критерии применимости фоторезистов

Критериями оценки фоторезистов являются светочувствительность, устойчивость к воздействию агрессивных сред, разрешавшая способность и адгезия к подложке.

Светочувствительность S - величина, обратная поглощенной световой энергии, необходимой для определенного изменения свойств фоторезиста:

,

где Е - световая облученность фоторезиста, Вт/м² ; t – время экспозиции, с; H=Еt - значение экспозиции, Вт-с/ м². Фоторезист должен обладать максимальной светочувствительностью в требуемом диапазоне длин волн.

Основой выбора критерия светочувствительности является образование участков с высокими защитными свойствами. Для негативных фоторезистов это означает задубливание или полимеризацию в экспонированных областях пленки резиста на определенную толщину, достаточную для эффективной защиты от воздействия травителей. Для позитивных фоторезистов, напротив, критерием чувствительности является полнота разрушения ультрафиолетовым светом пленки фоторезиста в областях, подлежащих удалению. Спектры поглощения фоторезистов определяют тип источников экспонирования.

На рис. 3 показаны характеристики экспонирования типичных негативных и позитивных резистов, где h -доля резиста, оставшегося после экспонирования и проявления.

Рис.3. Характеристические кривые экспонирования для негативного1) и позитивного 2) резистов.

Как видно из рис. 3, при экспонировании позитивных резистов необходимо облучение с большей энергией (большее время экспонирования), чем для негативных фоторезистов.

Таким образом, негативные резисты имеют более высокую чувствительность и их использование позволяет экспонировать большее количество пластин в единицу времени, что повышает производительность оборудования и может значительно уменьшить стоимость ИС.

Разрешающая способность R - число четко различимых линий (штрихов) одинаковой ширины S , расположенных параллельно, с зазором, равным ширине штриха (£) , которые фоторезист позволяет создать на I мм длины:

.

Например, если необходимо изготовить микросхемы с минимальным размером l - 1 мкм, то разрешающая способность должна быть не ниже, чем R - 1/2(2*0,001) = 500 лин./мм.

Предел разрешающей способности определяется размерами полимерных молекул фоторезиста. Основная технологическая проблема заключается в получении резко дифференцированной границы между исходным и экспонированным участками фоторезиста, минимально изменяющейся при проявлении и термообработке.

Разрешающая способность увеличивается о уменьшением толщины пленки резиста, однако минимальная толщина пленки ограничивается возможностью проколов и нарушением устойчивости к воздействию агрессивных сред.

На разрешающую способность также оказывают сильное влияние процессы экспонирования и связанные с ними оптические явления в системе шаблон - фоторезист - подложка (дифракция, отражение и рассеяние света), процессы проявления и сушки. Разрешающая способность позитивных фоторезистов выше, чем негативных.

В слое негативного фоторезиста дополнительная область, сшитая в результате отражения света от подложки, остается, так как она прочно связана с подложкой адгезионными силами. Это создает вокруг защитных участков негативного резиста ореол, сникающий разрешающую способность (см. рис. I).

В случае позитивного резиста свет, отраженный от подложи, разрушит часть прилегающей к ней области фоторезиста, но проявитель может эту область не выявить в результате противодействия адгезионных сил. Если вымывание и произойдет, то оставшийся слой фоторезиста во время задубливания опустится вниз, вновь образуя четкий край изображения без ореола.

Другая причина заключается в том, что при проявлении пленка негативного резиста разбухает и неэкспонированный резист растворяется в проявителе. Этот эффект разбухания плёнки резиста уменьшает разрешайся способность негативных резистов. Как правило, минимальный разрешаемый размер элемента в три раза больше толщины пленки негативного резиста.

В позитивном резисте при экспонировании меняется растворимость только сенсибилизатора, в отличие от негативного резиста проявитель не пропитывает всю пленку резиста, и она не набухает.

Молекулы фоторезиста представляют собой полимерные цепочки разной длины. У каучуков длинна молекулы может быть равной 1-2 мкм, и это так же может повлиять на разрешающую способность фотолитографии.

В отечественной практике широко применяют позитивные резисты марок ФП-383, ФП-330, ФП-307, ФП-333, ФП-РН-7 и другие, которые обеспечивают разрешающую способность до 500 лин./мм при толщине фоторезиста 0,3 - 0,4 мкм. Используемые негативные фоторезисты марок ФН-ЗТ, ФН-106, ФH-II, ФT-IIK обеспечивают разрешающую способность около 200 лин./мм при толщине резиста 0,4 - 0,5 мкм.

Устойчивость к воздействия агрессивных сред трудно определить количественно, в частном случае она может означать величину, пропорциональную времени отслаивайся пленки фоторезиста в стандартном травителе, или время проникновения травителя сквозь поры пленки фоторезиста к подложке (измеряется в секундах или минутах). В последнее время стойкость пленки фоторезиста все чаще характеризуют плотностью дефектов, передающихся на подложку при травлении (дефект/мм²).

Устойчивость к воздействию стандартного травителя должна быть по крайней море на порядок выше времени проявителя.

Кислотостойкость позитивных фоторезистов во многом определяется природой пленкообразователя. Используемый обычно новолак обеспечивает устойчивость к азотной кислоте (48%-ной) в течение 3-5 мин при толщине слоя порядка I мкм, но является нещелочестойким.

Негативные фоторезисты на основе ПВЦ обладают невысокой кислотостойкостью по отношению к смеси кислот HF + HNO₃, которую применяют при травлении кремния, но они достаточно стойки к водным растворам HF и NH₄F, используемым при травлении SiО₂ .

Резисты на основе каучуков с добавкой бисазидов обладают исключительно высокой кислотостойкостью.

Адгезия фоторезиста к подложке определяет стойкость пленки к внешним воздействиям и зависит от химического состава и строения самого фоторезиста, а также от состояния поверхности исходной подложки и режимов формирования пленки фоторезиста на подложке.

Определяющим фактором хорошей адгезии является смачиваемость подложки резистом. Так как в составе большинства фоторезистов -полимеры, обладающие гидрофобными свойствами (не смачиваются водой), то их адгезия к подложке может быть высокой, если поверхность также гидрофобна. При этом необходимо, чтобы поверхность подложек плохо смачивалась травителем и не происходило проникновения его под край фоторезистивной маски. Травители обычно являются водными растворами кислот, поэтому гидрофобные свойства поверхности подложки важны и с этой точки зрения. Свежеокисленная поверхность кремния всегда гидрофобна и обеспечивает высокое качество литографии.

Если такая поверхность пролежала на открытом воздухе в течение нескольких часов, то в результате адсорбции паров воды из атмосферы она станет гидрофильной. Поэтому перед фотолитографией такие поверхности необходимо прогревать в сухом инертном газе при температуре 700 - 800 °С.

Наилучшей адгезией обладает резист ФП-РН-7, он обеспечивает лучшее качество литографии на любых подложках, применяемых в пленарной технологии (оксид, - фосфоросиликатное стекло (ФСС), алюминий, хром).

Для фотолитографии по термическому SiO₂ и Al хорошо зарекомендовал себя и фоторезист ФП-383.

Основные операции фотолитографического процесса

Контроль окисленных кремниевых пластин. Перед началом операции фотолитографии необходимо провести визуальный контроль окисленных кремниевых пластин. Визуальный контроль осуществляется под микроскопом МИМ-7. Пластины должны быть чистыми, без пятен и подтеков. Не должно быть затемнений, отпечатков пальцев или пинцета. Если же они есть, то необходимо провести обезжиривание и отмывку поверхности пластин.

Нанесения фотослоя. Процесс нанесения фоторезиста должен обеспечивать равномерность и однородность слоя фоточувствительного покрытия на поверхности пластины.

Существует несколько методов нанесения фотослоя: центрифугирование, погружение, пульверизация (распыление), электростатическое нанесение. Наиболее широкое распространение получил метод нанесения фоторезиста на центрифуге при 2000 - 10000 об/мин. Толщина покрытия определяется главным образом его вязкостью и скоростью вращения центрифуги. Фоторезист подается на подложку из дозатора или капельницы. С момента попадания фоторезиста на пластину начинается интенсивное испарение растворителя, в результате чего вязкость фоторезиста быстро возрастает. В связи с этим время между нанесением фоторезиста и началом вращения подложки должно быть минимально (0,5-1 с). Время центрифугирования мало влияет на параметры пленки, в зависимости от состава и исходной вязкости фоторезиста оно составляет 20 - 30 с.

На краю подложки обычно образуется утолщение слоя фоторезиста, ширина и высота которого зависят от скорости вращения центрифуги, вязкости фоторезиста и формы подложи. Избавиться от этого утолщения очень трудно. Неравномерность толщины пленки является причиной неплотного прилегания фотошаблона к фоторезисту на операции экспонирования. В слое, нанесенном с помощью центрифуги, появляются внутренние напряжения, а плотность дефектов довольно высока из-за того, что пыль из окружающей среды засасывается в центр вращающегося диска. Попадание пыли на поверхность подложки и в слой фоторезиста приводит к образованию сквозных пор, а следовательно, дефектов в самих структурах ИС.

Пульверизация имеет ряд преимуществ по сравнению о центрифугированием: получение пленок различной толщины (0,5 - 20 мкм). равномерность, т.е. отсутствие утолщения пленки по краям и дефектов типа "прокол", возможность нанесения фоторезиста на профилированную поверхность, малый расход фоторезиста, обеспечение хорошей адгезии пленки к подложке.

Фоторезист наносят из специальной форсунки, в которой его дробят (диспергируют) газовым штоком при выходе из сопла.

В пленках, формируемых распылением, расход фоторезиста уменьшается примерно в 10 раз, а дефектность слоя - в 3-4 раза (вследствие отсутствия напряжений) по сравнению с пленками, полученными центрифугированием.

Сушка фотослоя. Формирование слоя фоторезиста завершает сушка. Высокотемпературная сушка пленки приводит к интенсивному испарению растворителя и переходу макромолекул полимера в устойчивое состояние. Этот процесс релаксационный и требует некоторого времени. При большой скорости испарения растворителя с поверхности фоторезиста может образоваться плотная пленка, препятствующая удалению молекул растворителя из объема покрытия. Это приведет к возникновению механических напряжений и дефектов в пленке, поэтому следует проводить ступенчатую сушку, постепенно повышая температуру. Пределом повышения температуры сушки является термическое задубливание (термолиз) фотослоя, который может препятствовать проявлению после экспонирования.

Термолиз протекает по той же схеме, что и фотолиз. До температуры 110 °С молекулы НХД сравнительно устойчивы, термолиз идет, но константа скорости k_т его мала (для ФП-383 k_т = 3*10^-5 с^-1 , для ФП-327 k_т = 1,6*10^-4 с^-1 при 100 °С). Допустимое время сушки можно оценить из выражения

,

где C₀ и С_t - концентрации молекул НХД до и после процесса сушки.

Допуская, что в результате сушки в слое может разложиться не более 5 % молекул НХД, можно найти максимальное время сушки (в секундах) при данной температуре: .

Это означает, что резист ФП-383 можно сушить при температуре 100 °С около 30 мин, а ФП-327 - не более 5 мин. Если сушку проводить не на воздухе, а в среде азота, скорость термолиза молекул НХД уменьшается.

Нагрев до температуры свыше 110 °С приводит к заметному разложению молекул НХД, при температуре 170 °С начинается термическое отвердевание новолачной смолы, а при 350 °С смола термически деструктирует (разрушается нормальная структура).

Нагрев подложек для сушки фоторезиста может осуществляться в сушильных камерах, ИК- излучением или СЗЧ- энергией.

Наиболее широко в автоматических линиях изготовления ИС используется ИК- термообработка. Длинноволновое (от 6 до 20 мкм) ИК- излучение сначала достигает границы раздела подложка - резист и, отразившись от подложки, сильнее нагревает нижние прилегающие к подложке слои резиста. Возникает такой температурный градиент по толщине резиста, что наиболее холодной частью будет его поверхность, а самой горячей - нижние слои. Такой механизм удаления растворителей исключает образование пузырей или пор в пленке резиста.

Совмещение. Для передачи изображения фотошаблона на пластину применяют контактный и проекционный способы.

Экспонирование фоторезиста проводят через фотошаблон, определяющий топологию изготовляемого прибора.

При проведении первой фотолитографии совмещение значительно упрощается. Для этого обычно шаблон располагает относительно полупроводниковой пластины так, чтобы границы его модулей были параллельны или перпендикулярны базовому срезу пластины.

Для последующих совмещений в комплектах фотошаблонов предусмотрены специальные метки (знаки совмещения). Для визуального совмещения наиболее удобными являются знаки с контролируемыми зазорами, для совмещения рисунков двух слоев необходимо "вписать" округлость одного слоя в окружность другого, квадрат в квадрат, крест в крест и т.д. (рис. 4).

Рис.4. Фигуры совмещения.

Процесс совмещения выполняют в два этапа. Сначала осуществляют грубое совмещение в пределах всего поля пластины с помощью контрольных модулей - пустых кристаллов, а затем точное по меткам. Для повышения точности совмещение выполняют для двух модулей, расположенных на краях пластины в одной строке матрицы модулей. Современные установки совмещения обеспечивают точность (0.2 - 0,5) мкм.

Контактное экспонирование и проявление. Операцию экспонирования проводят для того, чтобы в фоторезисте произошли фотохимические реакции, которые изменяют его исходные свойства.

Операция проявления пленки фоторезиста после ее экспонирования заключается в обработке подложки с пленкой в специальных растворах с целью удаления определенных участков слоя фоторезиста: облученных - для позитивных и необлученных - для негативных фоторезистов.

В проявлении негативных и позитивных фоторезистов имеются четкие различия, обусловленные химической природой полимерных материалов, входящих в состав фоторезистов, и типом протекающих в них фотохимических реакций. Проявление негативных фоторезистов является процессом растворения полимеров. Проявителями служат органические материалы: толуол, трихлорэтилен и др.

Проявление позитивных фоторезистов на основе НВД имеет химический характер. Образующаяся соль инденкарбоновой кислоты растворима в воде и при проявлении переходит в раствор. Помимо этого в проявителе растворяется новолачная смола, а молекулы НХД выполняют защитные функции, сохраняя неэкспонированные участки. Отсюда вытекает очень важное требование: сведение к минимуму воздействия проявителя на слой необлученного фоторезиста. При растворения не полностью экспонированных слоев проявитель окашивается в малиновый цвет, если же молекулы НХД разрушены полностью, то проявитель остается бесцветным.

Для проявления позитивных фоторезистов используют водные щелочные растворы: 0,3-0,5%-ный раствор едкого калия, 1-2%-ный раствор тринатрийфосфата, органические основания - этаноламины.

Как видно из рассмотренного выше, операции экспонирования и проявления неразрывно связаны между собой. Оптимальные времена проявления и экспозиции, обеспечивающие точную передачу размеров, обратно пропорциональны друг другу и связаны зависимостью, представленной на рис. 5. Желательно для работы выбирать режимы, лежащие в области П, поскольку при этом обеспечивается высокая устойчивость процесса.

Рис.5. Зависимость между временами экспонирования и проявления, обеспечивающими точную передачу размеров изображения: I и III - области неустойчивых режимов; II - область оптимальных режимов.

Качество проявления определяется по величине клина проявления на краю рисунка. Размер клина не должен превышать толщину слоя фоторезиста.

Задубливание фотослоя - повторная сушка. В процессе этого теплового цикла удаляется проявитель из остающегося фоторезиста, происходит термическая полимеризация пленки резиста, слой уплотняется, в результате чего повышается его кислотостойкость, а также адгезия пленки к подложке.

От характера повышения температуры во время сушки рельефа зависит точность передачи размеров изображения. Резкий нагрев вызывает оплавление краев рельефа, особенно если растворителем служит диоксан и слой имеет толщину I мкм и более. Поэтому для точной передачи размеров необходимо плавное или ступенчатое повышение температуры.

Травление. С помощью травления рисунок, полученный на фоторезисте, передается на подложку (оксид кремния или металлическое покрытие). При травлении оксида кремния последний снимается до самой поверхности кремния, открывая поверхность полупроводника для проведения диффузии примесей или создания контактов. При травлении металла остающийся алюминий (или другой металл) воспроизводит рисунок межсоединений в схеме.

Время травления оксидной пленки зависит от температуры и толщины оксида. При температуре выше 22°С скорость травления быстро возрастает, поэтому очень важно стабилизировать температуру травителя с точностью не хуже +2 °С.

При перетравливании травитель, проникая под фоторезист, снимает оксид, находящийся около краев под резистом, наблюдается клин растравливания.

Полностью вскрытые "окна" при наблюдении под микроскопом не окрашены: они имеют серебристо-серый цвет кремния. Недотравленные окна будут иметь окраску, определяемуо толщиной оставшегося оксида.

Фтористоводородная кислота растворяет диоксид кремния, но не растворяет сам кремний. Однако проводить травление оксида через фоторезистивную маску только в HF нельзя, так как продуктом реакции в этом случае является газ:

SiO₂ + 4HF  SiF₄ + 2H₂O.

Газовыделение может приводить к отслаиванию фоторезиста и растравливанию рисунка на оксиде. Поэтому в данном случае применяются буферные травители (водный раствор HF и NH₄F ).

Добавка фтористого аммония в раствор создает высокую концентрацию ионов фтора F^- , которые подавляют газовыделение в процессе травления, продукт реакции становится жидкостью.

SiF₄ + 2F^- (ж)

2NH₄ + SiF₆ (NH₄ )₂ SiF₆

Удаление фоторезиста - завершающая операция в общем цикле процесса фотолитографии. Удаляют фоторезист деструкцией полимера кипячением в серной кислоте или обработкой в органических растворителях (диметилформамиде, диоксане или ацетоне). Наиболее качественное удаление фоторезиста с поверхности пластины получают при плазмохимической обработке в кислородной ВЧ-плазме.

Влияние времени экспонирования на качество фотолитографии.

Совершенствование фотолитографического процесса идет по двум направлениям: повышение его разрешающей способности и снижение числа дефектов в процессе образования рельефа в пленках диоксида кремния и металлов.

Разрешающая способность фотолитографического метода складывается из разрезающей способности применяемых фотошаблонов, оптико-механического оборудования, фоторезистов и самого процесса фотолитографии.

Существенное влияние на разрешающую способность процесса фотолитографии оказывают этапы экспонирования и проявления. Основным условием качественного проведения операции экспонирования является оптимальная экспозиция, т.е. время воздействия излучения на фоторезистивный слой, при котором происходит изменение его свойств.

Критерием оценки происшедшего в фоторезисте фотохимического эффекта является зависимость скорости проявления v_np облученного фоторезиста от времени экспозиции t_э (рис.6). На этом же рисунке изображена зависимость погрешности  воспроизведения размеров элементов после проявления от t_э.

Рис.6. Зависимость скорости проявления позитивного фоторезиста и погрешности воспроизведения размеров элементов от времени экспонирования.

Верхний предел экспонирования связан с тем, что фоторезист начинает сшиваться в трехмерную структуру и растворение замедляется. Нижний предел времени экспонирования определяется условием достижения скоростей растворения экспонированных участков, при которых воздействие проявителя на эти участки сведено к минимуму. Из рисунка видно, что при оптимальном времени экспозиции 5 - 25 с обеспечивается пропорциональность скорости проявления и минимум погрешности воспроизведения размеров элементов защитного рельефа.

Основными оптическими эффектами при проведении операции экспонирования являются дифракция света на границе шаблон - пленка фоторезиста, рассеяние света в пленке фоторезиста и отражение света от подложки.

Дифракционные эффекты при прохождении света через фотошаблон к пленке фоторезиста при экспонировании вызываются наличием зазора между фотошаблоном и подложкой. Дифракционные явления вызывают нерезкость и неровность края элемента рисунка.

В результате дифракции света на непрозрачных участках фотошаблона, например на краю прозрачного окна размером а, световой пучок расширяется и заходит в область геометрической теня. Огибающая пучка образует с нормалью к поверхности фоторезиста угол  (угол дифракции), который зависит от длины волны света  и зазора d (рис.7):

.

Ширину освещенной зоны в в области геометрической тени можно определить из выражения в =d/a , которое показывает, что изображение становится более размытым с увеличением зазора и длины волны света, а также с уменьшением ширины щели. Причем, если в плоскости фотошаблона распределение интенсивности света Е₀ равномерно вдоль размера окна, то в плоскости фоторезиста оно неравномерно и приобретает форму кривой с несколькими убывающими по глубине дифракционными максимумами:

,

где n - коэффициент преломления

Рис.7. Дифракционные явления в зазоре между шаблоном и резистом а также в слое резиста. Справа показано распределение освещенности в различных плоскостях. 1- уменьшенный размер окна; 2- точная передача; 3- максимальный размер окна.

Для наглядности на рисунке выделены плоскости на поверхности слоя резиста, в центре слоя и на поверхности подложки.

Показанная на рисунке схема распределения интенсивности света может объяснить важность выбора времени экспонирования при фотолитографии элемента с малыми размерами.

Известно, что для экспонирования слоя резиста требуется сообщить ему некоторую дозу излучения Н= E₀t_э .

При больших размерах (а>>) свет отклоняется на малый угол и увеличение времени экспонирования при всех прочих постоянных факторах приведет к небольшому увеличения размеров изображения. Например, при а = 10 мкм,  = 0,4 мкм, толщине слоя h_c = I мкм и зазоре I мкм максимальное увеличение изображения составит 0,04 мкм для неотражающей подложки.

При малых размерах (а) интенсивность и ширину луча в зазоре и слое резиста нельзя считать неизменными. Например, если время экспонирования таково, что для достижения нужной экспозиции необходима интенсивность Е₀, размер окна на границе слоя резист - подложка будет меньше, чем размер окна на фотошаблоне (кривая 1 на риc.7). Увеличивая время экспозиции, мы смещаемся по дифракционной кривой распределения интенсивности и соответственно увеличиваем размеры проявленного изображения. При некотором оптимальном времени можно достичь точной передачи размеров (кривая 2), а затем и увеличения окна (кривая 3). Максимальное увеличение окна определяется положением первого минимума на дифракционной кривой и может быть оценено по формуле

.

Расчет показывает, что при а = 1 мкм,  = 0,4 мкм, h_c = 1 мкм и d = I мкм размер проявленного изображения может увеличиться до 2,45 мкм (при отсутствии отражения от подложки).

Таким образом, при контактной фотолитографии для обеспечения хорошей передачи изображения с малыми размерами необходимо уменьшать зазор d, а также снижать толщину слоя резиста. Кроме того, применение коротковолнового излучения следует рассматривать как одно из перспективных путей совершенствования процессов литографии для субмикронной области размеров элементов.

Лабораторное задание

Ознакомиться с описанием работы и инструкциями по технике безопасности.

Провести процесс фотолитографии.

Порядок выполнения работы

1. Провести визуальный контроль окисленных пластин под микроскопом.

Нанести фоторезист методом центрифугирования последовательно на четыре свежеокисленные пластины.

Провести сушку фотослоя на пластинах в ИК-печах конвейерного типа (максимальная температура (90 ± 5)°С) в течение 10 мин

• Проэкспонировать пластины на установке совмещения и экспонирования,

Кассету с пластинами установить на позиции проявления. Проявить фотослой, для чего выдержать пластины в проявителе КОН в течение 20 - 30 с. Проявленные пластины автоматически промываются деионизованной водой и просушиваются азотом в течение 4 мин. После проявления провести контроль пластин.

Провести задубливание фотослоя в ИК- камере при максимальной температуре (100 ± 5)°С в течение 1С мин.

Провести травление диоксида кремния в окнах на пластинах в буферном травителе (водный раствор HF и NH₄F). Время травления определяется толщиной оксидной пленки и скоростью травления. Скорость травления SiO₂ - 0,08 мкм/мин, боросаликатного стекла -0,05 мкм/мин, фосфоросиликатного стекла - 0,1 мкм/мин. По окончании процесса травления промыть пластины под струей деионизованной вода в течение 20 - 30 с. Проконтролировать пластину под микроскопом, и при наличии в окнах неснятого оксида произвести дотравливание.

Снять фотослой, промыть пластины в потоке деионизованной воды и высушить их.

Требования к отчету

Отчет должен содержать:

1. цель работы;

2. режимы проведения отдельных операций фотолитографии:

а) время нанесения фоторезиста и число оборотов центрифуги;

б) температура и время каждого этапа сушки;

в) время экспонирования и проявления, состав проявителя;

г) время травления оксида, состав травителя;

д) режим и материалы, используемые для снятия фоторезиста;

3) результаты контроля пластины (количество дефектов в пленке, клин травления и проявления) после каждой операции фотолитографического процесса. Экспериментальные данные оформить в виде таблицы;

Форма таблицы

Режимы и результаты визуального контроля пластин на этапах процесса фотолитографии

4. выводы по работе.

Контрольные вопросы

1. Какие технологические операции включает процесс фотолитографии?

2. Как можно представить кинетику фотохимических процессов в позитивных резистах на основе НХД?

3. Какие основные компоненты должны входить в состав фоторезистов?

4. Какие факторы оказывают влияние на разрешающую способность фотолитографии?

5. Какие основные критерии используются для оценки фоторезистов?

6. Какой из фоторезистов (негативный или позитивный) обладает более высокой разрешающей способностью и почему?

7. С какими процессами, происходящим в фоторезисте, связан предел повышения температуры сушки?

8. Объясните различие в процессе проявления для позитивного и негативного резистов.

9. Объясните, зачем добавляется в раствор четырехфтористый аммоний при травлении SiO₂ ?

10. Какие основные виды брака могут возникнуть на каждой из операций процесса фотолитографии при нанесении фоторезист сушке, совмещении, экспонировании и т.д.?

11. Пути повышения разрешающей способности литографии

Рекомендуемая литература:

1. Королев М.А., Ревелева М.А. Технологии и конструкции интегральных микросхем. Ч.1 М. МИЭТ. 2000. 120 с.

2. Зи С. Технология СБИС М. Мир. 1986. 404 с.

3. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник / М.: Радио и связь. 1991. – 528 с.